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J. W. Tomm H. Schmidt L. Werner K. H. Herrmann 《Crystal Research and Technology》1990,25(9):1069-1078
Material and structural parameters of narrow-gap p-type HgCdTe are investigated by infrared photoluminescence. The method is used for analyzing the energy gap, the carrier lifetime, and heterointerfaces and to monitor defects like inclusions. The spatial distribution of the quantities mentioned has been investigated by applying the mapping technique known for III – V semiconductors. The methods is a powerful tool for both crystal growth and device manufacturing. 相似文献
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Werner Baltes 《Nachrichten aus der Chemie》1981,29(6):361-361
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