首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   226篇
  免费   2篇
化学   88篇
晶体学   9篇
力学   11篇
数学   51篇
物理学   69篇
  2019年   2篇
  2014年   2篇
  2013年   10篇
  2012年   8篇
  2011年   4篇
  2010年   3篇
  2009年   3篇
  2008年   4篇
  2007年   5篇
  2006年   4篇
  2005年   6篇
  2004年   4篇
  2003年   5篇
  2002年   2篇
  2001年   7篇
  2000年   3篇
  1999年   4篇
  1998年   4篇
  1997年   3篇
  1996年   5篇
  1994年   2篇
  1993年   10篇
  1992年   11篇
  1991年   6篇
  1990年   1篇
  1989年   1篇
  1988年   2篇
  1987年   2篇
  1986年   7篇
  1985年   3篇
  1984年   5篇
  1983年   5篇
  1982年   5篇
  1981年   6篇
  1980年   3篇
  1979年   5篇
  1978年   6篇
  1977年   5篇
  1976年   4篇
  1975年   6篇
  1974年   8篇
  1973年   15篇
  1972年   5篇
  1971年   4篇
  1970年   2篇
  1969年   3篇
  1968年   1篇
  1966年   1篇
  1907年   1篇
  1890年   1篇
排序方式: 共有228条查询结果,搜索用时 15 毫秒
201.
202.

Background  

5HT1A agonists have previously been shown to promote recovery in animal models of stroke using ex vivo outcome measures which have raised the hopes for a potential clinical implementation. The purpose of this study was to evaluate the potential neuroprotective properties of a novel 5HT1A agonist DU123015 in 2 different models of transient focal ischaemic stroke of varying severities using both in vivo neuroimaging and behavioural techniques as primary outcome measures. For these studies, the NMDA receptor antagonist MK-801 was also utilized as a positive control to further assess the effectiveness of the stroke models and techniques used.  相似文献   
203.
204.
Material optimisation for AlGaN/GaN HFET applications   总被引:1,自引:0,他引:1  
An optimisation of some growth parameters for the epitaxy of AlGaN–GaN based heterostructure field effect transistors (HFET) at low pressure in a new 3 * 2″ MOVPE reactor is presented. Some possible processes for the growth of semi-insulating buffers have been identified and are described. TEM analysis shows that the insulating character is not due to a high density of dislocations, whereas SIMS analysis shows that classical impurity (Si, O and C) concentrations are in the same range as in conductive undoped layers. Further studies are needed to identify the traps responsible for the compensation of the GaN layers. The properties of the two-dimensional electron gas (2DEG) located at the AlGaN–GaN interface can be tuned by modifying the characteristics of the AlGaN layer and of the insulating buffer. The best mobility (1500 cm2 V−1 s−1 for n6×1012 cm−2) is obtained when using a thick buffer layer, whereas the sheet carrier density is found to increase with the Al content in the undoped supply layer and reaches 1.1×1013 cm−2 for a composition of 24%.  相似文献   
205.
Geurst's equations are used to predict the speed of disturbance wave propagation in a mixture containing a compressible dispersed phase. Results are obtained for the case when there is no relative velocity ahead of the disturbance and are compared with Karplus' data for air-water mixtures. The changes in density, void fraction and the velocities of each phase across the wave are predicted.  相似文献   
206.
207.
208.
209.
210.
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号