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181.
InAs/GaAs submonolayer quantum-dot superluminescent diodes with active multimode interferometer configuration 总被引:1,自引:0,他引:1 下载免费PDF全文
With a chirped InAs/GaAs SML-QD (quantum dot) structure serving as the active region, the superluminescent diodes emitting at wavelength of around 970nm are fabricated. By using an active multimode interferometer configuration, these devices exhibit high continue-wave output powers from the narrow ridge waveguides. At continue-wave injection current of 800mA, an output power of 18.5mW, and the single Gaussian-like emission spectrum centered at 972nm with a full width at half maximum of 18nm are obtained. 相似文献
182.
饱和铁芯型超导限流器SCFCL(Saturated Core Superconducting Fault Current Limiter)是一种较为理想的高电压限流器,利用其技术特点可以实现无时限的明显限流作用,有着广泛的运用前景。距离保护能够很好的满足高电压复杂网络快速、精确切除故障的要求,其主要元件阻抗继电器是现阶段普遍应用的高性能继保装置。SCFCL在高压输电网络的接入会对距离保护产生很大影响,运用PSCAD搭建500kV输电线路模型,详细分析限流器接入前后不同短路故障类型及故障距离对线路距离保护的影响。 相似文献
183.
184.
有机半导体多层薄膜器件的性质很大程度上由有机-有机界面的传输性质所决定,但是现有的关于有机-有机界面的分析模型很难适用于实际器件的模拟.以Miller-Abrahams跳跃传导理论为基础,充分考虑有机-有机界面和金属-有机界面性质的不同,建立了一个新的描述有机-有机异质界面电荷传输的解析模型.结果表明有机异质界面的载流子传输不仅取决于界面的肖特基势垒,而且还取决于界面附近两边的电场强度和载流子浓度.此模型可用于有机半导体多层薄膜器件的电流密度、电场分布和载流子浓度分布的自洽计算.
关键词:
有机半导体
界面
载流子传输 相似文献
185.
依据SMM-601型超导量子干涉显微镜检测部分构建计算模型,采用电磁场有限元方法分析了残余应力引起的非磁性金属材料铍电导率变化对超导量子干涉仪(SQUID)检测信号的影响,并讨论了该方法实际应用于非磁性金属材料残余应力检测的条件和可能性。 相似文献
186.
HT-7U装置极向场电源变流系统的研制 总被引:1,自引:0,他引:1
介绍了HT-7U极向场电源中所使用的变流系统,提出了一种新的四象限运行控制方法,解决了极向场电源设计和制造的难点。实现了15kA的有环流运行。 相似文献
187.
We report on a compact and highly efficient diode-end-pumped TEM00 Nd:YVO4 slab laser with an output power of 103 W and beam quality M2 < or = 1.5. The optical-to-optical efficiency was 41.5%. In electro-optically Q-switched operation, 83 W of average power at a pulse-repetition rate of 50 kHz with a pulse length of 11.3 ns was obtained. At a pulse-repetition rate of 10 kHz, 5.6 mJ of pulse energy, and 870 kW of peak power were measured. 相似文献
188.
Y.Z. Peng W.D. Song C.W. An J.J. Qiu J.F. Chong B.C. Lim M.H. Hong T. Liew T.C. Chong 《Applied Physics A: Materials Science & Processing》2005,81(3):565-568
Diluted magnetic semiconductor Co-doped ZnO film has been synthesized by a dual beam pulsed laser deposition method. The magnetic, electrical, and optical properties of the Zn0.985Co0.015O0.67 film are studied in this paper. The film shows ferromagnetic behavior with a coercivity of about 300 Oe at room temperature, and semiconductor behavior with carrier concentration of 2.2×1018 cm-3, and a resistivity of 102 mcm. Structural investigations indicated that the film has similar lattice constants to that of ZnO. It is shown that the film exhibits excellent optical properties with a band gap energy of 3.31 eV, which is close to that of ZnO. The origins of the magnetism are also discussed. PACS 81.15.Fg; 75.50 Pp; 61.72.Vv 相似文献
189.
A sensitive method to determine the optic axis azimuth of the birefringence element is presented, which is based on laser feedback. The phase difference between the two intensities in birefringence feedback changes with the angle between the optic axis of the birefringence element and laser original polarization. The phase difference is highly sensitive to the relative position of the optic axis and the laser original polarization. This method is used to highly precisely determine the optic axis azimuth, and is able to distinguish between the fast axis and the slow axis of the birefringence element. Theoretical analysis and experimental results are both demonstrated. 相似文献
190.
提出了一种MVDR(最小方差无失真响应)的改进算法,用以解决常规MVDR算法由于阵形时变而出现的性能下降问题。在获得时变阵形估计数据的基础上,该算法以统计时段内的平均阵形为基准阵形,在每个扫描方向上根据实际阵形和基准阵形的差异对阵列互谱矩阵多样本进行相位补偿,从而实现统计时段内的互谱矩阵多样本相干累加和目标检测。数值仿真与海上实验数据处理结果表明:与传统MVDR算法相比,改进算法有效缓解了时变阵形下的目标测向角度模糊问题,可提高拖线阵目标左右舷分辨性能、增强弱目标检测能力。 相似文献