TBAB包络化合物浆的管内流动再层流化现象

TBAB包络化合物浆是一种新型高密度潜热输送材料,在中央空调或区域供冷等系统中作为替代常规冷水的冷量输送媒体具有显著的节能应用前景.采用实验方法研究了A型TBAB包络化合物浆在水平直管内的层流和湍流流动特性.通过分析流动阻力随流速和固相含量等参数的变化规律,发现固相含量的增加有利于维持流动的层流趋势,在定流速条件下随着固相含量的增加流动状态会由湍流转变为层流,即出现"再层流化"现象,并且由于再层流化现象的出现,包络化合物浆的流动会出现"阻力降低区".     

低钾血症对颅脑创伤患者预后的影响

目的 探讨低钾血症在颅脑创伤患者中的发病情况及其与预后的关系。方法 2010 年6月至2013 年6 月共有168 例住院期间出现低钾血症且年龄≥18 岁的颅脑创伤患者纳入研究。依据低钾血症严重程度的不同,将患者分成轻度组（3.00mmol/L≤血钾＜3.50mmol/L）、中度组（2.50mmol/L≤血钾＜3.00mmol/L）和重度组（血钾＜2.50mmol/L）,各组均采用患者血钾的最低值进行数据分析。高钠血症和低磷血症分别被定义为血钠＞147.00mmol/L 和血磷＜0.80mmol/L。结果 受试患者的血钾在1.10~3.40mmol/L,平均2.90mmol/L。当血钾出现最低值时,与其余两组比较,重度组患者具有更高的血钠和更低的血磷水平（均P＜0.01）。与轻度组（10.5%）或中度组（25.7%）相比,重度组患者的病死率（82.1%）显著上升（均P＜0.01）。多变量逻辑回归分析结果显示,低格拉斯哥昏迷评分（OR=1.28,95%CI=1.12~1.42,P＜0.01）、低血钾（OR=5.57,95%CI=2.76~10.93,P＜0.01）、低血磷（OR=2.76,95%CI=1.11~7.25,P＜0.01）以及高血尿素氮（OR=1.16,95%CI=1.07~1.24,P＜0.01）是导致患者死亡的独立危险因素。结论 颅脑创伤患者是出现低钾血症的高危人群,重度低钾血症的患者更容易合并高钠血症和低磷血症。重度低钾血症和低磷血症是颅脑创伤患者死亡的独立危险因素。     

重度子痫前期产妇剖宫产布比卡因蛛网膜下腔阻滞麻醉适合剂量的临床研究

目的 探讨重度子痫前期产妇剖宫产重比重布比卡因蛛网膜下腔阻滞麻醉（腰麻）的适合剂量。方法 选取200例重度子痫前期产妇,ASAⅠ级或Ⅱ级,按随机数字表法分为4组,每组各50 例,相应各组鞘内注入布比卡因剂量分别为10、8、6 及4mg,并混合2.5μg 舒芬太尼。选择L3~4行腰硬联合穿刺,注药10min 后记录麻醉平面。根据结果进行Probit 回归分析,计算布比卡因腰麻的ED50和ED95。观察各组利多卡因及去氧肾上腺素的用量、肌松效果及患者麻醉满意度,观察各组术中并发症以及新生儿的Apgar 评分和脐动脉pH。结果 重度子痫前期患者腰麻剖宫产布比卡因ED50 和ED95分别为：6.51（95%CI：5.81～7.01）和8.68（95%CI：7.96～10.26）。4 组患者10min 后麻醉平面的差异均有统计学意义（均P＜0.05）。4mg 组利多卡因用量高于其他3组,差异有统计学意义（P＜0.05）。8mg 组、10mg 组去氧肾上腺素的用量高于其他两组,差异均有统计学意义（均P＜0.05）。低血压的发生率8mg 组、10mg 组高于其他两组,差异均有统计学意义（均P＜0.05）。４ 组间其他不良反应恶心、呕吐、寒战以及心动过缓发生率的差异无统计学意义（P＞0.05）。4 组胎儿娩出后1、5min Apgar 评分及脐动脉血气分析的结果差异均无统计学意义（均P＞0.05）。结论 重度子痫前期产妇剖宫产鞘内注入6mg 布比卡因混合2.5μg舒芬太尼,必要时辅以硬膜外麻醉,麻醉效果确切,血流动力学稳定,适合该类患者手术麻醉。     

富锂层状正极材料Li2Mn1-xTixO3的合成及电化学性能

应用简单的高温固相烧结法合成了Ti掺杂改性的Li₂MnO₃材料。电子扫描显微镜、X射线衍射以及X射线光电子能谱分析表明Ti元素取代Mn离子掺入到Li₂MnO₃晶格中,且掺杂能有效地抑制一次颗粒的团聚。电化学阻抗和恒流充放电测试结果表明,在2.0~4.6 V的电压窗口下,掺杂改性的样品Li₂Mn_0.9Ti_0.03O₃的首圈放电比容量达到209 mAh·g^-1,库仑效率为99.5%,循环40圈后容量保持率为94%;当电流密度增大到400 mA·g^-1时,掺杂改性的样品仍然可以放出120 mAh·g^-1比容量,远高于同等电流密度下未掺杂的Li₂MnO₃原粉的比容量（52 mAh·g^-1）。Ti掺杂可有效地改善Li₂MnO₃的循环稳定性和倍率性能,有利于促进该材料的商业化应用。     

