溃坝问题的间断有限元方法

本文研究90年代初提出的Runge-Kutta间断Galerkin有限元方法，给出该方法的精度分析，通过经典算例验证该方法处理间断问题、捕捉锐利波形的能力，并将其推广到求解浅水问题．针对坝底无摩擦，无坡度的理想情形进行讨论，给出方溃坝和圆溃坝问题的数值模拟结果．     

Crystal Structure of Adduct 2-Phenyl-imidazo [ 4,5-f ] 1,10-phenanthroline Methanol

The structure of the title adduct comprises a phenanthroline derivative 2-phenyl-imidazo[4,5-f]1,10-phenanthroline and a methanol.The composition of the crystalline adduct was characterized as C19H12N4.CH3OH.It belongs to orthorhombic system,space group Pna21 with a=1.3693(4)nm,b=2.2988(7)nm,c=0.51338(15)nm,V=1.6160(8)nm^3.Z=4,and final R1=0.0423.wR2=0.1012 .Crystal structure shows that all the 19 carbon atoms and 4 nitrogen atoms are coplanar.The bond length data indicated that a very extensive conjugation system was formed.This conjugation makes the compound being a potentially excellent energy transformer used for luminescent materials.     

免疫珠技术快速检测腹泻性大肠杆菌

采用表面光滑玻璃珠作为载体材料，用1：40的腹泻性大肠杆菌诊断血清进行包被。可制成免疫珠。这种免疫珠能与腹泻性大肠杆菌发生特异性结合。经乳糖蛋白胨培养液培养，然后根据其产酸产气进行判断。能在18h内完成腹泻性大肠杆菌的检测。其灵敏度为样液中含有腹泻性大肠杆菌数必须大于10CFu／mL．该法简单、快速、易操作、灵敏度高。     

线性电压扫描下1VIIS器件瞬态的简单模型

本文用准平衡模型分析讨论了线性电压扫描下MIS器件的I/V瞬态.文中除了给出一般的处理方法以外，还给出了几种不同电压扫描率下I/Y特性的计算结果，并与已往的模型作了比较.     

一类Marcinkiewicz积分交换子的端点估计

本文得到Ω满足Dini型条件时,Marcinkiewicz积分交换子μΩ,b(f)的端点估计:|{x∈R~n:μΩ,b(f)(x)＞λ}|≤c‖b‖BMO∫_(R~n)(|f(x)|)/λ(1+log+(|f(x)|)/λ)dx．     

A multifractal decomposition according to rate of returns

For one‐dimensional simple symmetric random walk, the Hausdorff and packing dimensions of sets of sample paths with prescribed rate of returns to the origin are determined. This gives a multifractal decomposition of the underlying sample space. (© 2007 WILEY‐VCH Verlag GmbH & Co. KGaA, Weinheim)     

对数似然比与整值随机变量序列的一类强律

本文引进对数似然比作为整值随机变量序列相对于服从几何分布的独立随机变量序列的偏差的一种度量,并通过限制对数似然比给出了样本空间的一个子集.在此子集上得到了一类用不等式表示的强律,其中包含整值随机变量序列与相对熵密度及几何分布的熵函数有关的若干极限性质.     

腔靶等离子体辐射温度空间分布测量

本文描述了用膜吸收法测量激光等离子体辐射温度空间分布的原理和方法给出了柱形缝靶轴向辐射温度随空间位置变化的特征,对测量结果进行了分析讨论。     

多孔硅制备过程中B,P杂质原子的作用

采用DV-Xα方法对多孔硅形成过程中位于表层的B和P杂质原子的作用进行研究,结果表明位于顶层硅原子层中的B和P杂质原子均可削弱其邻近的Si-Si键强度,因而可能导致出现腐蚀的突破点,再通过分析杂质对表面区势场的改变,可以认为位于顶层硅原子层中的B杂质原子产生腐蚀的突破点的可能性更大。 关键词：