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41.
采用不同材质的刻槽绝缘平行板,包括高纯度石英玻璃、聚四氟乙烯(Teflon)、酚醛树脂(电木)和聚甲醛板(赛钢板),并在15 pA/mm2 ~14.3 nA/mm2范围内改变入射流强,利用1 500 eV电子束入射上述绝缘平行板,实验研究了上述平行板对电子束的导向行为。实验发现,上述电子束通过上述平行板时存在明显的导向现象,其导向行为与束流流强和绝缘材质无关。据此,可排除绝缘平行板内表面沉积电荷自组织充放电过程中,以绝缘材料的面电阻和体电阻对地泄放的线性形式放电过程。Adopting several grooved parallel plates made by different insulators, such as high-purity fused quartz, Teflon, Bakelite and POM (Polyformaldehyde), and further adjusting the electron beam current in a wide range (tens of pA~tens of nA), the discharging mechanism in the self-organizing charge and discharge processes of electron guiding was investigated and discussed by using 1 500 eV incident electron beam. The present results show that, the electron guiding behaviors are obviously existing when such electron beam is transmitted through the above grooved insulating parallel plates, which are independent on beam current and insulators. Our results suggest that, the possibilities of the accumulated charges on inner-surface of grooved parallel plates linearly discharging through surface and bulk resistances of plates into the ground should be excluded.  相似文献   
42.
Song  Zi-Long  Zhu  Yun  Liu  Jing-Rui  Guo  Shu-Ke  Gu  Yu-Cheng  Han  Xinya  Dong  Hong-Qiang  Sun  Qi  Zhang  Wei-Hua  Zhang  Ming-Zhi 《Molecular diversity》2021,25(1):205-221
Molecular Diversity - Based on the strategy of diversity-oriented synthesis and the structures of natural product pimprinine and streptochlorin, two series of novel pimprinine derivatives...  相似文献   
43.
本文利用环聚合分子动力学方法对C(1D)+H2反应开展了详细的理论研究. 计算中使用了最近构建的Zhang-Ma-Bian(ZMB)从头算势能面,该势能面对锥形交叉附近区域以及范德华区域均有精确的描述. 环聚合分子动力学计算得到的热反应速率常数与最新实验值吻合很好. 与前人计算结果比较,发现在?1A′电子基态的ZMB-a势能面上获得的反应速率常数远大于前人构建的RKHS势能面上的结果,这是由于ZMB势能面上的范德华鞍具有与之前势能面上的范德华阱完全不同的动态学作用,表明环聚合分子动力学方法能够处理范德华作用引起的势能面拓扑结构所导致的动态学效应. 本文还揭示了b1A′′电子激发态ZMB-b势能面以及量子效应对反应的重要性.  相似文献   
44.
构建了输出电压幅值为0~20 kV、脉冲重复频率为0.25~20 kHz的双极性高压脉冲电源实验平台,研究了变压器寄生参数与负载特性对输出脉冲波形的影响。采用等效电路复频域解析方法,分析了变压器寄生参数对输出脉冲波形的上升沿、平顶及下降沿的影响规律,并通过改变变压器绕线方案间接验证。发现变压器分布电容和漏感越大,输出脉冲波形上升沿与下降沿越平缓,过冲电压幅值越大,并采用脉冲变压器二次侧均匀密绕、一次侧均匀疏绕、高匝数的方案进行优化。进一步分析了纯阻性、阻容性或阻感性负载特性对输出高压脉冲波形的影响规律,发现电阻值增大(5~50 kΩ),过冲电压幅值增大,脉冲上升沿和下降沿变陡;当负载电阻回路串联小电容时,过冲电压幅值显著增大,而电容值高于一定值时输出脉冲波形恢复至与纯电阻波形一样;当负载电阻回路串联电感时,输出脉冲波形下降沿变平缓。  相似文献   
45.
