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991.
三氯锗丙酸及其衍生物自组装单分子膜的制备与表征 总被引:2,自引:0,他引:2
首次制备了三氯锗丙酸及其酯类衍生物(Cl3GeCH2CH2COOCnH2n+1,n=0,2,4,6)在羟基化的单晶硅片上的自组装单分子膜,并利用接触角测量、椭圆偏振和光电子能谱法进行结构表征.结果表明,这类分子的自组装行为与三氯硅烷相似,组装后在基底表面形成准二维锗烷网状排布;分子链轴有一定倾斜角;膜表面润湿性随表征液体和三氯锗丙酸尾链取代基不同而不同. 相似文献
992.
993.
994.
995.
环境中有害微量元素对人体健康的影响 总被引:28,自引:2,他引:28
徐承水 《广东微量元素科学》1999,6(10):1-3
根据近几年来微量元素研究现状,介绍了环境中五种微量元素铝、铅、汞、砷、镉的基本特性及其对人体健康的影响。 相似文献
996.
一种新型的反式-7-[4-N,N-二(β-羟基乙基胺基苯)]-3,5-二硝基乙烯基-噻吩(HBDT)单体分子及对应的预聚物和聚脲烷被合成和表征.由于噻吩环的电子去局域化能量低于苯环,在受授有机共轭化合物中噻吩环比苯环表现出更有效的共轭和更高的非线性,同时也能使目标分子保持好的光、热稳定性.该单体分子及其对应的聚脲烷在普通有机溶剂中具有良好的可溶性,聚脲烷膜具有好的热稳定性.制备了高质量的聚脲烷膜并进行了电晕极化.单体在甲醇中的紫外可见吸收峰(530nm)与对应未经电晕极化聚脲烷膜的吸收峰基本上没有改变.通过溶剂变色法及简并四波混频(DFWM)法测试了单体的二阶和三阶非线性极化率,其β 相似文献
997.
分子筛修饰电极中内电子传输机理的研究 总被引:4,自引:0,他引:4
用电化学方法聚合方法筛孔道内的苯胺,以聚苯胺分子筛修饰电极为模型研究了分子筛修饰电极的内电子传输机理,NaY分子筛的离子交换点位被苯胺修饰后,通过电聚合制得聚苯胺分子筛修饰电极(Pan^+Y-ZME),该电极通过聚苯胺链自身的电子跳跃来实现电子传输,且只有通过阴极富集后对溶液中Cd^2+才有响应,并能用于测定抗坏血酸。 相似文献
998.
聚对苯二甲酸乙二酯/蒙脱土纳米复合材料的制备和性能 总被引:51,自引:0,他引:51
讨论了聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)/层状硅酸盐(蒙脱土)纳米复合材料的制备技术和新材料的结构与性能特征.天然蒙脱土矿物经有机离子修饰剂处理后,参与PET的缩聚反应.TEM测定证实蒙脱土在PET中的层厚分布为30~50nm.蒙脱土不影响PET的分子量及其分布.利用DSC、WAXD、SALS和偏光显微镜测定了PET/蒙脱土的结晶速率和结晶形态,说明PET/蒙脱土有着很快的结晶速率,不能生成球晶结构,一般只能生成结构不完整的微晶体.PET/蒙脱土在工程塑料和工业纤维领域有潜在的应用前景 相似文献
999.
The title polymeric complex [Co(C8H4O4)(C7H6N2)2]n has been prepared and its crystal structure was determined by X-ray diffraction method. The crystal belongs to monoclinic,space group C2/c with a = 7.7865(12), b = 20.4215(18), c = 13.4880(14) (A),β = 103.298(2)°, V = 2087.3(4) (A)3, Mr = 459.32, Z = 4, Dc= 1.462 g/cm3,μ = 0.859 mm-1, F(000) = 940, R = 0.0636 and wR = 0.1639 for 1278 observed reflections (I > 2σ(Ⅰ)). The complex assumes a distorted tetrahedral coordination geometry, formed by two phthalate anions and two benzimidazoles (bzim). The phthalate anions bridge the neighboring Co(Ⅱ) atoms to form the polymeric chains. The centroid distance of 3.471(3) (A) between the parallel bzim rings of adjacent polymeric chains suggests the existence of π-π stacking. 相似文献
1000.
用量化从头算方法(HF/6-31G*)和密度泛函方法(B3LYP/6-31G*)以6-31G标准基组加一个极化函数,对Si2Br6分子的平衡几何构型和振动频率分别进行优化和计算,优化的结果与实验结果吻合得较好.按照Pulay的建议对HF/6-31G*水平上所计算的谐性力场进行标度(标度因子取0.9).用HF/6-31G*SQM力场所计算的基频预测值和实验值的平均误差为9.4cm-1,最大误差为23.6cm-1;用B3LYP/6-31G*未标度力场所计算的基频预测值和实验值的平均误差为8.6cm-1,最大误差为16.6cm-1;用该密度泛函方法所计算的基频预测值比用HF/6-31G*的标度后的SQM力场所计算的基频预测值和实验值(除Si-Si键扭转振动基频之外的11条振动基频)吻合得更好.HF/6-31G*和B3LYP/6-31G*计算给出Si-Si键扭转振动基频的预测值分别为14cm-1和9cm-1. 相似文献