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1.
以Zn(NO3)2· 6H2O和C6H12N4为原材料,采用二步水热法在碳纤维布上合成了形貌尺寸均匀的ZnO超细纳米线阵列。用 X 射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)对其晶体结构和形貌进行了表征,利用恒流充放电测试等手段对其进行电化学性能测试。测试结果表明,材料表现出优异的电化学性能。在200 mA/g的电流密度下循环150次后,ZnO超细纳米线阵列仍然约有730 mAh/g的充放电比容量,库伦效率保持在95%以上。在1 200 mA/g的大倍率条件下,材料的充放电比容量依旧可达481 mAh/g左右,表现出十分良好的循环稳定性和可逆性能,是一种较为理想的锂离子电池负极复合材料。 相似文献
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3.
LI Guang-Sheng YANG Li-Ming DAI Zheng-Yu LIU Xiang-An ZHANG Lan-Kuan WEN Shu-Xian WU Xiao-Guang YUAN Guan-Jun WENG Pei-Kun LI Sheng-Gang ZHU Sheng-Jiang YANG Chun-Xiang 《中国物理C(英文版)》2002,26(8):809-813
Lifetimes of the excited states in light rare-earth nucleus 130Ce have been measured using heavy ion reaction 116Sn(16O,2n)130Ce at beam energy of 73MeV through analyzing the Doppler-broadened line shapes. The reduced transition probabilities B(E2) are extracted from these measurements. The experimental results show that the previously reported anomalously high B(E2) value has not been observed in the present work. The transition quadrupole moment for the yrast band varies with spin and corresponds to a triaxial deformation with γ≈7°. 相似文献
4.
煤气化中NO_x及其前驱物释放规律研究 总被引:1,自引:0,他引:1
采用U型管反应系统,研究了氧浓度、气流速率和气化温度对神木煤气化过程中NO_x及其前驱物的释放规律.研究发现:气化时生成的HCN和NH_3总量比热解时大幅下降,表明O_2的引入抑制了H自由基的可获得性.随着氧浓度的增加,NO的收率先减后增,而NO_2收率几乎没有变化.氧浓度较低时,生成的高浓度CO阻止了挥发分氮向NO的转化.气流速率对含氮气相产物释放影响各不相同.低温气化产物以NO_2和HCN为主,NO_2主要来自进样期挥发分的缓慢氧化,而高温气化产物中的NH_3的生成主要来源于焦炭氮. 相似文献
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6.
翁卫军 《宁波大学学报(理工版)》2013,(1):117-121
近代海相沉积型海域是我国沿海典型地质条件, 由于其构造独特和力学特性复杂, 在建造大桥时必须采取针对性的措施. 因此从跨海大桥施工的测控技术、桥墩桩基和栈桥寿命维护等方面出发, 探讨沉积型海域跨海大桥施工的关键技术, 并在平潭海峡大桥施工中得到了实际应用. 相似文献
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8.
基于SERS与PCA-SLR实现乙基对氧磷定量检测 总被引:1,自引:0,他引:1
利用表面增强拉曼光谱(SERS),结合主成分分析(PCA)与分段线性回归(SLR)算法实现乙基对氧磷的定量检测。首先采集820~1 630 cm-1乙基对氧磷溶液SERS,并对820~1 630 cm-1(全范围)与845~875 cm-1(特征范围)光谱分别进行标准正态变换(SNV)、多元散射校正(MSC)、一阶导数绝对值、二阶导数等预处理;然后经PCA降维后利用SLR建立乙基对氧磷溶液浓度预测模型。通过对比不同模型的预测准确度,发现特征范围光谱采用MSC预处理后所建立的模型为最优,总体预测均方误差值(RMSEP)为0.33,满足乙基对氧磷定量检测的需要。 相似文献
9.
10.
The influence of dopants in ZnO films on defects is investigated by slow positron annihilation technique. The results show S that parameters meet SAl>Sun>SAg for Al-doped ZnO films, undoped and Ag-doped ZnO films. Zinc vacancies are found in all ZnO films with different dopants. According to S parameter and the same defect type, it can be induced that the zinc vacancy concentration is the highest in the Al-doped ZnO film, and it is the least in the Ag-doped ZnO film. When Al atoms are doped in the ZnO films grown on silicon substrates, Zn vacancies increase as compared to the undoped and Ag-doped ZnO films. The dopant concentration could determine the position of Fermi level in materials, while defect formation energy of zinc vacancy strongly depends on the position of Fermi level, so its concentration varies with dopant element and dopant concentration. 相似文献