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以Du Pont公司的商用Teflon FEP A型薄膜为例,通过热脉冲技术、等温表面电位衰减测量和开路热刺激放电电流谱分析等实验结果,讨论了经常温和高温电晕充电后样品厚度对薄膜驻极体的沉积电荷密度、薄膜驻极体的内电场、体电导率以及电荷储存稳定性的影响.通过热脉冲技术组合电导率温度曲线的测量,研究了在不同温度条件下样品厚度对沉积电荷层的平均电荷重心移动的影响.结果表明:在充电参数一定的条件下,随着膜厚的降低,储存电荷密度上升,但电荷稳定性有所下降.因此,合理地调控薄膜厚度,可以有效地优化驻极体的电荷储存能
关键词:
厚度
驻极体
电荷储存能力
电荷稳定性 相似文献
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本文采用直流磁控溅射方法在(100)取向的LaAlO3基片上制备了系列多层膜: La0.67Ca0.33MnO3-δ/La0.67Sr0.33MnO3-δ/La0.67Ca0.33MnO3-δ (LC/LS/LC).并采用标准四探针方法对所制备样品的阻温关系进行了测量. 结果表明:在零场下,当上下两层厚度一定时,随着中间层(LS)厚度增加,多层膜的电阻率减小,金属-绝缘体转变温度(TM-I)向高温方向移动.在中间层(LS)厚度保持一定时,随着上下两层(LC)厚度增加,其电阻率和金属-绝缘体转变温度(TM-I)出现同样的变化规律.基于双交换理论,我们对以上结果给出了尝试性解释. 相似文献
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多孔硅/多孔氧化铝与PVK复合光致发光特性 总被引:1,自引:1,他引:1
用旋涂法实现了多孔硅、多孔氧化铝与聚乙烯咔唑(PVK)的复合,研究了多孔硅/PVK、多孔氧化铝/PVK复合体系的光致发光性能。PL谱的测试发现,多孔硅/PVK复合体系的PL谱同时具有多孔硅和PVK的发射峰。此外,在485nm的位置出现了一个新峰,讨论了这个峰的来源。而多孔氧化铝与PVK复合后,没有产生新的峰。但多孔氧化铝与PVK复合后,由于多孔氧化铝纳米孔的纳米限制效应使PVK的发光峰出现大幅度蓝移。从多孔硅与多孔氧化铝发光机制的不同出发,讨论了多孔硅、多孔氧化铝与PVK复合后产生不同结果的原因。 相似文献
75.
In this paper, the generate coordinator method (GCM) is applied to study the effect of multipole vibration on M1 transition of 1+ states in 208Pb. The calculation shows that coupling between 3- collective state and (1p1h) gives much more effect than the coupling effect of 2+ state with (1p1h). 相似文献
76.
77.
针对一阶区间摄动有限元法在声场参数不确定程度增大时误差过大的缺陷,在二阶Taylor展开的基础上推导了声学二阶区间摄动有限元法,并将其应用于区间不确定声场的声压响应分析。该方法先对声学区间有限元方程的声压响应向量进行二阶Taylor展开,获取声压响应的二阶近似响应向量;再根据二次函数极值定理获得声压响应向量的上下界。二维管道声场与轿车声腔模型的数值分析算例表明,与一阶区间摄动有限元法相比,二阶区间摄动有限元法有效提高了计算精度。因此二阶区间摄动有限元适合不确定度更大的区间不确定声场声压响应分析,具有良好的工程应用前景。 相似文献
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选择藏族地区常用的四种藏药成方制剂安置精华散、当佐、仁青常觉和七十味珍珠丸作为研究对象,通过优化消化条件和测定条件,探索建立其铅、砷含量测定的湿法消化与流动注射氢化物发生-原子吸收光谱(FI-HAAS)联用分析方法,并对其铅砷含量进行精确测定。在优化的工作条件下,铅和砷的检出限分别为:0.067和0.012 μg·mL-1;定量限分别为:0.22和0.041 μg·mL-1;线性范围分别为:25~1 600 ng·mL-1(r=0.999 5),12.5~800 ng·mL-1(r=0.999 4);精密度(RSD)分别为:2.0%和3.2%;加标回收率范围分别为:98.00%~99.98%和96.67%~99.87%。四种藏药成方制剂的铅、砷含量测定结果如下,安置精华散中铅砷含量分别为:0.63~0.67和0.32~0.33 μg·g-1;当佐为:42.92~43.36和24.67~25.87 μg·g-1;仁青常觉为:1 611.39~1 631.36和926.76~956.52 μg·g-1;七十味珍珠丸为:1 102.28~1 119.27和509.96~516.87 μg·g-1。本研究建立了藏药成方制剂中铅、砷检测方法,并测定了四种藏药成方制剂中铅、砷含量,为其在临床安全有效使用提供了参考依据。 相似文献