Selective fluorescence turn on Zn2+ sensor with long-wavelength emission and a large Stokes shift is highly desirable in Zn2+ sensing area. We reported herein the synthesis and Zn2+ recognition properties of a new thiosemicarbazone-based fluorescent sensor L. L displays high selectivity and sensitivity toward Zn2+ over other metal ions in DMSO-H2O (1:1, v/v, HEPES 10 mM, pH = 7.4) solution with a long-wavelength emission at 572 nm and a large Stokes shift of 222 nm. Confocal fluorescence microscopy experiments demonstrate that L is cell-permeable and capable of monitoring intracellular Zn2+.
Graphical Abstract We report a new thiosemicarbazone-based fluorescent sensor (L) for selective recognition of Zn2+ with a long wavelength emission and a large Stokes shift.
  相似文献   
46.
小波变换轮廓术的测量范围研究   总被引:2,自引:1,他引:2  
利用小波“脊”处的小波系数来提取变形条纹中的相位信息可以在很大程度上抑制条纹图中有用的基频分量与零频和其它谐波频率分量的混叠,弥补了傅里叶变换轮廓术的不足。从离散信号频域分析角度,推导了变形条纹小波变换的频谱描述形式,讨论了其测量范围,包括结构条件和抽样条件。结果表明,只有在无周期内瞬时频谱混叠,即任意位置处物体瞬时高度变化满足h/xx=b<1/3条件时,和不存在抽样引起的周期间瞬时频谱混叠的抽样条件下(即一个周期内的抽样点数m≥4时),小波变换轮廓术才能正确恢复被测物体的三维面型。计算机模拟和实验验证了该结论。  相似文献   
47.
Total absorption is realized theoretically in a graphene-outside-cavity resonator. The structure is composed of the FP-Fano hybrid resonance cavity. Changing the thickness of grating exciting Fano resonance, the absorption-mode number can be tuned effectively. For the focused double-mode absorption, the resonances behave insensitively with the variation of chemical potential of graphene. Varying the geometry of grating can control the coupling extent of two modes. Also, by manipulating the period number of two-side multilayers around graphene, the absorption, shift and number of modes are governed.  相似文献   
48.
选取具不同生长应力水平的人工林尾巨桉(Eucalyptus uroph ylla×E.grandis)正常木为研究对象,借助场发射环境扫描电子显微镜系统,结合以溴元素做标记的X射线能谱分析技术,分析了尾巨桉细胞壁微区木质素沉积与生长应力的关系.研究结果表明,木纤维细胞壁各微区间木质素含量的大小关系与生长应力高低无关,其...  相似文献   
49.
A p-ZnO:N/n-GaN:Si structure heterojunction light-emitting diode (LED) is fabricated on c-plane sapphire by full metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) technique. The p-type layer with hole concentration of 8.94×1016 cm−3 is composed of nitrogen-doped ZnO using NH3 as the doping source with subsequent annealing in N2O plasma ambient. Silicon-doped GaN film with electron concentration of 1.15×1018 cm−3 is used as the n-type layer. Desirable rectifying behavior is observed from the current-voltage (I-V) curve of the device. The forward turn on voltage is about 4 V and the reverse breakdown voltage is more than 7 V. A distinct ultraviolet (UV) electroluminescence (EL) with a dominant emission peak centered at 390 nm is detected at room temperature from the heterojunction structure under forward bias conditions. The origins of the EL emissions are discussed in comparison with the photoluminescence (PL) spectra.  相似文献   
50.
A joint clustering and classification approach is proposed.This approach exploits unlabeled data for efficient clustering,which is applied in the classification with support vector machine(SVM) in the case of small-size training samples.The proposed method requires no prior information on data labels,and yields better cluster structures.Through cluster assumption and the notions of support vectors,the most confident k cluster centers and data points near the cluster boundaries are labeled and used to train a reliable SVM classifier.Our method gains better estimation of data distributions and mitigates the unrepresentative problem of small-size training samples.The data set collected from Landsat Thematic Mapper(Landsat TM-5) validates the effectiveness of the proposed approach.  相似文献   
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