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122.
Fabrication, morphology and structural characterization of ordered single-crystal Ag nanowires 总被引:1,自引:0,他引:1
J. Zhang X. Wang X. Peng L. Zhang 《Applied Physics A: Materials Science & Processing》2002,75(4):485-488
Highly aligned Ag nanowires have been synthesized by dc electrodeposition within a hexagonal close-packed nanochannel anodic
aluminum oxide template. The pore diameter varies from 20 nm to 50 nm depending on the anodization voltage and temperature
for the two types of aqueous solutions, sulphuric and oxalic acids, respectively. The size and morphology of the Ag nanowire
arrays were measured by scanning electron microscopy and transmission electron microscopy. The images indicate that the highly
aligned Ag nanowires grow in the uniform nanochannels of the anodic alumina template and that the size of the nanowires depends
on the size of the nanochannels. X-ray diffraction, selected area electron diffraction pattern and high-resolution transmission
electron microscopy images show that the Ag nanowires are single-crystal. The temperature coefficient of resistivity (temperature
range from 4.2 K to 300 K) of the Ag nanowire arrays decreases with decreasing diameter of the nanowires.
Received: 5 November 2001 / Revised version: 12 March 2002 / Published online: 6 June 2002 相似文献
123.
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125.
基于双向搜索方法的最小值控制递归平均语音增强算法 总被引:4,自引:0,他引:4
语音增强效果的提高,有赖于对噪声的准确估计和对噪声变化的及时跟踪与更新。为了提高对非平稳噪声的估计和更新能力,本文基于\ 相似文献
126.
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F. Yang Z. Wang Y. Zhou F. Li J. Xu Y. Xu X. Cheng Y. Lu Y. Bo Q. Peng D. Cui X. Zhang X. Wang Y. Zhu Z. Xu 《Applied physics. B, Lasers and optics》2009,96(2-3):415-422
We have presented theoretical and experimental investigations of nanosecond (ns) deep-ultraviolet (DUV) 177.3 nm radiation by means of second harmonic generation (SHG) from a frequency-tripled Nd:YAG laser (355 nm, 49 ns and 10 kHz) in KBe2BO3F2 (KBBF) nonlinear crystal for the first time. A DUV KBBF-SHG numerical model, accounting for linear absorption, pump depletion, beam spatial birefringent walk-off and diffraction, is performed in the Gaussian approximation of spatial and temporal profiles. In the experiment, a maximum average output power of 14.1 mW at 177.3 nm was obtained. The dependence of 177.3 nm output power on the 355 nm pump power was simulated. The calculated results are in good agreement with the measured data. We used the model further to investigate the optical conversion efficiency, pulse width, beam spatial intensity profile and beam quality factor of the generated 177.3 nm light, in particular the effect of beam birefringent walk-off. 相似文献
129.
Based on the concept of adiabatic invariant, the perturbation to Lie-Mei symmetry and adiabatic invariants for Birkhoffian systems are studied. The definition of the perturbation to Lie-Mei symmetry for the system is presented, and the criterion of the perturbation to Lie-Mei symmetry is given. Meanwhile, the Hojman adiabatic invariants and the Mei adiabatic invariants for the perturbed system are obtained. 相似文献
130.
基于最低未被占据分子轨道(LUMO)和最高被占据分子轨道(HOMO)的高斯态密度分布与载流子在允许量子态中的费米-狄拉克(Fermi-Dirac)分布,提出有机半导体中物理掺杂的理论模型;研究了掺杂浓度、温度和禁带宽度对载流子浓度的影响,并与一些报道的实验结果做了比较.研究发现无论是否掺杂,温度升高时,有机半导体中的载流子浓度都会增大,并且随温度倒数的线性减小而指数增大;对于本征有机半导体,载流子浓度随禁带宽度的增大而指数下降,随高斯分布宽度的平方指数增加;对杂质和主体不同能级关系的掺杂情形下掺杂浓度对载
关键词:
有机半导体
掺杂
高斯态密度
载流子浓度 相似文献