玻璃陶瓷材料中Tm3+离子红外到蓝色上转换发光

系统研究了PbF2+GeO2+WO3ⅩⅣTmF3玻璃陶瓷材料中,在近红外光(1.06μm)激发下,Tm3+离子的发光特性.实验中观测到Tm3+离子的两组峰值位置分别在20920cm-1和22173cm-1的蓝色上转换发光,并证实这两组上转换发光分别与吸收三个和四个光子有关,同时建立了上转换发光的模型.为了选择最佳掺杂浓度,详细地测量了Tm3+离子峰值为20920cm-1的蓝色上转换发光强度与TmF3浓度的关系.     

电流变液与电-磁流变液的衍射特性

本文把电流变液装置作为反射光栅研究其衍射特性,首次提出由电场强度改变来调节光栅常数的概念.并讨论了同时外加电场与磁场的情况下,电磁流变液的衍射特性.     

Analytical Dielectric Spectrum Formula Based on Representative Frequencies

基于电介质复折射率的实验数据,采用最小二乘法结合选取的代表频率拟合得到了电介质的介电谱解析表达式,可以得到电介质在全频段的光频常数和介电常数. 研究了三个典型液态电介质,水、乙醇和甲苯的介电谱. 在实验数据可以获取的频率范围内,采用解析表达式得到的光频常数与采用Kramers-Kronig转换得到的折射率实部和实验得到的折射率虚部吻合得很好. 基于介电谱解析表达式可以预测目前实验无法测量的区域的介电谱.     

大面积染料敏化太阳电池的串联阻抗特性研究

在电子扩散微分方程的基础上,研究了染料敏化太阳电池光生电流和光生电压随光照强度不同的变化关系.提出敏化太阳电池串联阻抗功率损耗模型,理论模拟了大面积电池（有效面积>1 cm²）光电转换效率随多孔薄膜有效面积宽度变化的曲线、透明导电基底膜与银栅极的比接触电阻以及在不同入射光强下银栅极体电阻对大面积染料敏化太阳电池光伏性能的影响.结果表明透明导电基底膜的方块电阻和银栅极体电阻对大面积染料敏化太阳电池的性能有很大影响,而这种影响随光强的减弱逐渐减小. 关键词： 染料敏化 太阳电池 串联阻抗 光电转换效率     

斜入射分层线性各向异性等离子体电磁散射时域有限差分方法分析

提出了斜入射分层线性各向异性等离子体电磁散射的时域有限差分(FDTD)方法,通过将二维麦克斯韦方程等价地转换为一维麦克斯韦方程,避免了用二维时域有限差分方法分析该散射问题,极大地提高了计算效率.分析推导了TEz和TMz波斜入射线性分层各向异性等离子体电磁散射的FDTD方法,然后通过该方法计算不同入射角的各向异性等离子板的电磁波反射系数,并与其解析解进行比较,结果表明该方法的准确性和有效性.最后,将该算法应用于计算涂覆分层各向异性等离子体金属板在不同入射角下的反射系数,分析了不同入射角对反射系数的影响.     

太赫兹场辅助的单量子阱自旋共振输运

在考虑自旋轨道耦合的情况下,研究了通过一非磁性半导体异质结的太赫兹光子驱动的电子输运,研究结果显示频率相关的电导谱出现不对称的Fano型共振的劈裂;随着振荡场幅度的增加,多光子辅助过程出现;通过改变外加场参数,可以实现自旋过滤目的,特别是在干涉相消Fano型共振的频率位置时,出现了100%纯的自旋极化流.这些属性有助于大范围可调的自旋过滤器的实现并且可以得到纯的自旋透射流.     

低强度飞秒激光激发下CdTe和CdTe/CdS核壳量子点的荧光上转换研究

利用400 nm和800 nm不同波长的低强度飞秒激光,对CdTe和CdTe/CdS核壳量子点溶胶进行激发,研究其稳态和时间分辨荧光性质.800 nm飞秒激光激发下,CdTe和CdTe/CdS核壳量子点产生上转换发光现象,上转换荧光峰与400 nm激发下的荧光峰相比蓝移最多达15 nm,而且蓝移值与荧光量子产率有关.变功率激发确认激发光功率与上转换荧光强度间满足二次方关系,时间分辨荧光的研究表明荧光动力学曲线服从双e指数衰减.提出表面态辅助的双光子吸收模型是低激发强度上转换发光的主要机理.CdTe和CdT 关键词： CdTe量子点 CdTe/CdS核壳量子点 时间分辨荧光 上转换荧光     

Ferroelectric polarization-controlled two-dimensional electron gas in ferroelectric/AlGaN/GaN heterostructure

The control effect of the ferroelectric polarization on the two-dimensional electron gas (2DEG) in a ferroelectric/AlGaN/GaN metal–ferroelectric–semiconductor (MFS) structure is theoretically analyzed by a self-consistent approach. With incorporating the hysteresis nature of the ferroelectric into calculation, the nature of the control effect is disclosed, where the 2DEG density is depleted/restored after poling/depoling operation on the MFS structure. The orientation of the ferroelectric polarization is clarified to be parallel to that of the AlGaN barrier, which, based on an electrostatics analysis, is attributed to the pinning effect of the underlying polarization. Reducing the thickness of the AlGaN barrier from 25 nm to 20 nm leads to an improved control modulation of the 2DEG density from 36.7% to 54.1%.     

Role of gallium wetting layer in high-quality ZnO growth on sapphire (0001) substrates

ZnO is a wide direct bandgap (Eg=3.37 eV at room temperature) II-VI compound semiconductor of wurtzite structure (a = 3.249 ? c = 5.207 ?. Compared to GaN and ZnS, ZnO has a larger exciton binding energy, ~60 meV (cf. ~25 meV for GaN and ~40 meV for ZnS), which is advantageous to realizing low-threshold excitonic lasers. Since optically pumped UV lasing of ZnO at room temperature was reported in 1997[1], much attention has been paid to the crystal quality improvement and p-type conduc…     

增益介质的色散对锁模激光器输出脉宽和啁啾的影响

利用时间域内各光学元件的传播矩阵,在考虑了增益介质的色散后,对锁模激光器输出的脉宽和啁啾做了理论方面的推导,并做了相关的数值模拟,结果表明:当不考虑增益介质的色散时,其输出脉宽啁啾值为零;而考虑了增益介质的色散后,啁啾值随色散值的增加先增加而后降低,且存在一个最大值,脉宽随色散值的增加而增加.