高能Pb-Pb中心碰撞中产生的(A)和(A)强子的横质量分布和快度分布

用多源理想气体模型和三火球模型分析并计算了能量在40,80,158 AGeV下中心Pb-Pb碰撞中所产生的(A)和(A)强子的横质量分布和快度分布,发现模型计算的结果与NA49合作组的实验结果相一致.     

用于超低温环境的轻质反射镜制造技术

以椭圆形平面反射镜实例为研究对象,介绍了轻质反射镜材料的选择以及反射镜在真空超低温环境中的应用。分析了各种轻量化孔的特点,设计了一种反射镜结构;在吊带支撑方式下,建立整体结构的有限元模型,对由于镜体自重及超低温环境引起的镜面变形进行了有限元分析。由数控系统在图形方式下控制实际轻量化加工,加工后的反射镜轻量化率达到33％;采用化学方法消除加工过程中产生的应力与微小裂纹;运用环形抛光机结合局部修磨进行光学抛光加工,抛光后面形精度达到0．022A（均方根,λ=633nm）;在实验室进行小范围温度拉偏实验,实验结果表明,面形精度变化量为0．03nm。     

环境友好半导体Mg2Si薄膜的研究进展

介绍了近年来Mg2Si薄膜的研究进展。从Mg2Si材料的晶体结构出发,重点对Mg2Si薄膜的基本性质、制备方法和应用前景进行了论述。研究表明,Mg2Si是一种窄带隙间接半导体材料,在光电和热电领域都具有较好的应用价值,因其兼具了组成元素地层含量丰富、无毒、无污染等优点,被视为是一种新型的环境友好半导体材料。在Mg2Si薄膜的外延生长技术方面,目前比较成熟的方法有分子束外延、脉冲激光沉积、反应扩散等多种,但普遍存在制备条件较苛刻,成膜质量不高等缺点。最后,对目前存在的问题及未来的研究动向做了简要讨论。     

Simulation of growing GaN in vertical HVPE reactor

The paper reports the setting up of a model of fluid dynamic for GaN HVPE system and the simulation. It is found that when the direction of gravity is opposite to the direction of GaCl flow inlet,there exits a distance at which the uniformity of the deposition is optimal. Here the good uniformity of the deposition is obtained when the distance between the substrate and GaCl inlet is 5 cm. The parameters of gas flow used in growing GaN are also optimized. In addition, the influence of gravity and buoyancy on...     

Induced electric fields and plasmonic interactions between a metallic nanotube and a thin metallic film

We have numerically simulated the induced electric fields and the plasmonic interactions of a metallic nanotube near a thin metallic film. Our study shows that the energies and intensities of the plasmon resonances depend strongly on the aspect ratio (the ratio of the inner to outer radius) of the nanotube as well as the separation between the center of the nanotube and the upper surface of the metallic film and the thickness of the film. The enhancement of the induced electric field of this system reaches ...     

基于FPGA的半导体激光器温度控制系统设计

介绍了半导体激光器的温度控制原理,设计了基于FPGA的半导体激光器温度控制系统。系统采用数字温度传感器DS18820作为温度测量器件,TEC作为控温执行元件,并采用模糊控制算法、PWM机制来控制TEC的驱动电流从而实现温控。基于QuartusⅡ开发平台采用Verilog HDL设计了软件部分,最后进行了功能仿真。整个系统对硬件要求不高,实现简单。从仿真结果可以看出,控制系统能够满足半导体激光器温度控制的精度和稳定度的要求。     

新型含苯并磷杂环戊二烯结构荧光分子的合成及性能

以三苯胺、咔唑为电子给体, 苯并磷杂环戊二烯氧化物为电子受体, 设计合成了一类新颖的D-A-D 型荧光分子, 其结构经¹H NMR, ¹³C NMR, ³¹P NMR, IR和MS确认。通过紫外可见吸收光谱和荧光光谱系统研究了不同给体和受体单元对荧光分子的紫外吸收、液体荧光、固体荧光、溶致变色及聚集诱导发光等光物理性能的影响。结果表明：合成的三种分子具有良好的液体和固体荧光性能;化合物TBN-EPIO具有显著的溶致变色效应, 在四氢呋喃-水二元溶剂体系中, 具有聚集诱导发光(AIE)效应。此外, 利用密度泛函理论计算了分子的几何构型及前线分子轨道电子云。      

稳态燃烧室进气过程的大涡模拟

为精确描述燃烧室进气过程中的流场动态特性,本文应用大涡模拟模型对燃烧室稳态进气过程进行三维瞬态数值模拟研究,着重考察了三种不同亚网格模型(SGS)的性能,这三种SGS模型是:代数Smagorinsky模型、动态Smagorinsky模型和单方程动态动能输运模型(LDKEM)。计算结果表明LEDKEM模型和动态Smagorinsky模型均能较好地反映流场的瞬变性和随机性,前者性能最佳;而代数Smagorinsky模型精度较差,且不能模拟流场的微结构。     

A New Approach to Measurement of Heating Rate of Trapped Ions

We propose a new scheme to estimate the heating rate of trapped ions in thermal states. By applying a controlled-U gate between the internal and the motional states of one of the trapped ions, we could obtain the mean phonon number from the population of the internal state of the ion. The imperfection due to fluctuations of the relevant parameters in real experiments is considered and we anaiyze the experimental feasibility of our scheme with sophisticated ion trap techniques.