全文获取类型
收费全文 | 105339篇 |
免费 | 18096篇 |
国内免费 | 10089篇 |
专业分类
化学 | 71231篇 |
晶体学 | 1218篇 |
力学 | 6920篇 |
综合类 | 533篇 |
数学 | 11909篇 |
物理学 | 41713篇 |
出版年
2024年 | 369篇 |
2023年 | 2133篇 |
2022年 | 3645篇 |
2021年 | 3874篇 |
2020年 | 4248篇 |
2019年 | 4138篇 |
2018年 | 3552篇 |
2017年 | 3286篇 |
2016年 | 5183篇 |
2015年 | 4946篇 |
2014年 | 6021篇 |
2013年 | 7779篇 |
2012年 | 9425篇 |
2011年 | 9756篇 |
2010年 | 6441篇 |
2009年 | 6155篇 |
2008年 | 6532篇 |
2007年 | 5996篇 |
2006年 | 5477篇 |
2005年 | 4593篇 |
2004年 | 3399篇 |
2003年 | 2667篇 |
2002年 | 2414篇 |
2001年 | 1979篇 |
2000年 | 1763篇 |
1999年 | 2071篇 |
1998年 | 1846篇 |
1997年 | 1720篇 |
1996年 | 1888篇 |
1995年 | 1502篇 |
1994年 | 1460篇 |
1993年 | 1165篇 |
1992年 | 1069篇 |
1991年 | 985篇 |
1990年 | 791篇 |
1989年 | 563篇 |
1988年 | 464篇 |
1987年 | 382篇 |
1986年 | 374篇 |
1985年 | 319篇 |
1984年 | 242篇 |
1983年 | 154篇 |
1982年 | 142篇 |
1981年 | 106篇 |
1980年 | 76篇 |
1979年 | 44篇 |
1978年 | 34篇 |
1976年 | 36篇 |
1975年 | 33篇 |
1974年 | 45篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 0 毫秒
111.
112.
非线性光纤方向耦合器孤子动力特性分析 总被引:2,自引:0,他引:2
利用变分方法,导出了双曲正割型光孤子在非线性光纤耦合器中传输时满足的动力学方程组,分析了该方程组的平衡点性态,讨论了光孤子的开关特性.指出参数|β|<2π.是能实现完全的开关操作的必要条件. 相似文献
113.
Addition of functionalized zinc-copper reagents to the title complexes proceeds in a highly diastereoselective fashion to afford dienol complexes. The relative configurations of adducts 3d were determined by single X-ray diffraction analysis. 相似文献
114.
A short regio- and stereoselective synthesis of two carbocyclic 3′-deoxynucleoside analogues is described, the key step of which consists in the photosensitized addition of MeOH to a cyclopent-2-enone derivative. As in both cases functional groups capable to react with each other are present in the same molecule, the synthetic compounds can form polymers similar to oligonucleotides. 相似文献
115.
针对VO2薄膜在微测辐射热计上的应用,采用射频反应溅射法,在室温下制备氧化钒薄膜;研究了氧分压对薄膜沉积速率、电学性质及成分的影响.通过调节氧分压,先获得成分接近VO2的非晶化薄膜,再在400℃空气中氧化退火,便可制得高电阻温度系数,低电阻率的VO2薄膜,电阻温度系数约为-4%/℃,薄膜方块电阻为R□为100—300kΩ;薄膜在室温下沉积,400℃下退火的制备方法与微机电加工(micro electromechanic
关键词:
二氧化钒
电阻温度系数
氧分压
射频反应溅射法 相似文献
116.
设计合成了用以检测过渡金属离子的荧光化学敏感器体系,它们是由1,8-萘二酰亚胺为荧光团,多胺衍生物为金属离子受体组成.在室温下对其光物理性质的研究中发现,在没有加入过渡金属离子时,由于体系内存在有效的光诱导电子转移过程使得荧光团的荧光被淬灭.加入过渡金属离子后,金属离子受体中的氮原子和过渡金属离子之间的配位作用阻断了光诱导电子转移过程,体系的荧光增强.不同的金属离子受体表现出了和过渡金属离子不同的配位识别能力,并且通过荧光的变化传递出受体-金属离子作用的信息. 相似文献
117.
TGA, DTA and DSC analyses indicate that benzotriazole is significantly more stable thermally than 1,2,3-triazole. 相似文献
118.
Surface texturing has been recognized as an effective means to improve the tribological performances of sliding surfaces. Usually, generation additional hydrodynamic pressure to increase the load carrying capacity is regarded as the most significant effect of surface texture. In the case of silicon carbide sliding against identical material in water, the experimental results indicate that surface texture is also helpful to improve the running-in progress to smooth the contact surfaces, showing another reason to result in low friction. Based on the consideration of enhancing the generation of hydrodynamic pressure and improving running-in progress, a surface texture pattern, which was combined with large (circle, 350 μm in diameter) and small (rectangular, 40 μm in length) dimples, was designed to maximize the texture effect on the load carrying capacity of SiC surfaces sliding in water. The friction coefficient of such textured surface was evaluated and compared with that of untextured and those only with large or small dimples only. The friction reduction mechanisms of the patterns with different dimples in size are discussed. 相似文献
119.
120.
Jian Shen Huizhong Zeng Zhihong Wang Shengbo Lu Huidong Huang Jingsong Liu 《Applied Surface Science》2006,252(22):8018-8021
Polycrystalline Pb(Zr0.55Ti0.45)O3 thin film was deposited on Pt/Ti/SiO2/Si(1 0 0) by radio-frequency-magnetron sputtering method, and the writing of charge bits on the surface of PZT thin film was studied by Kelvin probe force microscopy. It is found that the surface potential of the negative charge bits are higher than those of the corresponding positive ones. When ferroelectric polarization switching occurs, the potential difference becomes even more remarkable. A qualitative model was proposed to explain the origin of the asymmetric charge writing. It is demonstrated that the internal field in the interface layer, which is near the ferroelectric/electrode interface in ferroelectric film, is likely to be the cause for the occurrence of this phenomenon. 相似文献