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高压气体吸收光谱特性的研究是可调谐半导体激光吸收光谱技术应用于爆轰发动机等高压燃烧环境的重要基础.为了解气体吸收光谱随压力的变化规律特别是在高压下的吸收光谱特性,本文以CO2为气体介质对其在高压环境下近红外波段1.58μm处的吸收光谱进行了理论分析与试验研究,并给出一种高压气体浓度的计算方法.在1—10.13×105Pa压力环境下,对1.58μm处CO2吸收光谱进行了数值模拟,搭建了高压环境气体在线测量试验系统,对CO2在波段1578.1—1579.7 nm的吸收光谱进行了试验测量.利用线性回归拟合将试验所得光谱吸收率与模拟吸收率进行对比,对高压环境下气体浓度进行了计算.结果表明,试验所得吸收光谱与数值模拟结果相吻合,1—10.13×105Pa压力环境下利用线性拟合寻优法计算气体浓度最大误差为5.5%,平均误差2.6%. 相似文献
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Effect of Molecular Weight on Liquid Crystal Photoalignment by Photosensitive Polyester Containing Thrifluoromethyl Moieties 下载免费PDF全文
We investigate the liquid-crystal (LC) alignment direction on photoalignment films formed from photosensitive polyester containing thrifluoromethyl moieties (PPDA) with various molecular weights by crossed polarized optical microscopy. It is found that LC alignment behaviour changes with molecular weight of PPDA. The LC alignment on PPDA irradiated films with the highest molecular weight is homogeneous, while those with low and intermediate molecular weights are homeotropic. However, surface morphologies show weak dependence on molecular weight. The surfaces are smooth and there is no clear morphological anisotropy on these aligned films observed by an atomic force microscope. The surface energies of the irradiated films are also measured by using an indirect contact-angle method where both surface energy and its polar component, increase with increasing molecular weight. Different polar surface energies can be considered as a main reason for different alignment characteristics. 相似文献
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实验研究了子孔径光学检测的拼接准确度.实验选取9个子孔径进行拼接,同时利用ZYGO干涉仪来测量子孔径和整个被检面的表面面形.实验发现,测量基准子孔径和整个被检面的时间间隔对子孔径拼接准确度的评价存在严重影响.为此,重点研究了产生影响的原因并提出了消除测量基准子孔径和整个被测面时间间隙影响的方法.最后,利用该方法研究了子孔径重叠面积对拼接准确度的影响.结果显示,当重叠面积比为7%时,PV和RMS的拼接误差分别为0.03λ(λ=632.8 nm) 和 0.01λ,并且重叠面积比和拼接准确度呈近似线性关系. 相似文献
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介绍了超级电容的结构原理与电路模型,以及超级电容在托卡马克装置实验中的应用。综合分析了大功率离子源弧放电电源的供电特性以及HL-2A 装置1MW 中性束注入系统的弧电源供电电路拓扑。提出了一种基于超级电容储能的5MW 中性束注入离子源弧放电电源供电方案,它能减小所需的电网容量,具有更小的体积和更高的效率、控制简单、响应速度快等特点。提出了采用恒压控制方式的基于超级电容供电的5MW 中性束注入离子源灯丝电源方案,分析了该方案的可行性和技术优势。为均衡用许多超级电容串并联组合储能时单体超级电容的电压,提出了一种可靠、高效的电压均衡电路。 相似文献
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39.
40.
Degradation and recovery properties of AlGaN/GaN high-electron mobility transistors under direct current reverse step voltage stress 下载免费PDF全文
Direct current (DC) reverse step voltage stress is applied on the gate of AlGaN/GaN high-electron mobility transistor (HEMT). Experiments show that parameters degenerate under stress. Large-signal parasitic source/drain resistance (RS/RD) and gate-source forward I-V characteristics are recoverable after breakdown of the device under test (DUT). Electrons trapped by both the AlGaN barrier trap and the surface state under stress lead to this phenomenon, and surface state recovery is the major reason for the recovery of device parameters. 相似文献