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991.
通过分子动力学方法模拟了Cu-Al合金液相,然后模拟降温过程得到Cu-Al非晶合金.通过计算机编程建立了Cu-Al-M非晶基体、Cu-Al-M非晶表面及吸附O原子Cu-Al-M非晶表面原子结构模型.利用实空间连分数方法,研究了添加微量合金元素Zr,Nb,Ta,V,Y,Sc对Cu基大块非晶合金的腐蚀行为的影响机理.研究发现合金元素Zr,Nb,Ta,V,Sc不向清洁Cu基非晶表面偏聚,但除Y外向有氧吸附的表面偏聚,说明有氧吸附后Cu基非晶表面偏聚发生逆转.键级积分计算表明Zr,Nb,Ta,V,Y,Sc元素均增大与氧之间的结合力,易形成氧化膜,提高Cu基大块非晶的耐蚀性.稀土Y提高Cu基大块非晶的耐蚀性可能是由于它向合金与氧化膜界面偏聚并提高了合金与氧化膜的结合力. 相似文献
992.
采用基于密度泛函理论(DFT)的第一性原理平面波超软赝势方法,计算了Nb元素掺杂对B2构型NiTi金属间化合物电子结构的影响.点缺陷生成能的计算结果表明,Nb原子掺杂后,NiTi中产生Ni原子和Ti原子空位和反位点缺陷所需要的能量均明显升高;态密度计算结果表明,Nb原子掺杂后与临近原子发生了明显的s-s, p-p和d-d电子相互作用,增加了与临近原子之间的电荷密度,有利于Nb与合金原子的成键.这些由Nb掺杂所导致的NiTi电子结构和键合特征的变化均有利于促进Nb与合金原子的相互作用,在一定程
关键词:
NiTi金属间化合物
点缺陷
电子结构
第一性原理计算 相似文献
993.
重点研究了组分的梯度构形对带壳球形颗粒复合介质的光学双稳特性的影响.其中球形颗粒是由非线性核和介电函数具有梯度分布的线性壳组成.对于壳层介电函数具有幂指数分布的情况,通过求解麦克斯韦方程,得到各区域的势能分布函数,从而求得核内电场的数学表达式.数值研究发现,该复合介质的光学双稳阈值和区域与壳层的厚度及壳层的介电幂指数有关,随着壳层厚度增大或幂指数增大,双稳阈值将变宽.此外,还研究了正入射情况下复合材料体系的反射系数随外电场的变化情况, 发现其关系曲线是一条回线.
关键词:
梯度颗粒
复合介质
光学双稳 相似文献
994.
995.
Effects of Ⅴ/Ⅲ ratio on species diffusion anisotropy inthe MOCVD growth of non-polar a-plane GaN films 下载免费PDF全文
Non-polar a-plane (110) GaN films have been grown on r-plane (102) sapphire substrates by metal organic chemical vapour deposition. The influences of Ⅴ/Ⅲ ratio on the species diffusion anisotropy of a-plane GaN films were investigated by scanning electron microscopy, cathodoluminescence and high-resolution x-ray diffraction measurements. The anisotropy of a-plane GaN films may result from the different migration length of adatoms along two in-plane directions. Ⅴ/Ⅲ ratio has an effect on the growth rates of different facets and crystal quality. The stripe feature morphology was obviously observed in the film with a high V/III ratio because of the slow growth rate along the [100] direction. When the Ⅴ/Ⅲ ratio increased from 1000 to 6000, the in-plane crystal quality anisotropy was decreased due to the weakened predominance in migration length of gallium adatoms. 相似文献
996.
Influence of AlN buffer layer thickness on structural properties of GaN epilayer grown on Si (111) substrate with AlGaN interlayer 下载免费PDF全文
We present the growth of GaN epilayer on Si (111)
substrate with a single AlGaN interlayer sandwiched between the GaN
epilayer and AlN buffer layer by using the metalorganic chemical
vapour deposition. The influence of the AlN buffer layer thickness
on structural properties of the GaN epilayer has been investigated
by scanning electron microscopy, atomic force microscopy, optical
microscopy and high-resolution x-ray diffraction. It is found that
an AlN buffer layer with the appropriate thickness plays an important
role in increasing compressive strain and improving crystal quality
during the growth of AlGaN interlayer, which can introduce a more
compressive strain into the subsequent grown GaN layer, and
reduce the crack density and threading dislocation density in GaN
film. 相似文献
997.
采用分子动力学方法和原子嵌入模型势模拟了大尺寸金(n=1136--1556)、银(n=1088--1724)、铜(n=1000--1600)、铂(n=1004--1800)原子纳米团簇的熔化过程,得出了相应纳米团簇的势能随温度的变化曲线以及热容量随温度的变化曲线,研究了各种原子纳米团簇熔点与其团簇尺寸的关系。模拟结果表明团簇的熔点随团簇尺寸增大而升高,并逐渐向大块晶体靠拢。所有纳米团簇在熔化过程中在熔点附近都出现负热容现象,通过对团簇熔化前后结构的比较研,分析了导致这种现象的原因。 相似文献
998.
Coherent control of negative refraction based on local-field enhancement and dynamically induced chirality 下载免费PDF全文
This paper studies the electromagnetic response of a coherently driven dense atomic ensemble to a weak probe.It finds that negative refraction with little absorption may be achieved in the presence of local-field enhanced interaction and dynamically induced chirality.The complex refractive index governing the probe refraction and absorption depends critically on the atomic density,the steady population distribution,the coherence dephasings,and the frequency detunings,and is also sensitive to the phase of the driving field because the photonic transition paths form a close loop.Thus,it can periodically tune the refractive index at a fixed frequency from negative to positive values and vice versa just by modulating the driving phase.Moreover,the optimal negative refraction is found to be near the probe magnetic resonance,which then requires the electric fields of the probe and the drive being on two-photon resonance due to the dipole synchronisation. 相似文献
999.
1000.
Co-occurrence of Dominant Direct and Indirect Transitions in Low Temperature Sputtered Indium Tin Oxide Thin Films on Polymers 下载免费PDF全文
Indium tin oxide (ITO) layers are prepared on polymethylmethacrylate and polyethylene terephthalate by rf- magnetron sputtering at room temperature. Their 3D-AFM images and visible transmittance spectra are contrastively characterized and studied. An interesting morphological effect of the polymer substrates on their top ITO layers is observed. Dominant direct and indirect transition types deduced from optical spectra are surprisingly found in ITO films on different polymers. Furthermore, qualitative band structures are figured, and some theoretical discussions about the correlation of optical band structure, interface/surface morphology and carrier density are also presented. 相似文献