基于自由基配体的Dy(Ⅲ)配合物的设计、合成、结构及磁性

以氮氧自由基为配体,合成了2例未见文献报道的氮氧自由基-稀土配合物[Dy（hfac）₃（NIT-C₃H₅）（H₂O）]与[Dy（hfac）₃（NIT-C₃H₅）]_n（hfac=六氟乙酰丙酮,NIT-C₃H₅=2-环丙烷基-4,4,5,5-四甲基-2-咪唑啉-3-氧化-1-氧基自由基）。单晶结构分析表明配合物1为单核结构,单斜晶系P2₁/c空间群;配合物2为一维结构,单斜晶系P2₁/c空间群。交流磁化率测试结果表明配合物2虚部表现出频率依赖,这表明配合物2是单链磁体。     

富氮掺杂碳空心纳米笼协同钴镍硫化物提升超级电容器性能

采用简单的热解-硫化两步法成功制备了一种新型的富氮掺杂碳空心纳米笼(NC)负载双元金属硫化物纳米颗粒(CoNi_xS_y)的复合材料 CoNi_xS_y/NC。该策略以丁二酮肟镍为镍源,增加了活性位点,同时前驱体 ZIF-8@Ni-ZIF-67的核壳结构为空心碳纳米笼的构建提供了可能性。这种独特的负载多金属硫化物纳米颗粒的中空结构使CoNi_xS_y/NC作为电极材料时具有更多的活性位点、更高的导电性和结构稳定性,从而使其具有较高的比容量(1 A·g^-1时比容量为629.2 F·g^-1),优异的循环稳定性(1 A·g^-1下1 000次循环测试后容量保持率为93.4%)。当将其进一步组装成对称超级电容器后,在1 A·g^-1下可提供207.2 F·g^-1的比电容,1 000圈循环稳定后的容量保持率为85.36%。     

Hydrothermal synthesis method of 5-(4'-methylbiphenyl-2-yl)-1H-tetrazole

A clean and safe synthesis method of 5-(4’-methylbiphenyl-2-yl)-1H-tetrazole was found:under hydrothermal conditions,1.2 equiv.of 4’-methylbiphenyl-2-carbonitrile react with 1 equiv.of sodium azide in a mixed solvent of propane-1,2-diol/H2O,with 1.5 equiv.of ammonium chloride and 0.2 equiv.of ammonium fluoride as catalyst.After simple post-processing,the yield can be improved to 95%,and the purity of the product is 99%without further recrystallization.     

对甲酚修饰的超高交联树脂的合成及对4-硝基苯胺的吸附性能

氯球和对甲基酚发生Friedel-Crafts反应制备对甲基酚修饰的超高交联树脂(简记为GQ-03),研究GQ-03树脂对4-硝基苯胺(PNA)的吸附性能。实验结果表明:GQ-03树脂的比表面积高达1154.45m2/g,树脂孔径分布在微孔(0～2nm)、中孔(2～50nm)区;GQ-03树脂对PNA的吸附性能优于商业NDA-88、NDA-99、NDA-150、XAD-4和H103树脂;当溶液pH值在3.1～8.0之间,GQ-03树脂对PNA的吸附量最大;GQ-03树脂对PNA的吸附量随温度的升高而降低,树脂对PNA的吸附等温线符合Freundlich模型;GQ-03树脂对PNA的饱和吸附量为154.41mg/mL,树脂可用8.8BV 80%乙醇和1mol/L HCl混合溶液解吸,解吸率为98.82%。     

硫属化合物半导体热电材料的电热输运协同调控

热电材料作为一种新型的清洁能源材料,能够直接实现热能和电能之间相互转换,有望为提高能源的利用率、缓解环境污染问题提供一种综合协调的选择,因此在能源危机越来越严重的21世纪,热电材料的研究引起了各国研究者的广泛兴趣。然而,电热输运的协同调制一直是一个历史性的难题。硫属化合物半导体作为最重要的一类热电材料,近年来其电热输运性质的协同调控受到了广泛的关注。本文综述了硫属化合物半导体热电材料在电热输运协同调控方面所取得的最新研究进展,分析了其电热输运协同调控及热电性能优化的内在物理机制,并展望这些新的调控策略在热电材料发展的应用前景。     

硅表面分子刷图案化及生长DNA纳米管

结合“自上而下”和“自下而上”技术构建微纳米器件是目前纳米科学和技术领域追逐的目标之一。本文首先采用硅氢化反应在硅表面共价偶联引发聚合的活性基团,接着实施表面原子转移自由基聚合（ATRP）反应形成高分子刷poly（PEGMA）,采用“自上而下”的光刻技术在硅表面制备功能化的图案,最后利用“自下而上”的DNA自组装技术在图案部分原位生长DNA纳米管。上述组装过程通过多次透射反射红外光谱、凝胶电泳、透射电镜和扫描电镜进行了检测,证实了硅芯片表面定位生长DNA纳米管的可行性。