电子碰撞诱导原子从低激态向高激态弛豫

本文根据空心阴极放电中电子能量分布的物理图象,分析了原子从低激态向高激态弛豫的可能途径。建立高低激态集居数密度增量的关系。讨论高激态集居数密度增量获得可观量的条件。根据此条件分别选取钠原子的基态3s~2S_(1/2)和铜原子的亚稳态4s~2D_(3/2)为与激光共振的下能级,并激发具有较大自发发射几率的3s~2S_(1/2)→3p~2P°_(1/2)(和3p~2P°_(3/2))和4s~2D_(3/2)→4p~2P°_(1/2)跃迁,在远离上能级的高激态上观测到敏化荧光,并精确测得这些态的自发发射系数比值,而在更高激态上没有观测到敏化荧光,表明讨论中提出的条件是合理的。     

反应离子镀光学薄膜的微观结构分析

用反应离子镀方法制备了ＴｉＯ２单层膜及ＴｉＯ２／ＳｉＯ２多层膜，用透射电子显微镜分别观察了由反应离子镀方法及传统蒸镀法二种不同工艺制得的ＴｉＯ２单层膜及ＴｉＯ２／ＳｉＯ２多层膜的断面结构，并对ＴｉＯ２单层膜进行了喇曼分析和卢瑟福背散射分析。     

多位数序列全加器的光电混合实现

本文报道用光不双稳开关构成多位数序列全加器的方法，并用非线性干涉滤光片双稳开关进行了原理性实验演示，完成了四位二进制数的全加运算。     

对数态Tavis-Cummings模型中辐射场的非经典性

本文研究了任意初态的双光子Tavis-Cummings模型的演化规律,作为例子,讨论了初始时刻两个原子均处于基态而光场为对数态时场的压缩效应,光子的聚束和反聚束效应.     

实空间高分辨象模拟计算中的动态收敛判据

给出实空间多片层(RSMS)法的动态收敛判据(RSMSD法),利用与晶体结构有关的截断条件,动态地确定了每两片层间传播因子的展开级数,完全克服了RSMS法固有的发散问题。RSMSD法的计算结果与快速傅里叶变换多片层(FFTMS)法的相应结果符合很好,这说明动态收敛判据是正确、有效的。 关键词：     

Ⅲ-V族化合物半导体Λ轴光学声子形变势的研究

本文在LMTO-ASA能带计算中,采用冻结声子模型,系统地研究了Ⅲ-V族化合物半导体的Λ轴光学声子形变势随k值的变化关系,提供了9种Ⅲ-V族化合物在Λ轴不同k值情况下的光学声子形变势d₃₀(Λ), d₁₀(Λ,val)和d₁₀(Λ,con)的第一原理计算结果。     

Multi-Pion Correlations in Two-Pion Interferometry

The influence of multi-pion correlations on two-pion interferometry analysis in multi-pion events can be expressed as the ratio of a multi pion correlation factor for the sample of like-pion pairs to a residual correlation factor for the reference sample.Although these two correlation factors can be partially cancelled our in data analyses,the difference between these two factors in the low relative momentum region is so large that the distortion on the analysed results of two-pion interferometry from multi-pion interference becomes a serious problem when the pion source has a small radius and the pion multiplicity of event is high.The distributions of multi-pion correlation factor C_n－2(q) can sensitively reflect the multi-pion correlation effects in the events The analyses of multi-pion correlation factor for two Bevalac streamer chamber data samples of 2.1AGeV Ne+Pb and 1.8AGeV Ar+Pb collisions show that the multi-pion correlation effect in the former data sample is greater that in the latter.     

甘氨酸和丙氨酸二肽、三肽中N-H…O=C分子内氢键键能的理论研究

提出一种计算多肽中N-H…O=C分子内氢键键能的新方法.并将新方法应用于计算甘氨酸和丙氨酸二肽、三肽中N-H…O=C分子内氢键键能.利用密度泛函理论B3LYP/6-31G(d)方法优化几何构型和计算频率.对全部结构计算MP2/6-311 G(3df,2p)水平上的单点能量.结果表明:在甘氨酸二肽中氢键键能为-6.38 kcal/mol,在丙氨酸二肽中氢键键能为-7.09-、6.25 kcal/mol;在甘氨酸三肽中氢键键能为-5.62 kcal/mol,在丙氨酸三肽中氢键键能为-5.37,-5.74 kcal/mol.     

烃类化合物碳氢键解离焓的密度泛函理论研究

通过比较10种密度泛函方法对烃类化合物碳氢键解离焓的计算精度, 发现新型密度泛函BMK方法具有最高的计算精度. 利用该方法计算了包含饱和链烃,、不饱和链烃、脂环烃和芳香烃在内的172个烃类化合物的碳氢键解离焓,计算均方根误差仅为7.95 kJ•mol^－1, 线性拟合常数为0.985. 通过自然键轨道法分析发现, 烃类物质的碳氢键解离焓与母体的碳氢键杂化轨道成分p%, 自由基奇电子轨道杂化成分p%及自由基的自旋密度三个参数之间存在较好的定量关系. 此外, 饱和链烷烃及不饱和链烃的碳氢键解离焓与碳氢键键长之间也存在较好的线性关系.     

应变层超晶格InAs/InP界面的平均键能行为与价带边不连续性

采用LMTO能带方法,对两种不同应变状态下(自由形变和以InP为衬底),应变层超晶格(InAs)₁(InP)₁(001)和与应变层超晶格的分子层相对应的应变体材料,以及无应变的体材料进行了第一原理计算,并采用冻结势方法求出了两种超晶格各分子层的平均键能。结果表明,能存在应变的情况下,异质界面两边的平均键能非常一致,且这种一致性受应变状态的影响很小,因而可以把它用来作为确定应变层超晶格价带边不连续值(△E_v)的普遍适用的参考能级。研究了应变对 关键词：