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黄龙 《新疆大学学报(理工版)》2003,20(2):130-132
用正电子湮没寿命谱技术研究了2.4×1O15/cm2、2.2×1016/cm2注量的85MeV19F离子辐照N型GaP和1.6×1016/cm 2注量的85MeV19F离子辐照P型InP所产生的辐照缺陷.结果表明:两种注量辐照在GaP中均产生较高浓度的单空位.其浓度随着辐照注量的增大而增加;辐照也在InP中产生较高浓度的单空位. 相似文献
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本对于全局优化问题提出一个改进的进化规划算法,该算法以概率p接收基于电磁理论求出合力方向作为随机搜索方向,以概率1-p接收按正态分布产生的随机搜索方向。改进算法不仅克服了传统进化规划算法随机搜索的盲目性,而且保留了传统进化规划算法全局搜索性。本算法应用于几个典型例题,数值结果表明本算法是可行的,有效的。 相似文献
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