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81.
第Ⅱ种强度不等的非对称两态叠加多模叠加态光场的偶数阶等阶N次方Y压缩 总被引:5,自引:0,他引:5
本文构造了由多模复共轭相干态的相反态|{-Zj(a)*}>q与多模虚共轭相干态的相反态|{-iZj(b)*}>q这两者的线性叠加所组成的第Ⅱ种强度不等的非对称两态叠加多模叠加态光场|ΨⅡ(ab)>q,利用多模压缩态理论研究了态|ΨⅡ(ab)>q的任意偶数阶等阶N次方Y压缩特性.结果发现:1)在压缩阶数N取偶数,即N=2p的条件下,无论p=2m(m=1,2,3,…,…),还是p=2m+1(m=0,1,2,3,…,…),只要构成态|ΨⅡ(ab)>q的两个不同的量子光场态中各对应模的强度(即平均光子数)和初始相位都不相等,亦即Rj(a)≠Rj(b)和φj(a)≠φj(b)(j=1,2,3,…,q),并且
,则当满足一定的量子化条件(或者在一些闭区间内连续取值)时,态|ΨⅡ(ab)>q总可呈现出周期性变化的、任意偶数阶的等阶N次方Y压缩效应.2)在N=2p且p=2m+1(m=0,1,2,3,…,…)的条件下,若Rj(a)=Rj(b)和φj(a)=φj(b)(j=1,2,3,…,q),态|ΨⅡ(ab)>q则可呈现出等阶N次方Y压缩简并现象. 相似文献
82.
第Ⅱ种强度不等的两态叠加多模叠加态光场的等阶N次方H压缩——2腔模总数与压缩阶数两者之积取奇数的情形 总被引:5,自引:0,他引:5
构造了由多模复共轭相干态的相反态|{-Zj(a)*}〉q和多模虚共轭相干态的相反态|{-Zj(b)*}〉q的线性叠加所组成的第Ⅱ种强度不等的非对称两态叠加多模叠加态光场|Ψ(ab)Ⅱ〉q.利用多模压缩态理论,研究了态|Ψ(ab)Ⅱ〉q的等阶N次方H压缩特性.结果发现,在腔模总数与压缩阶数这两者之积取奇数,则当各对应模的初始相位、各对应模的初始相位差,态间的初始相位差、以及光子干涉项的幅度之和等分别满足一定的量子化条件时,态|Ψ(ab)Ⅱ〉q的第一及第二正交分量可分别呈现出周期性变化的等阶N次方H压缩效应.这与现有报道的结果截然不同. 相似文献
83.
The exact solutions of the rate equations of the n-polymer stochastic aggregation involving two types of clusters, active and passive for the kernel \dprnk=1s(ik)(s(ik)=ik) and \dsumnk=1s(ik)(s(ik)=ik), are obtained. The large-mass behaviours of the final mass distribution of the active and passive clusters have scaling-like forms, although the models exhibit different properties. Respectively, they have different decay exponents γ=\dfrac{2n+1}{2(n-1)} and γ=q+\dfrac{2n+1}{2(n-1)} for \dprnk=1}s(ik)(s(ik)=ik) and γ=\dfrac 3{2(n-1)} and γ=q+\dfrac 3{2(n-1)} for \dsumnk=1}s(ik)(s(ik)=ik), which include exponents of two-polymer stochastic aggregation. We also find that gelation is suppressed for kernel \dprnk=1s(ik)(s(ik)=ik) which is different from the deterministic aggregation. 相似文献
84.
本文从理论,实验上论证了“马氏(红移)定律”,同时指出所谓“退行速度Vr”或“星系红移”与“星系间的距离”无必须的关系,从这个意义上来说,哈勃定律是错误的。 相似文献
85.
86.
87.
88.
用标量有限元方法计算了周期性极化的铌酸锂光波导中模折射率和模场分布,并在计算中引入铌酸锂晶体折射率与温度变化的关系,分析了准位相匹配铌酸锂波导倍频效率与极化反转光栅周期、基频光波长、波导器件温度等关系.理论分析与实验结果符合得很好.在此基础上,分析了波导制作参数与倍频效率、光栅周期与晶体温度,以及温度带宽与光栅通光方向长度等关系,进而对铌酸锂波导倍频器件进行优化设计.
关键词:
铌酸锂
光波导
准位相匹配
有限元 相似文献
89.
从固体模型理论的结果出发,计算了生长于Si(100)衬底上x值小于085的Si1-xGex合金材料(能带结构为类Si结构)的间接带隙与应变的关系,结 果表明,应变的S iGe材料的带隙和完全弛豫状态下材料的带隙之差与应变呈线性关系.基于这一结果,提出了 用测量带隙来间接测定SiGe/Si应变状态的方法.用带隙法和x射线双晶衍射法测量了不同应 变状态下的SiGe/Si多量子阱材料的应变弛豫度,两者可以较好的符合,表明带隙法测量SiG e应变弛豫度是可行的.
关键词:
SiGe合金
应变
带隙 相似文献
90.
研究了晶场二级效应在PrF3晶体中的作用,发现该效应可使Pr3+离子的晶场单态与其他态混合,对PrF3晶体磁化率产生明显影响.进一步研究了晶体内的交换作用有效场,其形式为Hin=(1.9-0.02556T)×10-5M,在100—300 K的温度范围内,以此计算的PrF3晶体的倒数磁化率和Verdet常数的倒数与实验值符合较好.结果表明,在PrF3晶体中,晶场二级效应与离子间的交换作用都不能忽略.
关键词:
晶场二级效应
交换作用有效场
Verdet常数
3晶体')" href="#">PrF3晶体 相似文献