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GAO Jing ZHOU Xiaohua CHEN Xun Chongqing University Chemical Engineering Department Chongqing China 《Chinese Journal of Reactive Polymers》2006,(2)
1. INTRODUCTION In the process of coking plant, about 30%~35% sulfur is transformed to H2S and some other sulfide, which form impurity in coal gas together with NH3 and HCN. Only 0.1% H2S containing in air can lead to die, so it is very important to carry on desulphurization and decyanation with coal gas [1~3]. Currently desulphurization and decyanation craft technique have Dry Oxidation Technology, Wet Oxidation Technology and Liquid Absorption Technology [2] three main kinds. The… 相似文献
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A new unified electroweak model is proposed in this paper. In this unified electroweak model, Higgsmechanism is not used, so no Higgs particle exists in the model. In order to keep the masses of intermediate gaugebosons non-zero, two sets of gauge fields will be introduced. In order to introduce symmetry breaking and to help tointroduce the masses of all fields, a vacuum potential is needed. Except for those terms concerning Higgs particle, thefundamental dynamical properties of this model are similar to those of the standard model. And in a proper limit, thismodel will approximately return to the standard model. The purpose of this paper is not to say that the Higgs particledoes not exist in Nature, it is only to prove that, without a Higgs particle, we can also set up a unified electroweak modelwhich is consistent with present experiments. 相似文献
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空心阴极灯激发的微波等离子体炬原子/离子荧光光谱研究--钙的原子/离子荧光光谱 总被引:2,自引:0,他引:2
用强短脉冲供电技术的空心阴极灯作激发源、微波等离子体炬作原子/离子化器,建立了原子/离子荧光光谱实验装置。详细研究了微波等离子体功率、观察高度、空心阴极灯电流等因素对原子/离子荧光信号强度的影响,测量了系统对Ca的原子/离子荧光光谱的检出限。 相似文献
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基于LabVIEW的高温超导材料特性测试实验 总被引:4,自引:1,他引:3
高温超导体临界特性的测量是近代物理实验中最为经典的实验之一,本文通过使用GM制冷机,利用Lab-VIEW虚拟仪器软件和高性能采集卡,改进了传统的测量高温超导材料临界特性的实验装置.本测试系统不仅可以测量高温超导体在不同温度下的临界电流,还可以测量其失超传播特性.该实验对于学生了解超导体特性和培养严谨的科学作风十分有益. 相似文献
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Bo Jin Xi Wang Jing Chen Feng Zhang Xinli Cheng Zhijun Chen 《Applied Surface Science》2006,252(16):5627-5631
The oxidation of SiGe film epitaxial grown on top of SOI wafers has been studied. These SiGe/SOI samples were oxidized at 700, 900, 1100 °C. Germanium atoms were rejected from SiGe film to SOI layer. A new Si1−xGex (x is minimal) layer formed at SiGe/Si interface. As the germanium atoms diffused, the new Si1−xGex (x is minimal) layer moved to Si/SiO2 interface. Propagation of threading dislocation in SiGe film to SOI substrate was hindered by the new SiGe/Si interface. Strain in SOI substrate transferred from SiGe film was released through dislocation nucleation and propagation inner. The relaxation of SiGe film could be described as: strain relaxed through strain equalization and transfer process between SiGe film and SOI substrates. Raman spectroscopy was used to characterize the strain of SiGe film. Microstructure of SiGe/SOI was observed by transmission electron microscope (TEM). 相似文献
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