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211.
实验确定了自行研制的L波段三维电子自旋共振成像(3D-ESRI)系统的检测灵敏度及成像分辨率指标. 用Tempo水溶液模型测量灵敏度结果表明: 样品体积为10 mm, 高30 mm,测量浓度1×10-4 mol/L水溶液的信噪比为S/N=4∶1;加梯度磁场后,样品浓度需>5×10-4 mol/L,样品体积为19 mm, 高30 mm时,获得的投影谱的信噪比可满足图像重建的需要. 用DPPH固体样品确定的成像分辨率结果<1 mm. 文中还对ESRI系统的
各项总体性能做了归纳总结.  相似文献   
212.
爆炸焊接参数的计算机辅助设计   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
 根据爆炸焊接理论,综合分析了相关爆炸焊接参数的计算方法,利用Visual C++语言编制了爆炸焊接参数计算机辅助设计程序,该程序采用菜单和视图形式对输入、输出命令结果进行操作,方便直观。与有关实验结果的对比表明,计算所给出的焊接窗口及最佳焊接参数具有很高的准确度。爆炸焊接CAD方法对于减少实验次数,摆脱经验设计方法,选择最佳焊接参数将是非常有用的工具。  相似文献   
213.
陈晓波  蔡青  王策 《物理学报》2004,53(12):4382-4386
报道了Pr(0.5):ZBLAN玻璃在双频双光束光源激发下的激发态上转换现象.发现上转换发射谱的荧光与常规荧光发射谱的荧光一致,还发现双频激发下的上转换激发谱有3个明显的谱峰,它们依此对应于788.5nm 1G4→3P2,850.5nm 1G4→1I6和805.0nm 3H6→1D2的激发态吸收跃迁,而大的850.5nm上转换激发谱峰是由大的1G4(Pr3+ )→1I6(Pr3+)跃迁的振子强度f=23.04×10-6所致.这说明起源于1G4能级的激发态吸收上转换尤其1G4(Pr3+)→1I6(Pr3+)  相似文献   
214.
Zn(BTZ)2白色有机电致发光材料的合成及其器件制备   总被引:10,自引:1,他引:9       下载免费PDF全文
以PCl3为脱水剂,将邻氨基硫酚与水杨酸脱水环化合成出2-(2-羟基苯基)苯并噻唑,并进一步将所得产物与乙酸锌反应合成出2-(2-羟基苯基)苯并噻唑螯合锌(Zn(BTZ)2)材料。以该配合物作为发光层制备出结构为ITO/PVK:TPD/Zn(BTZ)2/Al近白色电致发光器件,其色坐标位于白场之内(x=0.242,y=0.359),在驱动电压为16V时,亮度达3200cdm2,对应的量子效率为0.32%。进一步在Zn(BTZ)2中掺入橙红色染料Rubrene,制成ITO/PVK:TPD/Zn(BTZ)2:Rubrene/Al结构器件,实现了纯白色发光(色坐标值:x=0.324,y=0.343),非常接近于白色等能点,且量子效率达0.47%。最后对上述器件的发光和电学性能进行了深入的研究和探讨。  相似文献   
215.
 分析了切伦柯夫束波相互作用中使用单段慢波结构的缺点。指出在分段式慢波结构中,漂移段及其两端的慢波结构组成一Bragg谐振腔,当漂移段长度合适时,根据渡越时间效应理论,这种结构能减小调制束中电子的速度分散,提高束波转化效率。通过粒子模拟方法,比较了均匀慢波结构与分段式慢波结构中束波相互作用的物理图像,验证了理论分析结果,并说明了后者有束密度群聚充分,束电子速度分散小,产生微波功率高、频谱质量好,最佳工作电流大,输入电功率高等优点。  相似文献   
216.
双阳极磁控注入枪束流特性的研究   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
 介绍了用于34GHz基波回旋速调管的双阳极磁控注入枪的结构特点,为了准确分析磁控注入枪的束流特性,建立了阴极表面理论模型,用新编制的程序模拟了电子轨迹。模拟和测量结果显示磁场对磁控注入枪的束流有影响,磁控注入枪的束流也与阴极温度和空间电荷效应有关系。  相似文献   
217.
ns脉冲激光对K9玻璃的破坏实验   总被引:2,自引:0,他引:2       下载免费PDF全文
 采用高速PIN光电探测器和高带宽的数字存储示波器,实时检测透射光脉冲和散射光脉冲的变化特征,并将之用作材料破坏的光学判据,测量得到K9玻璃在1.06μm纳秒脉冲激光作用下的能量损伤阈值约18mJ,相应的能量密度阈值为1.0kJ/cm2。通过分析透射光脉冲和散射光脉冲的特征,给出了材料的破坏时刻,并推断出K9玻璃所能承受的极限光强为1015W/m2。研究了能量透过率与泵浦能量的关系,并初步探讨了透明材料的破坏机理。结果表明:在多纵模激光的作用下,透明光学材料破坏是电离击穿与自聚焦效应综合作用的结果。  相似文献   
218.
利用爆磁压缩发生器产生高功率脉冲高电压   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
 爆磁压缩发生器产生脉冲高电压技术可以用于产生高功率微波及强电磁脉冲的实验研究。给出了利用螺旋型爆磁压缩发生器(HEMG)驱动电爆炸丝功率调节系统产生高功率脉冲高电压的实验方法和主要的结果。在利用HEMG驱动电爆炸丝断路开关(EEOS)产生脉冲高电压实验中,获得了最高电压700~800kV,功率大于20GW的脉冲输出。  相似文献   
219.
 北京正负电子对撞机直线注入器(BEPCⅡ LINAC)的升级改进要求建立束流光学匹配计算和轨道校正系统,为此对束流光学匹配计算和轨道校正计算的方法进行了研究,并采用VC++语言编写了相应的程序,利用最小二乘法原理进行了束流光学匹配计算,模拟了束流轨道校正,取得了较为理想的结果。  相似文献   
220.
19.6nm波长类氖锗X光激光光源理论模拟   总被引:5,自引:5,他引:0       下载免费PDF全文
 波长19.6nm的类氖锗X光激光适合作为诊断激光等离子体界面不稳定性的光源。用经过实验检验的系列程序对预-主短脉冲驱动类氖锗进行了系统的优化设计和理论分析。采用2%~3%的预脉冲强度,6~8ns的预-主脉冲时间间隔,在4×1013W/cm2功率密度驱动下, 波长19.6nm增益区的宽度可以超过60μm,增益区的维持时间可以达到90ps。对于16mm长的平板靶,增益系数可达11.8/cm;弯曲靶增益系数可达13.3/cm;单靶小增益长度积可达21.3,单靶就可以获得饱和增益。采用双靶对接,其小讯号增益可达38.4,可以获得深度饱和增益,能满足应用演示所需的X光激光光源。  相似文献   
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