X射线光场成像技术研究

X射线三维成像技术是目前国内外X射线成像研究领域的一个研究热点.但针对一些特殊成像目标,传统X射线计算层析(CT)成像模式易出现投影信息缺失等问题,影响CT重建的图像质量,使得CT成像的应用受到一定的限制.本文主要研究了基于光场成像理论的X射线三维立体成像技术.首先从同步辐射光源模型出发,对X射线光场成像进行建模;然后,基于光场成像数字重聚焦理论,对成像目标场在深度方向上进行切片重建.结果表明:该方法可以实现对成像目标任一视角下任一深度的内部切片重建,但是由于光学聚焦过程中的离焦现象,会引入较为严重的背景噪声.当对其原始数据进行滤波后,再进行X射线光场重聚焦,可以有效消除重建伪影,提高图像的重建质量.本研究既有算法理论意义,又可应用于工业、医疗等较复杂目标的快速检测,具有较大的应用价值.     

Laser-induced quadrupoleben quadrupole collisional energy transfer in Xe-Kr

By considering the relative velocity distribution function and multipole expansion interaction Hamiltonian, a three-state model for calculating the cross section of laser-induced quadrupole-quadrupole collisional energy transfer is presented. Calculated results in Xe-Kr system show that in the present system, the laser-induced collision process occurs for ~4 ps, which is much shorter than the dipole-dipole laser-induced collisional energy transfer (LICET) process. The spectrum of laser-induced quadrupole-quadrupole collisional energy transfer in Xe-Kr system has wider tunable range in an order of magnitude than the dipole-dipole LICET spectra. The peak cross section decreases and moves to the quasi-static wing with increasing temperature and the full width at half peak of the profile becomes larger as the system temperature increases.     

高压下硝基甲烷分子温度的密度泛函计算

用密度泛函理论在B3LYP/6-311++G(2d,2P)计算水平上对硝基甲烷分子进行了结构优化、频率和热化学分析.发现:在相同温度条件下改变压强,分子熵函数产生了改变,当温度和压强条件相同时,对于不同物质熵函数的改变是相同的.以热力学理论中麦克斯韦关系为基础,通过计算等温过程中分子的熵函数对压强的变化率,用数值拟合方法得到不同压强条件下分子温度的表达式:T=T0+(1-B)[18.3858+0.5392P]V0,式中T0、V0分别表示分子系统初态的温度和体积,T、V分别表示系统在末态的温度和体积,B是体积的压缩比.在选定参数的情况下该表达式可以计算不同压强条件下CHNO含能材料的分子温度.同时,以硝基甲烷为验证,选取基本参数V0和B,计算其在C-J条件对应的爆压14GPa下,分子温度为3461K,对应爱因斯坦温度,相当于3228cm-1的能量,在实验中该能量足以激发硝基甲烷分子内振动能量重新分配过程,有可能激发C-N键的红外振动而引起单分子分解反应的发生.因此,此表达式可用于预测含能材料撞击点火过程单分子分解可能的反应通道.     

Ultra-low on-resistance high voltage (>600 V) SOI MOSFET with a reduced cell pitch

A low specific on-resistance (R S,on) silicon-on-insulator (SOI) trench MOSFET (metal-oxide-semiconductor-field-effect-transistor) with a reduced cell pitch is proposed.The lateral MOSFET features multiple trenches:two oxide trenches in the drift region and a trench gate extended to the buried oxide (BOX) (SOI MT MOSFET).Firstly,the oxide trenches increase the average electric field strength along the x direction due to lower permittivity of oxide compared with that of Si;secondly,the oxide trenches cause multiple-directional depletion,which improves the electric field distribution and enhances the reduced surface field (RESURF) effect in the SOI layer.Both of them result in a high breakdown voltage (BV).Thirdly,the oxide trenches cause the drift region to be folded in the vertical direction,leading to a shortened cell pitch and a reduced R S,on.Fourthly,the trench gate extended to the BOX further reduces R S,on,owing to the electron accumulation layer.The BV of the MT MOSFET increases from 309 V for a conventional SOI lateral double diffused metal-oxide semiconductor (LDMOS) to 632 V at the same half cell pitch of 21.5 μm,and R S,on decreases from 419 m · cm 2 to 36.6 m · cm 2.The proposed structure can also help to dramatically reduce the cell pitch at the same breakdown voltage.     

