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991.
<正>氧化镓(β-Ga_2O_3)单晶是一种第四代超宽禁带氧化物半导体,其禁带宽度为4.8~4.9eV,具有独特的紫外透过特性(吸收截止边~260nm);击穿电场强度高达8MV/cm,是Si的近27倍、SiC及GaN的2倍以上,巴利加优值分别是SiC、GaN的10倍、4倍以上,并且可以采用熔体法生长大尺寸体单晶,因此β-Ga_2O_3已成为超高压功率器件和深紫外光电子器件的优选材料之一。由于其在军事、能源、医疗、环境等领域的重要应用价值,近年来,氧化镓材料及器件的研究与应用成为当前美国、日本、德国等国家的研究热点和竞争重  相似文献   
992.
993.
Jiang  Qiong  Zhao  Wenjie  Qiu  Hongdeng  Zhang  Shusheng 《Chromatographia》2016,79(21):1437-1443

In this study, octylbenzimidazolium-modified silica (BeImC8-Sil) was prepared by covalent attachment of 1-octylbenzimidazole to γ-chloropropyl silica. The synthesized materials were characterized by the elemental analysis, IR spectrum, and thermogravimetric analysis. Due to the introduction of phenyl and octyl groups on the quaternary imidazolium, the developed BeImC8-Sil column can function via both reversed-phase and anion-exchange retention mechanisms. The chromatographic properties of the synthesized material were investigated by the separations of polycyclic aromatic hydrocarbons, mono-substituted derivatives of benzene, anilines, and phenols, revealing the existence of multiple interactions, including hydrogen bonding, π–π stacking, electrostatic forces, and hydrophobic interactions in reversed-phase mode; inorganic and organic anions were also separated mainly through anion-exchange interaction. The proposed BeImC8-Sil is a promising mixed-mode stationary phase for the separation of complex samples in high-performance liquid chromatography.

  相似文献   
994.
995.
利用电化学沉积方法在同一种富Co2+溶液Co2+/Cu2+=10∶1中,利用不同的沉积电位成功地制备了一系列不同成分(x=0.38—0.87)和复合相结构的CoxCu1-x纳米线阵列.发现随着纳米线中Cu含量的变化,CoxCu1-x纳米线的复相结构随之发生规律的变化,最终导致纳米线的磁性也随之规律的变化.随着纳米线中Cu含量的不断增加,一部分Cu与Co形成面心立方结构(fcc)的CoCu固溶体,减弱了磁晶各向异性与形状各向异性的竞争,从而提高样品的方形度;一部分Cu以fcc结构的Cu单质的形式存在于纳米线中,并随着Cu颗粒大小的不同分别起到破坏磁晶各向异性和钉扎畴壁的作用,从而增加纳米线的方形度和矫顽力.对比不同成分的样品,发现CoxCu1-x纳米线的方形度和矫顽力的最大值分别出现在Co75Cu25和Co60Cu40中,并且由于其特殊的复相结构致使它们的值要好于相同直径的单相结构的结果. 关键词: 纳米线 电化学沉积 磁性  相似文献   
996.
反射型磁光多层膜隔离器工作稳定性的研究   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
与单纯的磁光晶体相比,由磁光介质与电介质周期性或准周期性排列构成的一维磁光光子晶 体能够显著增强磁光效应,可以用于实现小尺度的磁光隔离器,从而大大减小器件的尺寸. 给出更为一般的可用于求解斜入射情况下偏振光在各向异性介质中传播时的传输矩阵方法, 并用这种方法在波长为1053μm处,针对两种“三明治”型的反射磁光多层膜隔离器的 结构,具体讨论了器件应用时入射角度及工艺制作时膜层制备厚度对它们工作稳定性的影响 .发现中心磁光介质夹层较厚的结构具有膜层数目少、工作稳定性好的优点. 关键词: 光隔离器 磁光效应 一维光子晶体  相似文献   
997.
基于Landau-Khalatnikov运动方程,本文研究了含有表面过渡层和铁电界面耦合的反转动力学行为(包括平均极化、反转时间、反转电流和矫顽场).研究结果表明:在铁电双层膜系统中存在一个竞争的机理,即表面过渡层与界面耦合的竞争作用.我们发现在双层膜反转过程中出现了反常行为,这些反常行为归因于表面过渡层与界面耦合之间的竞争.表面过渡层与界面耦合的共同行为对铁电双层膜的动力学特性起到了决定性的作用.  相似文献   
998.
在“星光-Ⅱ”装置上以类Ne铬x射线激光作为标定源,以平场光栅谱仪为分光元件进行了285nm的Mo/Si多层膜反射镜效率测量.介绍了实验方法,给出了实验结果,本次研制的两块多层膜镜反射率分别为31%和9.6%. 关键词: x射线多层膜反射镜 反射率测量 x射线激光  相似文献   
999.
李水清  汪菜  韩彦军  罗毅  邓和清  丘建生  张洁 《物理学报》2011,60(9):98107-098107
提出了一种新型p型氮化镓粗化外延生长方法,这种生长方法的本质特征是利用低温生长的p型氮化镓作为粗化层的"晶籽"层,然后在这一层的基础上高温快速生长p型氮化镓,使粗化程度得到放大. 经实际制作尺寸为12 mil×10 mil的蓝光发光二极管器件并进行验证测试,与未进行p型氮化镓粗化的结果相比,通过这种方法粗化的发光二极管光通量可提升45%;结果同时表明,该方法有效解决了低温生长p型氮化镓带来的漏电流大,及预通镁源带来的前置电压高的问题. 关键词: 粗化 氮化镓 p型氮化镓 发光二极管  相似文献   
1000.
通过透射光谱、x射线激发发射光谱(XSL)的测试,研究了Bridgman法生长的几种不同+3价离子掺杂钨酸铅晶体的发光性能,并利用正电子湮没寿命谱(PAT)和x光电子能谱(XPS)的实验手段,对不同钨酸铅晶体的微观缺陷进行研究.实验表明,不同的+3价离子掺杂,对钨酸铅晶体发光性能的改善不同,并使得晶体中正电子俘获中心和低价氧的浓度发生不同变化.其中掺镧晶体的正电子俘获中心和低价氧浓度均上升,而掺钇和掺铋晶体的正电子俘获中心和低价氧浓度均下降,掺锑晶体则出现了正电子俘获中心浓度上升、低价氧浓度下降的情况.提 关键词: 钨酸铅晶体 +3价离子掺杂 正电子湮没寿命谱 x光电子能谱  相似文献   
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