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21.
快中子照相中的点扩展函数计算   总被引:3,自引:2,他引:3       下载免费PDF全文
 快中子照相中,基于反冲核原理探测快中子的有机闪烁体平板是普遍采用的快中子辐射转换体。模拟了D-T中子垂直入射BC400闪烁体平板,计算了不同厚度平板闪烁体的点扩展函数,对14.1 MeV快中子照相中闪烁体固有分辨率随厚度的变化进行了研究。计算结果表明,在不考虑二次中子与闪烁体作用及背景噪声等情况时,点扩展函数几乎不依赖于闪烁体厚度。同时,计算还表明在一定的分辨率范围内,由于荧光收集效率的限制,闪烁体厚度增加并不会改善图像对比度。  相似文献   
22.
 采用Surperfish对北京正负电子对撞机的多条形电极束流能散度探测器进行了电磁场模拟计算。在带模拟束流的情况下,计算分析了探测器对束流位置和能散度的分辨能力与电极张角之间的关系,首次计算了条形电极间的电容耦合综合强度。电极张角优化结果表明:在不考虑噪声水平的情况下,电极张角为20°时,探测器的灵敏度和分辨率达到最优。而当噪声影响很大时,可以适当增加电极张角,同时考虑减小噪声的措施。  相似文献   
23.
“阳”加速器钼丝X-pinch初步实验研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
 在“阳”加速器上进行了直径分别为10, 15, 20 μm, 交叉角为32°,45°,60°的钼(Mo)丝X-pinch实验。“阳”加速器产生的电流峰值约520 kA,上升时间80 ns。实验中通过X射线功率谱仪和纳秒分幅相机等仪器对Mo丝X-pinch辐射特性进行了诊断。实验表明:Mo丝X-pinch过程中会出现多次X射线爆发,箍缩过程中产生的热点辐射出能量超过3 keV的X射线,探测到的最小热点直径小于30 μm。  相似文献   
24.
对由SPCM-AQR-14和MCS组成的时间分辨光子计数系统进行了研究,分析了SPCM和MCS的工作原理及主要特性.利用该系统对磷光物质和洋葱的延迟发光进行了测量,对它们的光子计数率曲线进行拟合,发现其光强衰减符合双曲线规律.  相似文献   
25.
宫琴  叶大田  郭连生  刘博  刘铤 《声学学报》2002,27(5):471-476
为了去除混在瞬态诱发耳声发射(TEOAE)信号中的刺激伪迹,同时保留瞬态诱发耳声发射信号的有效信息,本文首次提出将预测器-减法器-恢复器构成的滤波器,用于去除受试者耳中的刺激伪迹,来准确提取TEOAE信号。此方法与导出的非线性响应方法相比,不但能准确有效地去除刺激伪迹,而且能保留TEOAE信号的有效成分。是一种非常有前景的应用于临床的方法。  相似文献   
26.
杨奇斌  叶恒强 《物理学报》1980,29(8):1033-1038
本文用欧几里得算法,给出求解基矢变换对应矩阵的解析表达式。分析了点阵平面及复合点阵平面的画法,并指出其应用范围。 关键词:  相似文献   
27.
叶碧青  马忠林 《物理学报》1980,29(6):756-763
本文分析了多模激光束加热内腔元件所引起的温度场分布及热聚焦效应。计算得到的LiNbO3寻常光和非常光的输入功率-输出功率曲线与Konvisar等人的实验结果符合,修正了他们计算的非常光曲线。在实验上,也观测了LiNbO3的内腔热光滞后现象,并测量了内腔热光聚焦效应。 关键词:  相似文献   
28.
本文介绍了我所自行设计和制造的一台旋转晶体中子飞行时间谱仪。该仪器对凝聚态物质的各种动力学研究是一个有效的工具。我们通过选取适当的锗单晶(111)平面旋转轴的办法消除了仪器单色束中多晶面反射的“污染”(contamination)。该谱仪的入射初始中子能量范围可为10—100meV,对应的初始中子能量分辨率为2.5—7.2%。本文根据Brockhouse理论对散射中子的分辨率作了详细的理论计算,并将计算结果与实测结果进行了对比。介绍了标准钒样品的非弹性散射中子谱的测量结果并与国外几个同类型谱仪的基本特性作了比较。  相似文献   
29.
针对HL-2M装置初始等离子体放电阶段所需的直流辉光放电清洗系统的电极进行了设计.对辉光放电清洗系统在不同工况下的系统负载进行了分析和拟定,并确定了电极结构设计分析标准.根据系统电极的结构特点并结合系统负载规范与分析标准,依据不同的失效模式对电极进行了失效分析.分析结果表明,此针对初始等离子体放电的电极设计能可靠安全运...  相似文献   
30.
离子注入硅的椭圆偏振光谱和光性   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
莫党  叶贤京 《物理学报》1981,30(10):1287-1294
为了进一步发展测定离子注入损伤层的椭圆偏光法,我们测量了离子注入硅在4000—7000?波长范围内的椭圆偏振光谱,并由此得到它的色散关系。注入条件为150keV,1015cm-2和1016cm-2的砷离子注入。由于在硅样品表面处形成无定形层,我们用单层模型,从(ψ,Δ)-λ数据计算出(n,k)-λ关系,并可定出损伤层厚度。在~4800?处,出现折射率n的谱峰,峰值约4.9。本文还比较了离子注入损伤层、溅射无定形硅膜层、蒸发无定形硅膜层和单晶硅的实验结果。 关键词:  相似文献   
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