单轴应变对氮化铟电子结构及光学性质的影响

采用密度泛函理论框架下的第一性原理平面波赝势方法,计算单轴应变下闪锌矿氮化铟的电子结构及光学性质.结果表明：施加应变会使带隙变窄.对于拉应变,随着应变增大带隙减小程度增大;对于压应变,随应变增大带隙减小程度减弱;且拉、压应变对带隙调控都是线性的.在能量区间4 eV~12 eV范围内施加应变时,氮化铟的吸收光谱发生红移,随拉应变程度增加,吸收光谱的红移进一步加大;随压应变增加,吸收光谱红移减弱;在该范围内,氮化铟的折射率、反射率随拉应变的增大而增加,随压应变增加减小;施加拉应变时能量损失函数峰值增大,施加压应变后能量损失函数峰值减小.通过施加单轴应变能有效调节氮化铟材料的电结构及光学性质.     

铁、铬、钒原子激发态的光电离截面

这篇文章分别在278～288nm、335～361nm、300～310nm激光波长范围内分别报道过渡金属中的铁原子、铬原子和钒原子的共振增强多光子电离(REMPI)的实验结果.实验中采用激光烧蚀和分子束相结合的技术制备金属原子.光离子产物由飞行时间质谱仪检测.根据共振电离离子信号对探测激光功率的依赖关系,得到原子激发态的光电离截面值.     

基于GaSe差频产生8～19μm可调中红外辐射

利用Nd:YAG激光器抽运内腔KTP光学参量振荡器,得到了输出为2μm附近的双波长,并在满足Ι类相位匹配条件下,在GaSe中共线差频产生8～19μm连续宽调谐调的中红外辐射.在8.76μm处脉冲最大能量达33.66μJ,峰值功率7.4kW,光子转换效率达4.43%左右.分析了影响能量转化效率的原因,提出了补偿走离的措施.     

Difference Independence of the Euler Gamma Function*

In this paper,the authors established a sharp version of the difference analogue of the celebrated Holder’s theorem concerning the differential independence of the Euler gamma function Г. More precisely,if P is a polynomial of n+1 variables in C[X,Y₀,…,Y_n-1] such that P(s,Г(s+a₀),…,Г(s+a_n-1))≡0 for some(a₀,…,a_n-1) ∈ Cⁿ and a_i-a_j ■ Z for any 0≤i相似文献   

对乙酰基偶氮氯膦与镧显色反应的研究及应用

研究了对乙酰基偶氮氯膦与镧的显色反应 ,在 0 .2 mol/L 盐酸介质中 ,有乙醇及吐温 - 80存在时 ,生成3∶ 1紫色络合物。 λmax=6 75 nm,ε=7.33× 1 0 4 L· mol- 1· cm- 1。采用双波长法 ,以 5 30 nm为参比波长 ,6 75 nm为测定波长 ,ε=9.2 0× 1 0 4 L· mol- 1· cm- 1 ,镧含量在 0— 37.5 μg/2 5 m L范围内符合比耳定律。本法用于电子工业钛酸镧烧结中游离氧化镧的测定 ,结果令人满意。     

利用相位共轭技术补偿光纤中色散效应的条件

利用相位共轭器的频率反转特性的,补偿光纤中的色散效应,在理论上和实验上得到了证明.由色散脉冲的傅里叶交换确定了光纤中二次色散效应可以被忽略的条件,得到了共轭器的反射率和带宽与非线性介质的长度L,参数|K|L之间的关系曲线,找到了影响补偿效果的主要因素.     

Wronskian and Grammian Determinant Solutions for a Variable-Coefficient Kadomtsev-Petviashvili Equation

In this paper, we derive the bilinear form for a variable-coefficient Kadomtsev Petviashvili-typed equation. Based on the bilinear form, we obtain the Wronskian determinant solution, which is proved to be indeed an exact solution of this equation through the Wronskian technique. In addition, we testify that this equation can be reduced to a Jacobi identity by considering its solution as a Grammian determinant by means of Pfaffian derivative formulae.     

微珠析相微萃取-石墨炉原子吸收法测定岩石样品中痕量铬

采用二苯碳酰二肼为络合剂,正戊醇为萃取剂,乙醇为助溶剂,建立了微珠析相微萃取-石墨炉原子吸收法测定地质样品中痕量Cr的分析方法。实验详细探讨了微珠析相微萃取的析相条件、石墨炉原子吸收工作参数及共存离子的干扰,优化了体系萃取条件。实验结果表明：微珠析相微萃取既起到了分离富集的作用,在石墨炉升温程序中又起到了基体改进剂的作用;当萃取剂用量为0.2～1.5 mL时,使之与水完全互溶所需助溶剂体积约为水相体积的0.2～0.5倍;方法线性范围为0～10 μg·L-1,检出限为0.057 μg·L-1,相对标准偏差（RSD）为3.3%（c= 2.5 μg·L-1,n=11）;当萃取剂用量为1.5 mL、水相体积15 mL时,与直接溶液进样相比其灵敏度可提高10倍。所建立的方法用于地质标准参考物质AGV-2和G-2中Cr的测定,测定值与参考值具有较好的一致性。     

电化学方法制备Si阵列微孔的工艺研究

对用电化学方法制备Si大孔阵列管坑工艺进行了初步探索。 通过对Si在KOH溶液中各向异性湿法蚀刻和在HF酸溶液中的电化学蚀刻过程中各种参数的摸索, 确定在室温下制备大孔阵列的最佳配比浓度, 蚀刻出符合要求的管坑阵列, 为进一步制备结构化闪烁屏奠定了实验基础。 The 3 D structures in silicon are increasingly coming to use in many fields. For example, the high resolution X ray digital imaging detector can be made by coupling CCD and the scintillating screen which is made by the array trenches filled with CsI(Tl). In the present work, we explored the technology of etching micro array on the n type silicon with high resistance. By studying the relative parameters of anisotropic etching of KOH and electro chemical etching of HF, the optimized concentration of HF was determined and the micro pore array trenches with 200 μm in depth were realized. The results establish an experimental base for further fabrication of the scintillating screen.     

叶绿素紫外吸收特性的分析研究

鉴于光合作用对人类生存和发展的极其重要的地位,本文选取其关键载体——叶绿素进行其光谱的分析研究。在理论分析的基础上,使用WGD-8A型多功能组合光谱仪测量并分析了叶绿素的紫外吸收特性。结合实验结果和前人的研究成果,得出叶绿素在紫外波段281nm和312nm处有较强的吸收峰,紫外线对于光合作用有促进作用的结论,并提供了一种测量叶绿素含量的方法。