19F+27Al耗散反应中双核系统的转动与形变

测量了¹⁹F+²⁷Al耗散反应产物B,C,N,O,F和Ne的激发函数,入射束流的能量从110.25MeV到118.75MeV, 能量步长为250keV. 从产物的 能量自关联函数中提取了反应中所形成的中间双核系统的转动惯量, 与相粘模型计算的刚体转动惯量相比较, 结果表明形成的双核系统有大的形变.     

覆盖广义Rough集中的隶属关系

对覆盖广义Rough集中的隶属关系、隶属函数进行了定义，并利用隶属函数定义了集合的Rough包含与Rough相等，得到一些与Pawlak的Rough集不同的性质。     

元回归模型中最大值点的BRPA估计的收敛速度

BRPA估计是Changchien (1990)提出的一种具有良好性质的回归函数最大值点的估计, Chen, Huang and Huang (1996), Bai and Huang (1999), 吴and王(2000)和Bai, Chen and Wu (2003)分别讨论了BRPA的极限性质\bd 本篇文章中, 我们在很一般的条件下研究了$x$为多维向量时BRPA估计的收敛速度, 推广了Bai, Chen and Wu (2003)的结果     

Two New Eremophilenolides from Ligularia muliensis

Many Ligularia species have long been used as traditional folk medicine for theirantibiotic, antiphlogistic and antitussive activities1, and were found to be an importantsource of eremophilane. In the course of our search for bioactive sesquiterpenoids, w…     

多元线性回归法在互联网网间结算中的应用

本文建立一个理论模型研究互联网互联结算的问题。文章利用多元线性回归法对互联网骨干网运营商(IBPs:Internet Backbone Providers)的网络价值进行评估,利用IBPs各自的网络价值对其交换速率进行加权,从而得出网络价值加权速率,依据这个速率进行结算既可以反映了每个网络对互联的贡献程度,又反映了在互联中对网络资源的被占用程度。     

加权微分建模的初步研究

加权建模是必要的,微分建模是重要的,把二者结合起来,进行加权微分建模既必要也重要.给出了常用模型的微分建模结果,讨论了加权建模中的计算和权重选择问题,探讨了加权微分建模的思路和方法,并结合典型数据验证了该方法的有效性和稳定性.象加权建模一样,加权微分建模的精度、实用价值等,是和权重确定得合理与否紧密相联;应先进行模拟,以与近期实际值或典型样本相差最小的参数所对应的模型为准.     

孤立分散在SiO2基质中的半导体InSb纳米颗粒界面效应的MS-XANES研究

利用MS-XANES计算研究了嵌入在SiO₂介质中的InSb纳米颗粒的界面效应, 结果显示Sb K-XANES实验谱在白线峰强度增大和白线峰向高能一侧展宽这两个特点的起因是: 1. SiO₂介质透过界面处强的Sb-O共价键间接地影响和改变了InSb团簇中Sb原子内部的势分布; 2. 通过InSb纳米颗粒界面处存在着强的Sb-O共价键使得Sb原子的5p电子被耗尽来提高InSb纳米颗粒Sb原子的5p的空穴数. 这两方面共同决定了InSb纳米颗粒的Sb K-XANES实验谱在白线峰 强度的增大. 此外, 由于纳米颗粒的界面效应, 仅仅把白线峰的强度增大归因于吸收原子电荷转移带来的空穴数增加, 并依此通过白线峰的强度计算吸收原子的空穴数是不合理的.     

具有消息恢复的数字签名方案的一个注记

对具有消息恢复的数字签名方案提出了两种攻击方法.此外,对原方案进行了改进,通过对改进方案的安全性分析得出结论:改进方案比原方案更安全,并且消息恢复过程只需要计算一次大数模幂乘和两次单向函数.     

S[a,b]类中边界Nevanlinna-Pick插值(Ⅱ)

继续作者最近的研究,用所谓的Hankel向量方法建立S[a,b]函数类中带边界插值数据的Nevanlinna-Pick插值问题与[a,b]上的某种带约束条件的Hausdorff矩量问题之间解集之间明确的一一对应关系.通过N[a,b]函数类与S[a,b]函数类之间的联系,从而由BNP(N[a,b])问题的可解性准则和解的参数化描述获得BNP(S[a,b)问题的可解性准则和解的参数化表示.     

稀土配合物Eu(asprin)_3phen发光特性的研究

将稀土配合物Eu(asprin)_3phen掺杂到导电聚合物PVK中,制成结构分别为ITO/PVK:RE配合物/LiF/AI(1),ITO/PVK:RE配合物/PBD/LiF/AI(2)的电致发光(EL)器件。发现二者的电致发光谱存在着较大的差别:在器件(1)中,来自Eu~(3 )的位于594nm(~5D_0→~7F_1)和614nm(~5D_0→~7F_2)处的发光强度大致相当,而在器件(2)中,EL主要来自Eu~(3 )位于614nm的发光,594nm处的发光很弱,与薄膜状态下的光致发光谱(PL)一致。并针对此现象进行了初步讨论。