全文获取类型
收费全文 | 17580篇 |
免费 | 3966篇 |
国内免费 | 7270篇 |
专业分类
化学 | 13219篇 |
晶体学 | 987篇 |
力学 | 1366篇 |
综合类 | 877篇 |
数学 | 3028篇 |
物理学 | 9339篇 |
出版年
2024年 | 51篇 |
2023年 | 151篇 |
2022年 | 621篇 |
2021年 | 605篇 |
2020年 | 593篇 |
2019年 | 557篇 |
2018年 | 534篇 |
2017年 | 788篇 |
2016年 | 568篇 |
2015年 | 895篇 |
2014年 | 1011篇 |
2013年 | 1426篇 |
2012年 | 1375篇 |
2011年 | 1496篇 |
2010年 | 1510篇 |
2009年 | 1674篇 |
2008年 | 1964篇 |
2007年 | 1698篇 |
2006年 | 1664篇 |
2005年 | 1425篇 |
2004年 | 1170篇 |
2003年 | 879篇 |
2002年 | 808篇 |
2001年 | 896篇 |
2000年 | 967篇 |
1999年 | 592篇 |
1998年 | 313篇 |
1997年 | 248篇 |
1996年 | 273篇 |
1995年 | 253篇 |
1994年 | 228篇 |
1993年 | 222篇 |
1992年 | 180篇 |
1991年 | 145篇 |
1990年 | 148篇 |
1989年 | 155篇 |
1988年 | 127篇 |
1987年 | 103篇 |
1986年 | 81篇 |
1985年 | 50篇 |
1984年 | 76篇 |
1983年 | 74篇 |
1982年 | 64篇 |
1981年 | 49篇 |
1980年 | 36篇 |
1979年 | 28篇 |
1978年 | 13篇 |
1977年 | 5篇 |
1976年 | 6篇 |
1959年 | 7篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
61.
62.
63.
64.
65.
子图识别问题(SRP)就是在一个图G中确定并寻找是否存在和另一个图H相同构的子图.本文将引入图的层分解概念,并以此为基础建立识别图的同构子图的算法.该算法的复杂性为O(n(△-1)^k-1),其中△是图G的度,即G中点的最大度,n,k分别是图G,H的阶. 相似文献
66.
关于Logistic模型的倍周期收敛现象 总被引:2,自引:0,他引:2
运用实验和归纳的方法 ,讨论了如何利用 Mathematic数学软件观察 Logistic模型的倍周期收敛现象以及对初值的依赖性 ,并从理论上解释了倍周期收敛现象 相似文献
67.
68.
采用高压密封消化罐对人发样品进行处理,将化学计量学应用于ICP-AES法测定了人头发中20种微量元素的含量。该方法操作简单、快速、灵敏度高,准确性好, 且多元素同时测定,回收率在94.07%~107.60%之间。相对标准偏差小于3.49%。通过对不同地区不同年龄1 600人头发的测定结果,探讨了营养、环境污染等因素对人体健康的影响,从而对其生存环境进行比较研究。 相似文献
69.
脉冲电场对木瓜蛋白酶影响的荧光光谱分析 总被引:2,自引:0,他引:2
木瓜蛋白酶溶液在电场强度为50 kV·cm-1,频率1 500 Hz,脉冲宽度40 μs的脉冲电场下接受19 800个脉冲处理后,其活性降低了56.5%。文章采用荧光偏光光谱对处理前后的样品进行了分析。 处理后酶样的荧光强度明显大于处理前,在峰值位置其荧光强度增加超过50%,峰位从342 nm移到了346 nm左右,其荧光偏振幅度明显减小。由此推断出木瓜蛋白酶经脉冲电场处理后酶蛋白的α-螺旋结构松散拉伸,分子内部的氨基酸残基暴露于分子表面,并有部分发生离解游离于溶液中,导致活性部位的结构发生变化,最终导致酶失活。 相似文献
70.
Ordered InAs Quantum Dots with Controllable Periods Grown on Stripe-Patterned GaAs Substrates 下载免费PDF全文
GaAs (001) substrates are patterned by electron beam lithography and wet chemical etching to control the nucleation of lnAs quantum dots (QDs). InAs dots are grown on the stripe-patterned substrates by solid source molecular beam epitaxy. A thick buffer layer is deposited on the strip pattern before the deposition of InAs. To enhance the surface diffusion length of the In atoms, InAs is deposited with low growth rate and low As pressure. The AFM images show that distinct one-dimensionally ordered InAs QDs with homogeneous size distribution are created, and the QDs preferentiMly nucleate along the trench. With the increasing amount of deposited InAs and the spacing of the trenches, a number of QDs are formed beside the trenches. The distribution of additional QDs is long-range ordered, always along the trenchs rather than across the spacing regions. 相似文献