微纳米加工技术在纳米物理与器件研究中的应用

物质在纳米尺度下可能呈现出与体材料不同的物理特件，这正是纳米科技发展的基础之一。要想探索在纳米尺度下材料物埋性质的变化规律及可能的应用领域，离不开相应的技术手段，微纳米加工技术作为当今高技术发展的重要技术领域之一，是实现功能人工纳米结构与器件微纳米化的基础。本文根据几个不同的应用领域，介绍了微纳米加工技术在纳米物理与器件研究领域的应用。     

具非线性中立项的二阶时滞微分方程的振动性质

By using the averaging technique, we obtain new oscillation criteria for second order delay differential equation with nonlinear neutral term. These results generalize and improve some known results about neutral delay differential equation of second order.     

球上的对数Carleson测度

本文研究多复变数单位球上的Carleson测度,利用Bloch函数对有界及消没对数Carleson测度进行刻画,得到了在Bloch空间上类似于Hardy空间和Bergman空间上的Carleson定理.并推广的Cesáro算子在Bloch空间上有界和紧的等价条件.     

碳化硅压腔和高压下的中子衍射

使用宝石级碳化硅晶体作为压砧材料，成功研制出了碳化硅压腔（MAC），并应用全景式MAC进行了高压下物质的中子衍射实验研究。结果表明，MAC是一种既能产生高的压力又具有大的高压样品室的装置，特别适合于高压下的中子衍射研究。     

DBHF方法和热力学自洽性

采用Dirac Brueckner-Hartree-Fock理论方法, 计算了零温核物质中每核子的结合能、压强和单核子能量, 着重讨论了不同的T矩阵协变表示对核物质中Hugenholtz-Van Hove(HVH)定理满足程度的影响. 结果表明: 不同的协变表示对核子自能各分量的动量相关性和密度依赖性均有重要影响, 进而对核介质中HVH定理的满足程度产生重要影响. 在完全的膺矢量表示下, HVH定理遭到了相当大程度的破坏, 从而体现出基态关联效应对单核子性质的重要性, 并与非相对论BHF理论方法得到的结论一致, 因而完全的膺矢量表示要优于膺标量表示.     

Analysis of Three Coupled Defects in One-Dimensional Photonic Bandgap Structure

The mutual interaction of three different defects in photonic crystals is studied theoretically. A theoretical model based on the classical wave analogue of the tight-binding （TB） picture is applied to the structure. We obtain analytic expressions for the eigenfrequencies and eigenmodes, from which the transmissions at resonance are derived. Based on this, a new type of the photonic quantum-well structure is investigated and its possible application is discussed. The TB predictions are compared with the transfer matrix method simulation results.     

一类非线性方程解的存在和唯一性及在图像中的应用

本文我们给出一个修正的非线性扩散方程模型，与Cotte Lions和Morel的模型相比该模型有许多实质上的优点。主要的想法是把原来去噪声部分：卷积Gauss过程替代为解一个有界区域上的线性抛物方程问题，因此避开了对初始数值如何全平面延拓的问题。我们从数学上的证明该问题解的存在性和适定性，同时给出对矩形域情况的解的级数形式。最后我们给基于本模型的数值计算差分模型，并且给出几个具体图像在该模型下处理结果。     

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在四阳极直流放电装置上,测量并分析了辉光放电的电流-电压和发光特征随气压的变化关系。结果表明,采用稳流放电模式比稳压放电具有更宽的稳定放电气压和电流范围,能在从1～800Pa的较宽气压范围内实现氦气辉光放电,放电电流可达到500mA左右。随着电极表面亮斑的变化,对于同一气压,在低电流区,放电电压几乎成指数增长;随电流增大,电压的增长速度变缓;对于高的气压,碰撞频率的增大使得电压随电流升高的速率变小。分析表明,放电处于异常辉光区。从放电管的CCD图像可以看出,对于同一放电电流,随气压的升高,等离子体往阴极收缩。     

两种蓝色有机电致发光材料

重点研究以两种蓝色OEL材料蒽类衍生物JBEM和联苯乙烯衍生物DPVBi分别作基质，以perylene作掺杂剂的器件的电致发光性能，特别研究了它稳定性，在这度和效率方面，两种器件并没有很大差别，然而在稳定性方面却有很大差别，蒽类衍生物JBEM的器件在100cd/m^2初始亮度下，半亮度寿命可达1035h，而DPVBi的器件在同样条件下，半亮度寿命为255h。通过分析两种器件的能级图，认为稳定性的差别可能源于两种蓝光材料本身的热稳定性不同，JBEM优于DPVBi，是一种很有前途的蓝色发光材料。     

用图像分析限流和分压接法中滑动变阻器的选取

借助Ux-Rap图像分析得出滑动变阻器的选取原则:控制电路采用限流接法时,要求滑动变阻器的最大阻值与被测电阻的阻值接近,即接近为原则;控制电路采用分压式接法时,滑动变阻器的最大阻值应远小于被测电阻的阻值,故在分压接法中,应选择阻值较小而额定电流较大的滑动变阻器.