全文获取类型
收费全文 | 21696篇 |
免费 | 4302篇 |
国内免费 | 8506篇 |
专业分类
化学 | 16425篇 |
晶体学 | 987篇 |
力学 | 1565篇 |
综合类 | 844篇 |
数学 | 3458篇 |
物理学 | 11225篇 |
出版年
2024年 | 62篇 |
2023年 | 204篇 |
2022年 | 828篇 |
2021年 | 816篇 |
2020年 | 753篇 |
2019年 | 698篇 |
2018年 | 721篇 |
2017年 | 1027篇 |
2016年 | 727篇 |
2015年 | 1107篇 |
2014年 | 1308篇 |
2013年 | 1777篇 |
2012年 | 1727篇 |
2011年 | 1933篇 |
2010年 | 1950篇 |
2009年 | 2032篇 |
2008年 | 2169篇 |
2007年 | 2094篇 |
2006年 | 2022篇 |
2005年 | 1788篇 |
2004年 | 1376篇 |
2003年 | 947篇 |
2002年 | 998篇 |
2001年 | 1032篇 |
2000年 | 1069篇 |
1999年 | 594篇 |
1998年 | 321篇 |
1997年 | 275篇 |
1996年 | 272篇 |
1995年 | 233篇 |
1994年 | 263篇 |
1993年 | 220篇 |
1992年 | 203篇 |
1991年 | 116篇 |
1990年 | 115篇 |
1989年 | 134篇 |
1988年 | 82篇 |
1987年 | 79篇 |
1986年 | 69篇 |
1985年 | 45篇 |
1984年 | 60篇 |
1983年 | 40篇 |
1982年 | 40篇 |
1981年 | 39篇 |
1980年 | 22篇 |
1979年 | 30篇 |
1978年 | 14篇 |
1974年 | 10篇 |
1965年 | 11篇 |
1964年 | 8篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
231.
232.
对四分块矩阵A=A(︿) A(︿,︿′)A(︿′,︿) A(︿′)来说 ,如果 A和 A(︿)都是非奇异的 ,则A- 1 (︿′) =(A/︿) - 1 ,这里 A/ ︿=A(︿′) -A(︿′,︿) A(︿) - 1 A(︿,︿′)是 A(︿)在 A中的 Schur补 .王伯英教授指出上述等式 ,对半正定的 Hermitian矩阵而言 ,一般也是不能推广到 Moore-Penrose逆上去的 .在某些限制条件下 ,我们证明了广义逆的主子矩阵与广义 Schur补的关系是密切的 ,它使经典结果成为特例 相似文献
233.
杨钟玄 《新疆大学学报(理工版)》2002,19(3):266-271
先对正项级数敛生判别法的粗细与强弱问题进行了辨析,然后建立了三个有关正项级数剑散判别的命题,分别比较了三组判别法之间的强弱关系。 相似文献
234.
235.
In this paper κ-order slant Toeplitz operator on the Bergman space is defined. Some properties like spectrum, commuting are discussed. 相似文献
236.
氟氧化物陶瓷的多谱线上转换发光 总被引:1,自引:0,他引:1
以氧化硅、氟化铅为基质制备了Er3 :Yb3 共掺杂氟氧化物陶瓷 ,X 射线分析表明陶瓷中存在着 β PbF2 晶相 ,沉积在其中的稀土离子由于具有很低的无辐射跃迁几率而显示出良好的上转换性能。Er3 ,Yb3 离子之间存在的多种能量传递通道 ,导致稀土离子十分丰富的上转换谱线的出现。 相似文献
237.
Design and Fabrication of 1.06 μm Resonant-Cavity Enhanced Reflective Modulator with GaInAs/GaAs Quantum Wells
下载免费PDF全文
![点击此处可从《中国物理快报》网站下载免费的PDF全文](/ch/ext_images/free.gif)
A resonant-cavity enhanced reflective optical modulator is designed and fabricated, with three groups of three highly strained InGaAs/GaAs quantum wells in the cavity, for low voltage and high contrast ratio operation. The quantum wells are positioned in antinodes of the optical standing wave. The modulator is grown in a single growth step in an molecular beam epitaxy system, using GaAs/AlAs distributed Bragg reflectors as both the top and bottom mirrors. Results show that the reflection device has a modulation extinction of 3 dB at -4.5 V bias. 相似文献
238.
Reduction of Dislocations in GaN Epilayer Grown on Si (111) Substrates using a GaN Intermedial Layer
下载免费PDF全文
![点击此处可从《中国物理快报》网站下载免费的PDF全文](/ch/ext_images/free.gif)
GaN intermedial layers grown under different pressures are inserted between GaN epilayers and AIN/Si(111) substrates. In situ optical reflectivity measurements show that a transition from the three-dimensional (3D) mode to the 2I) one occurs during the GaN epilayer growth when a higher growth pressure is used during the preceding GaN intermedial layer growth, and an improvement of the crystalline quality of GaN epilayer will be made. Combining the in situ reflectivity and transmission electron microscopy (TEM) measurements, it is suggested that the lateral growth at the transition of growth mode is favourable for bending of dislocation lines, thus reducing the density of threading dislocations in the epilayer. 相似文献
239.
在当前激光核聚变实验中,中子集中在短时间内出现、且产额低。为适应这种特点,要求探测器的效率高,分辨时间短。利用闪烁中子探测器探测激光核聚变所产生的中子,能测定中子产额,记录中子能量,而且探测效率高,分辨时间短。缺点是易受γ射线、X射线的干扰。 相似文献
240.