基于激发态吸收的C60分子全光开关特性研究

用５３２．０ｎｍ的脉冲Ｎｄ：ＹＡＧ激光作为泵浦光，７４７．０ｎｍ的连续半导体激光作为探测光，在Ｃ₆₀甲苯溶液中，利用Ｃ₆₀分子的三重态－三重态非线性吸收效应，获得Ｃ₆₀分子的全光开关和全光调制特性，并用速率方程进行了动力学数值模拟，得到与实验相一致的结果。 关键词：     

高Jc Tl系2223相银包套带材的磁通钉扎和耗散

测量了Ｔｌ系２２２３相银包套超导带（Ｊ_c＝１．５×１０^４Ａ·ｃｍ^-2，７７Ｋ，０Ｔ）在０－０．８Ｔ磁场下电阻转变展宽，实验结果引用热激活磁通蠕动模型加以解释。磁场平行于带面（Ｈ∥ａｂ面）和磁场垂直于带面（Ｈ⊥ａｂ面）两种情况下，激活能与磁场之间满足幂指数关系：Ｕ_0∥＝０．２１ H^-0.3(eV),Ｕ_0⊥＝０．１5 H^-0.4(eV)，其中Ｈ的单位为ｋＧ。 关键词：     

沉积在α-Al２Ｏ3分形基底上Ag薄膜的特性

报道了采用磁控溅射法在α－Ａｌ_２Ｏ₃分形基底上沉积Ａｇ薄膜表面的形貌、结晶状态以及其Ｖ－Ｉ特性．结果表明：分形的Ａｌ_２Ｏ₃基底导致Ａｇ薄膜具有起伏不平的结构、较差的结晶状态并且存在大量的孔洞，它们同样受基底温度和薄膜厚度的影响．在一定的厚度范围内，Ａｇ薄膜呈现反常的非线性Ｉ（Ｖ）特性，其行为也受薄膜厚度、基底温度和测试环境的强烈影响． 关键词：     

Cs原子里德伯态Stark能级场电离阈值与｜ml｜关系的测定

报道Ｃｓ原子里德伯态Ｓｔａｒｋ能级场电离阈值与｜ｍ_l｜依赖关系的实验研究结果，从实验上同时测得Ｃｓ原子｜ｍ_l｜＝０，１，２三种态的电离阈值表达式。 关键词：     

三元合金Cu76Ni15Sn9的离子溅射研究

在２７ｋｅＶ Ａｒ⁺离子轰击时,用收集膜技术结合俄歇谱仪（ＡＥＳ）,研究了三元合金Cu₇₆Ni₁₅Sn₉系统的择优溅射行为。同时使用扫描电子显微镜（ＳＥＭ）与电子探针微分析（ＥＰＭＡ）．观察了靶点表面形貌变化并测定了形貌特征微区的合金组份原子的相对百分浓度。结果表明,Ｃｕ原子较Ｎｉ原子、Ｎｉ原子较Ｓｎ原子,在所测定范围（０─６０°）内择优发射。最后讨论了靶点表面形貌特征和“元素局域富集”现象对择优溅射过程的影响。 关键词：     

声表面波在声栅上的Bragg衍射

本工作揭示了声表面波在声栅上的Bragg型衍射效应。应用简正波理论近似处理了在强Bragg条件下,声表面波在声栅上衍射的一些规律:栅阵内简正模式,偏转角和偏转效率与入射声波工作频率和声栅参数的关系。实验上,我们在y切割LiNbO₃压电晶体表面,用金属栅阵构成声栅,用光学法观察了声表面波(Rayleigh波)在上述声栅上的Bragg型衍射现象,并测量了偏转角和偏转效率随工作频率的关系。实验与理论结果比较表明,二者基本上是符合的。 关键词：     

用X射线荧光光谱法非破坏测定多元合金薄膜的组分和厚度

本文用X射线荧光光谱法,不破坏样品,测定三元合金薄膜的组份。此法无需制备任何相似的固体标样或纯元素的块状标样,而是利用含已知组份的滤纸片作为标样。滤纸片标样制作简便、快速,并且能长期稳定。由薄膜中元素所发出的特征X射线强度与其面密度之间的一组联立方程解出薄膜成份,利用衬底中元素的特征X射线强度随膜厚增大而衰减的定量关系确定膜厚。利用本文的方法可以同时测定薄膜的成分和厚度。 关键词：     

急冷Al-lat%Ge过饱和固溶体合金的正常-超导转变特性

本文研究了急冷Al-1at%Ge过饱和固溶体合金的结构和正常-超导转变特性。X射线结构分析表明,样品为单一的过饱和α-Al(Ge)固溶体。电阻-温度测量指出,急冷过饱和α-Al(Ge)合金的T_c≈1.44K,高于纯Al的T_c。 关键词：     

二甲亚砜硝酸钇的晶体结构

二甲亚砜硝酸钇Y(NO₃)₃·3DMSO晶体属单斜晶系,a=13.604(4)?,b=12.669(4)?, c=11.554(2)?, β=100.14(4)°,z=4。空间群为P2₁/n。用PW-1100四圆衍射仪收集强度数据,独立衍射点数为3615个。结构已用重原子法解出,用全矩阵和方块对角矩阵最小二乘方法修正结构参数,最后R因子为0.080。结构分析结果表明,围绕着钇离子的九个氧构成稍歪扭的“三帽三方棱柱”配位多面体。钇和配位氧之间 关键词：     

正偏离Bragg定律的二元化合物靶中离子射程参数研究

研究了正偏离Bragg定律,即计算S_e(E)值高于实测S_e(E)的二元系化合物靶的离子射程特性。文中应用“regular”观点引入了“双原子模型”,在二元化合物靶的射程计算中,不仅考虑相同“原子对”对离子的阻止本领S₁₁(E),S₂₂(E),而且考虑不同“原子对”对离子的阻止本领S₁₂(E),S₂₁(E)。文中还应用Berthelot关系,使S₁₂(E)=S₂₁(E)=(S₁₁(E)·S₂₂(E))^1/2,则二元系靶的阻止本领及总的射程为NS(E)=1/2[(N₁S₁₁(E))^1/2+(N₂S₂₂(E)^1/2)]², R=4/a[x-A₁(arctg(2x+f)/△^1/2-arctg(f/△^1/2))-B₁(ln(x+g)²/g²·e/(x²+fx+e)) -b/2 ln(x²+fx+e/e)。这里X=E^1/2,E为离子注入能量,所有其它常数是与离子和靶的质量、原子序数有关的常数。结合文献[1]提出的R与R_p,R_p与△R_p的关系式,可计算得正偏离系统的投影射程R_p及其偏差量△R_p。并对各关系式的物理意义作了阐明。 关键词：