同轴双无衍射光的理论与实验

提出同轴双无衍射光的概念。如果两束汇聚角略有不同的同轴无衍射光同时存在，则它们相互之间叠加干涉后产生一种纵向呈周期变化的光场结构，这是一种新的光束空间分布，这种光束在横向仍是一种同心环光斑，可用于精密对准。而在不同纵向位置，这些同心环的强度分布是不同的，且是周期性变化的。同轴双无衍射光的轴向周期性可用于沿光束传播方向的定位。文中提出了双环缝法、分段圆锥透镜法、正弦相位环光栅法等实现同轴双无衍射光的理论与实验方法，分析了同轴双无衍射光的横向与纵向传播的衍射光斑特性，理论计算与实验测量的结果基本相符合。     

新型AFM探针的制备及应用

采用熔拉 -腐蚀复合方法 ,将普通单模石英光纤制成直锥形光纤探针。利用自制工具将探针打弯 ,制成悬臂式光纤探针 ,在AFM上取得了较理想的测试结果。将自制光纤探针和商用硅材料探针获得的两种扫描图像进行了对比 ,分析了悬臂式光纤探针的特点     

高温高密度Z-pinch等离子体自适应式平面丝阵负载制备技术研究

 在Z-pinch实验中，加速器两电极间距会因抽真空而发生改变从而导致平面丝阵负载的丝分布发生变化，为了解决这个问题，采用弹簧预压缩的方法，制备出了平面丝阵负载，经实验室模拟检测和物理实验的实际应用证明，平面丝阵负载不但能适应电极方向呈任何方向放置的靶室，还能自动适应靶室电极间距因抽真空而发生的变化。在实验过程中丝阵可以保持绷紧的状态，满足了物理实验的要求。     

独立不同分布随机变盆序列的部分和的增量有多小

关于独立同分布随机变量部分和的增量有多小问题，目前已有了著名的结果.本文通过与独立同分布情形时完全不同的途径，讨论了独立不同分布情形时相应的问题.在矩母函数存在的条件下，获得了与同分布情形相近的结论.     

应变Si1-xGex层中p型杂质电离常温和低温特性

本文采用解析的方法计算了应变Si1-xGex层中p型杂质电离度与Ge组分x、温度T以及掺杂浓度N的关系.发现常温时,在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度的先变小,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加先变大,而后几乎不变;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.低温下,轻掺杂时,载流子低温冻析效应较为明显,杂质的电离度普遍较小,当掺杂浓度大于Mott转换点时,载流子冻析效应不再明显,电离率迅速上升到1.在同一Ge组分下,随着掺杂浓度的升高,杂质的电离度先变小,后变大,而后又迅速上升到1.在同一掺杂浓度下,轻掺杂时,杂质的电离度随Ge组分的增加变大;重掺杂时,杂质电离能变为0后,杂质电离度为1.     

探讨Abel积分零点的一个定理

本文研究了具有中心环域的可积多项式系统,探讨此系统在用多项式进行微扰的情况下,其所对应的Abel积分的零点个数的计算方法,给出了一个较为实用的定理,并举出了若干个应用的例子．     

热等离子体裂解天然气制备C2烃

采用氮气热等离子体来裂解天然气制备乙炔乙烯,着重研究了天然气转化率和乙炔、乙烯收率随氮气流量和天然气流量的变化.结果表明,天然气流量与氮气流量之比为11时,可得到较好的结果.当等离子体功率为15kW、天然气流量为3Nm3*h-1、氮气流量为3Nm3*h-1时得到最好的结果.这时天然气转化率为57%,乙炔、乙烯的收率分别为34%和9%;乙炔在反应气中的体积浓度为7.5%,与部分氧化法相似;扣除不参加反应的氮气,乙炔在气相产品中的体积浓度为13.2%,与热力学平衡计算结果基本符合.     

表面细分技术在二维声辐射和声散射中的应用

把表面细分技术应用于求解边界积分方程，既能把CAD模型直接用于边界元分析，又能精确描述复杂的边界几何形状，实现网格自动加密和形函数自动升阶，满足误差要求。把它应用于简单的二维声辐射和声散射，结果表明对提高边界元方法的计算精度是有效的。