Super-Resolution of Interference Pattern with Independent Laser Beams

We propose a scheme to achieve super-resolution of interference pattern with independent laser beams. We perform an experimental observation of a double-slit interference with two orthogonally polarized laser beams. The resolution of the interference pattern measured by a two-photon detection is doubled provided the two beams illuminate the double-slit with certain incident angles. The scheme is simple and can favour both high intensity and perfect visibility.     

甚高频等离子体增强化学气相沉积制备微晶硅太阳电池的研究

采用甚高频等离子体增强化学气相沉积技术成功地制备了不同硅烷浓度和辉光功率条件下的微晶硅电池.电池的J-V测试结果表明：在实验的硅烷浓度和功率范围内，随硅烷浓度的降低和功率的加大，对应电池的开路电压逐渐变小；硅烷浓度的不同对电池的短路电流密 度有很大的影响，但功率的影响在实验研究的范围内不是很显著.对于微晶硅电池，N层最好 是非晶硅，这是因为一方面可以降低对电流的横向收集效应，另一方面也降低了电池的漏电概率，提高了电池的填充因子. 关键词： 微晶硅太阳电池 甚高频等离子体增强化学气相沉积     

大气红外辐射传输的简便算法与MODTRAN的比较

以红外辐射的传输理论为基础,考虑高度、倾斜以及气象条件等因素,建立了大气光谱透过率、平均透过率的理论模型与计算方法。利用以此算法为基础的程序进行了模拟计算,可得到3.0～12.0μm的红外大气透过率。将此结果与MODTRAN的计算结果做了比较,在目标高度为20km的范围内,两者吻合较好。该算法简单,便于实际应用。     

负折射介质中可控自陡峭效应对孤子传输的影响

研究了具有非线性极化的负折射介质中孤子脉冲的传输特性,着重分析了在常规非线性传输模型中不曾出现的由负折射介质色散磁导率导致的可控自陡峭效应对孤子传输的影响.结果表明,与正自陡峭效应一样,负自陡峭效应同样造成孤子脉冲的非对称、中心偏移和高阶孤子衰减,但脉冲偏移的方向与正自陡峭效应情形相反.此外,利用可控自陡峭效应可以从某种程度上抵消三阶色散效应导致的孤子脉冲偏移,从而实现孤子脉冲中心的无偏移传输.     

LiNO3热物性参数及热稳定性试验研究

介绍了太阳能热发电系统中的熔融盐传热蓄热介质,验证了文中试验测量方法的正确性;在此基础上完成了工业级LiNO3盐的物性参数的测定;同时测量了经过100多个加热冷却循环后的工业级LiNO3的热物性参数,将其与工业级LiNO3新盐的物性参数进行比较,结果表明,在100多个加热冷却循环后工业级LiNO3的热物性参数变化很小,热稳定性好.     

基于自相关函数的激光散斑统计半径的测量

为了测量激光散斑的统计半径,运用统计光学理论推导了二维近场散斑光强的归一化自相关函数,并提出了通过求解散斑图像自相关拟合函数的系数来计算激光散斑统计半径的一种测量方法,利用该测量方法编制的测量软件可以方便地计算出激光散斑的统计半径.通过对尺寸已知的模拟散斑的测量,测量结果与实际尺寸相吻合,证实了该测量方法的可行性.     

基于视差自相关特征水深反演

提出了一种基于视差自相关特征模拟水深的新方法。这种方法利用不同摄站获取的同一物体的两幅图像,在水的折射影响下,造成的视觉上的偏差计算水深,可以得到相关区域三维显示中各点的水深数值。以数码相机所拍摄两张照片为例,实现相关区域水深三维显示。结果表明此算法具有一定的可行性,可以进行更深层次的研究,并应用于浅海、河流等地的资源探测开发。     

基于像散与理想光源成像原理的高亮度半导体激光器光纤耦合设计方法

运用像散原理和理想光源成像原理,讨论了半导体激光器消像散设计.提出了一种基于消像散的高亮度半导体激光器光纤耦合系统的设计方法.以波长为808 nm,输出功率为10 W的半导体激光器的光纤耦合为例,给出了详细的计算方法和设计步骤.结果表明:采用该方法将半导体激光器光束耦合入数值孔径为0.22,芯径为50 μm的光纤中,耦...     

Optimization of Metamorphic InGaAs Quantum Wells on GaAs Grown by Molecular Beam Epitaxy

We investigate the molecular beam epitaxy growth of metamorphic InxGal-xAs materials （x up to 0.5） on GaAs substrates systematically. Optimization of structure design and growth parameters is aimed at obtaining smooth surface and high optical qualdty. The optimized structures have an average surface roughness of 0.9-1.8 nm. It is also proven by PL measurements that the optical properties of high indium content （55%） InGaAs quantum wells are improved apparently by defect reduction technique and by introducing Sb as a surfactant. These provide us new ways for growing device quality metamorphic structures on GaAs substrates with long-wavelength emissions.     

湍动雾化射流液雾粒径分布的数值模拟

对水在空气中湍动雾化射流的气液两相流场进行了数值模拟.其中,气体流场采用k-ε湍流模型进行模拟,给出了载气轴向速度的分布情况.对喷雾粒子的运动采用颗粒轨道法,建立粒子破碎和碰撞的数值模型,研究了液雾粒径在不同工况下沿轴向的变化趋势.数值模拟结果与实验结果在多种气液比下进行了比较,两者吻合较好.同时,分析了初始粒径和粒子总数及喷嘴尺寸对液雾粒径变化趋势的影响,讨论了有助于粒径均匀分布的条件.