Simulation of polarization effects in AlGaN/GaN heterojunction

Because of their large band-gap, large high-field electron velocity, large breakdownfield, and large thermal conductivity, GaN and its heterojunction with AlGaN and InGaNhave foreseeable potential in the applications of high-power/temperature electronics, andoptoelectronic devices operative in UV and visible wavelength. Polarization inducedelectric field can reach the magnitude of ~MV/cm[1,2]. For AlGaN/GaN based FETs theconcentration of sheet carrier induced by polarization in the cha…     

一些包含Lucas数的恒等式

利用第一类Chebyshev多项式的性质以及其与Lucas数的关系得到了关于Lucas数立方的一些恒等式.     

用点正则变换方法求解双原子分子的双曲型Poschl-Teller势的束缚态

采用在点正则变换下形状不变势的映射方法,给出了将Poschl-Teller Ⅰ势映射至Poschl-Teller Ⅱ势的点正则变换,并从Poschl-TellerI势的束缚态能级和波函数求得了Poschl-Teller Ⅱ势的束缚态能级和波函数.     

静压下半导体微腔内激子与光子行为的研究

由于腔模与激子对压力的依赖关系不同,所以可以选择不同的压力使激子和光场处于不同的耦合状态,从而实现对耦合的调谐。利用这种办法,我们观测到了代表激子与光场强耦合作用的Rabi分裂。由于在我们现有样品结构中压力对激子本征行为的影响很小,与以前报道的温度、电场等调谐方式相比,这种调谐方法不仅可以有效地调谐半导体微腔内激子与腔模的耦合程度,而且能够保持激子的本征性质在整个调谐过程中基本不变。这有助于研究在强耦合过程中激子极化激元的本征性质。将实验结果与压力下激子与腔模耦合理论进行拟合,得出了正确的Rabi分裂值。     

New characterizations of Hajlasz-Sobolev spaces on metric spaces

This paper introduces the fractional Sobolev spaces on spaces of homogeneous type,includingmetric spaces and fractals. These Sobolev spaces include the well-known Hajfasz-Sobolev spaces as specialmodels.The author establishes varions chaaracterizations of(sharp)maximal functions for these spaces.Asapplications,the author identifies the fractional Sobolev spaces with some Lipscitz-type spaces.Moreover;some embedding theorems are also given.     

关于一个数论函数的导数及应用

Kanemitsu教授给出了欧拉求和函数的推广公式Lu(x,a)=0n相似文献   

汉字识别的加工模型

通过文献分析,概述了认知心理学关于汉字识别过程及其加工机制研究的几种主要的加工模型,即经成分识别模型、多层次交互激活模型、连接主义模型、合体汉字字形识别模型和汉字识别的多层次格式塔双向加工模型.     

基于自相关的激光编码解算

分析了半自主激光制导武器的激光编码规律，提出了运用自相关技术对激光编码进行解算。通过仿真试验验证，运用该技术可准确预测、精确同步复制敌方激光编码，并形成有效的激光诱饵，达到全程自适应干扰的目的。