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将三阶微扰理论应用于单晶GaAs半导体,结合与实际相接近的能带结构,得到了GaAs中三光子吸收系数的解析式表达式,在考虑了激发电子的逃逸过程的情况下,进而推导了负电子亲和势GaAs光电阴极中三光子光电发射的发射系数的解析表达式.两表达式得到的理论数值分别与用ns量级脉宽、2.06μm波长的激光测得的GaAs中三光子吸收系数和GaAs(Cs,O)光电阴极中三光子发射系数的实验值相比较,吻合较好. 相似文献
132.
1引言分离流动经常出现在许多实际流动中,对流体机械和飞行器产生重大影响。但由于这种流动具有方向性,变化快,给测量带来了困难。到目前为止,主要有以下三种测量方法:山激光多普勒测速治(*D川;(2)飞行热线(F坊In含*。卜w让e);O)脉冲热线技术(PulsedAVire。‘脉冲热线”比“激光多普勒测速仪”价格低一个数量级,操作简单,是一种比较理想的测量技术。其原理最初由Baner山提出,随后经过BradburyP],Eaton问,Castro*和Fernholz问等人不断发展与完善,目前国外正推广应用在分离流动的研究中。但在国内,尚不多见其… 相似文献
133.
HL—1装置等离子体密度反馈实验 总被引:1,自引:1,他引:0
本文叙述HL-1装置用反馈脉冲补充送气方式控制等离子体密度的方法及实验结果。给出了在固有的物理实验条件下的最佳反馈方式,实现了对密度的有效控制及反馈。讨论了在不同密度条件下的几种反馈方式及反馈系统尚存在的不足之处。 相似文献
134.
135.
136.
In this paper, optical limiting property in a magnetic fluid film is studied. The relationship between the emergent power and the incident power is investigated experimentally and theoretically. It is found that the limiting threshold is linear with the diaphragm aperture which accord with the theoretical prediction. The external magnetic field will affect the limiting property, and increase the limiting threshold. 相似文献
137.
徐宪民 《数学年刊A辑(中文版)》2003,(3)
Riemann曲面M上的平方可测1-形式全体和解析1-形式全体均可构成Hilbert空间。本文讨论Riemann曲面上的解析映射导出的这类Hilbert空间上的复合算子,研究复合算子的正常性、拟正常性的诱导映射特征。特别地,当M有有限三角剖分时,证明了正常复合算子、拟正常复合算子、酉复合算子、等距复合算子和可逆复合算子等价。 相似文献
138.
The main goal of this paper is to compute the Figure-eight solutions for the planar Newtonian 3-body problem with equal masses by finding the critical points of the functional associated with the motion equations of 3-body in plane R2. The algorithm adopted here is the steepest descent method, which is simple but very valid for our problem. 相似文献
139.
技术的动态发展和企业间的竞争对企业新产品策略有很大影响,直接决定新产品的引进周期。本文在产业技术动态变化的随机环境下构建随机动态规划模型,关注产业技术进步、投资成本和产品市场竞争等影响因素,探讨企业进行新产品引进的周期选择,对新产品引进的周期和质量决策进行方法设计和应用举例。利用随机动态规划模型得出新产品引进的最优时间周期,用算例分析技术进步和产品研发成本对企业引进周期策略的影响,采取策略迭代的方法进行求解,发现技术进步较快时企业的新产品引进步伐也较快,研发成本的提高使企业的新产品引入步伐降低。 相似文献
140.
用数值模拟方法研究利用辐射加热来产生均匀等离子体状态,它可被用来测量元素的辐射不透明度,校验辐射不透明度理论。研究了在辐射加热铁的“三明治”型靶时影响生成均匀等离子体状态的几个重要因素(样品厚度、CH膜厚度和辐射源)所起的作用,研究发现,当铁等离子体通过热传导达到均匀状态时,其尺度必须与此时的传热距离相当,从而定出铁样品的厚度;低Z介质CH膜对铁等离子体有明显的箍束作用,调整CH膜的厚度可以调节所产生的等离子体状态;调整不同方向上的CH膜厚度,可以控制铁等离子体的膨胀方向,使它尽可能地达到一维膨胀,使得反推出的等离子体密度可以更加准确;样品的种类、厚度以及外面的低Z介质厚度决定了在某时刻能获得的等离子体状态,以及为产生此等离子体状态所需的最低辐射能。 相似文献