液体中激光等离子体冲击波波前传播特性研究及测试

将空气中球对称冲击波衰减波前传播公式推广到非完全中心对称情况，根据对光学阴影法对激光等离子体冲击波波前测试数据的计算分析，提出液体中点源激光等离子体冲击波旋转椭球面波前传播公式.并且用声学方法对水中和酒精中的激光等离子体冲击波波前进行实验测试，结果表明测试结果与计算公式相吻合. 关键词： 激光 等离子体冲击波 旋转椭球面     

PrNi$lt;sub$gt;2$lt;/sub$gt;的磁和磁热性能研究

在一些磁性材料内, 磁性离子间交换作用和磁性离子的自旋涨落对材料磁性有影响. 本文根据磁比热实验值确定了晶场参数后, 利用包含自旋涨落的交换作用有效场H_m= n₀ (1 + γ T + β e^{ω T})M, 计算了PrNi₂晶体晶场能级的Zeeman劈裂. 在温度为3.8 K ≤T≤ 30 K范围内, 计算了该晶体多晶磁矩随外磁场的变化, 以及外磁场H=5000 Oe时磁化率倒数随温度的变化, 计算结果和实验值符合较好. 当外磁场在0–50000 Oe时, 计算的该晶体的磁熵变与已有文献的理论结果相似. 计算结果说明, 提出的包含自旋涨落的交换作用有效场不仅适合亚铁磁性晶体, 而且也适合顺磁性晶体. 关键词： 2')" href="#">PrNi₂ 磁比热 交换作用有效场 磁矩 磁熵变     

多孔硅制备过程中B,P杂质原子的作用

采用DV-Xα方法对多孔硅形成过程中位于表层的B和P杂质原子的作用进行研究,结果表明位于顶层硅原子层中的B和P杂质原子均可削弱其邻近的Si-Si键强度,因而可能导致出现腐蚀的突破点,再通过分析杂质对表面区势场的改变,可以认为位于顶层硅原子层中的B杂质原子产生腐蚀的突破点的可能性更大。 关键词：     

浅析电子型掺杂铜氧化物超导体的退火过程

铜氧化物高温超导体的发现, 打破了基于电声子相互作用BCS理论所预言的超导转变温度极限, 掀开了高温超导材料探索和高温超导机理研究的序幕. 根据掺杂类型的不同, 铜氧化物超导材料可以分为空穴型掺杂和电子型掺杂两类. 受限于样品, 对电子型掺杂铜氧化物的研究工作远少于空穴型掺杂体系. 本文简要回顾有关电子型掺杂铜氧化物超导体近期研究成果, 通过对比电子型掺杂和空穴型掺杂铜氧化物的相图来阐明电子型掺杂铜氧化物的研究对探索高温超导机理的必要性, 并特别针对电子型掺杂样品制备中的关键因素“退火过程”展开讨论. 结合课题组最新实验结果和相关实验报道我们发现电子型掺杂铜氧化物超导体在制备过程中除受到温度和氧分压的影响外, 退火效果还受到界面应力的强烈调制. 在综合考虑样品生长过程中温度、气氛及应力等多种因素的基础上, 探讨了“保护退火”方法导致电子型体系化学掺杂相图变化的起因.     

Mn12-Ac磁性分子团簇单晶的热重-差热分析与结构转变

通过热重-差热分析(TG-DTA)，考察了Mn12-Ac磁性分子晶体从室温到270℃的热失重过程.结合x射线粉末衍射分析，认为在第一个失重阶段，即25—110℃，Mn12-Ac失去了处于团簇分子间隙的结晶乙酸和结晶水，同时失去了团簇分子中与4个Mn3+配位的4个H2O，Mn12-Ac单晶结构被破坏，但是团簇分子的基本结构依然存在；在第二个失重阶段，即180—230℃，Mn12-Ac转变为γ-Mn2O3，其中混有少量Mn3O4. 关键词： Mn12 分子团簇 热重-差热分析 x射线衍射     

多峰离子源的三维数值模拟优化与设计

本文理论计算了多峰离子源永磁体, 采用二体碰撞模型处理电子之间的库仑碰撞, 运用空碰撞方法处理电子与氢元素相关粒子碰撞, 开发了全三维粒子模拟-蒙特卡罗模拟算法, 并采用此软件对热门多峰离子源JET-60U的两种优化设计模型进行数值模拟研究, 探索了两种离子源空间分布特性和体积负氢离子产率相关问题, 提出了负氢离子源设计的基本思想: 适当调整离子源多峰磁场分布情况可以输出均匀离子束; 适当调整引出磁场大小和离子源结构, 可以达到离子束空间均匀性和高产率兼顾的效果.