啁啾脉冲激光放大中的自相位调制效应

利用光与物质相互作用的半经典理论建立了啁啾脉冲激光放大的输运方程,数值分析了多程放大过程中自相位调制对啁啾脉冲时域特性和频域特性的影响研究结果表明,由于自相位调制引起附加频率啁啾产生,啁啾脉冲瞬时频率发生变化,放大特性受到影响.通过对增益饱和状态下自相位调制效应的研究,提出利用入射脉冲的线性频率啁啾抑制自相位调制的影响. 关键词：     

晶体压杆式压力传感器的动力传输性质

一般晶体压杆传感器的测时间隔均受压杆长度的限制。为此,我们研究了压杆的动力学性质。结果表明,要获得正确的压力波形,应设法减弱存在于压杆顶端部的径向振动和压杆尾端反射波对入射压力脉冲的干扰。本文提出波速色散压杆的设计,从而使传感器的性能改善,其最大优点在于测时间隔不受杆长的限制。     

First-Principles Study of Electronic Properties in PbS（1^-00） with Vacancy Defect

Electronic properties of both Pb and S vacancy defects in PbS（1^-00） have been studied using the first-principles density functional theory （DFT） calculations with the plane-wave pseudopotentials. It is found that the density of states （DOS） near the top of the valence band and the bottom of the conduction band is significantly modified by these defects. Our calculation indicates that in the case of S vacancy defects the Fermi energy shifts to the conduction band making it as an n-type PbS （donor）. However, in the case of Pb vacancy, because of the appreciable change of the DOS, the system acts as a p-type PbS （accepter）. In addition, the structural relaxation shows that the defect leads to outward relaxation of the nearest-neighbouring atoms and inward relaxation of the next-nearest neighbouring atoms.     

Growth of Semi-Insulating GaN Using N2 as Nucleation Layer Carrier Gas Combining with an Optimized Annealing Time

Semi-insulating （SI） GaN is grown using N2 as the nucleation layer （NL） carrier gas combined with an optimized annealing time by metalorganic chemical vapour deposition. Influence of using 1-12 and N2 as the NL carrier gas is investigated in our experiment. It is found that the sheet resistance of unintentionally doped GaN can be increased from 10^4 Ω/sq to 10^10 Ω/sq by changing the NL carrier gas from 1-12 to N2 while keeping the other growth parameters to be constant, however crystal quality and roughness of the tilm are degraded unambiguously. This situation can be improved by optimizing the NL annealing time. The high resistance of GaN grown on NL using N2 as the carrier gas is due to higher density of threading dislocations caused by the higher density of nucleation islands and small statistic diameter grain compared to the one using 1-12 as carrier gas. Annealing the NL for an optimized annealing time can decrease the density of threading dislocation and improve the tilm roughness and interface of AlGaN/GaN without degrading the sheet resistance of as-grown GaN signiticantly. High-quality SI GaN is grown after optimizing the annealing time, and AlGaN/GaN high electron mobility transistors are also prepared.     

可靠性物理动力学

本文试图从结构元件破裂的微观机理出发,用随机过程的理论方法,建立结构可靠性的微观动力学理论。文中给出了故障演化动力学方程和可靠性分析的基本几率函数,导出了结构元件的故障几率和几率密度、可靠性、故障率及平均寿命。 关键词：     

δ~2—加速的Broyden计算格式

应用 δ2 —加速技巧 ,对 Broyden的计算格式作了修正 .提出了一种新的修正的计算格式 ,给出了计算的步骤及数值例子 .     

新催化动力学光度法测定微量铁的研究--棓花青-O2指示反应体系

在 p H 7.0的磷酸盐缓冲体系中 ,微量铁 ( )能显著催化溶解氧氧化木立口 花青褪色。研究了该指示反应的催化动力学行为 ,建立了测定微量铁的新催化动力学分析法 ,方法线性测定范围 0 .0 5～ 0 .6μg· m L- 1 ,检出限为 0 .0 1 μg· m L- 1 。本法选择性和重现性好 ,反应体系简单易于控制。用其测定了自来水、人发及面粉等样品中的铁 ,结果满意。     

具有可选服务的M/M/l排队模型的豫解集

运用线性算子及其共轭算子的谱之间的关系,研究具有可选服务的M/M/1排队模型主算子的豫解集,并得到在虚轴上除了零外其它所有点都属于该算子的豫解集.     

关于软玻密子的结构

本文修改了Landshoff-Nachtmann的软玻密子(Pomeron P)场论模型.从强子组分夸克具有结构的观点出发,根据高能强作用软过程中的最大非微扰强作用反应假定,提出了有关软P新的结构图像.对撞强子中的一对组分夸克被分解为裸夸克和一系列非微扰胶子(和夸克对).与此相应,软P的结构是由胶子形成的一系列切割梯形图之和所代表.在系统能量s很大而动量转移|t|很小的多重雷吉(Regge)运动学区间,并在保留lns的领头阶近似下,计算了这组切割梯形图之和所对应的散射振幅和总截面.它们的表达式出现了对s的Regge型幂次因子,得出了软P轨迹的简洁表达式.简单说明了按本文提出的方案可以讨论那些相关的强作用过程.     

七元瓜环对2'-羟基查尔酮溶解性、稳定性及抗氧化活性的影响

利用~1H NMR、紫外吸收光谱和荧光光谱等方法考察了七元瓜环(Q[7])对2'-羟基查尔酮(CET)的包结作用.结果表明,Q[7]与CET形成了摩尔比为1∶1的包结配合物,紫外吸收光谱和荧光光谱测得的结合稳定常数分别为1.0248×10~6和1.253×10~6.相溶解度法研究结果表明,当Q[7]的浓度为1×10~(-3)mol/L时,可使CET在水中的溶解度增加52倍.紫外吸收光谱随时间变化的研究结果表明,Q[7]使CET的稳定性增加3.5倍.采用体外抗氧化活性测定(ABTS法)考察了Q[7]对CET抗氧化活性的影响,发现CET@Q[7]包结配合物以及游离CET均对ABTS自由基有较好的清除作用.IC50值分别为3.4×10~(-5)和2.4×10~(-5)mol/L,表明Q[7]不仅能增加CET的溶解性和稳定性,同时对CET抗氧化活性的影响不大.