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A. I. Belogorokhov I. I. Ivanchik S. V. Ponomarev D. R. Khokhlov E. I. Slyn’ko 《JETP Letters》1996,63(5):353-357
Selective photoconductivity at frequency ω=155 cm− was discovered in PbTe(Ga) narrow-gap semiconductors at liquid-nitrogen temperatures. The corresponding energy is much lower
than all characteristic energies of the electronic spectrum of the semiconductor. The effect is attributed to optical excitation
of a local vibrational mode of an impurity center leading to delocalization of the electrons.
Pis’ma Zh. éksp. Teor. Fiz. 63, No. 5, 342–346 (10 March 1996) 相似文献
238.
V. A. Nebol'sin B. M. Darinskii E. E. Popova A. A. Shchetinin 《Russian Physics Journal》1995,38(10):1023-1026
An estimate of the factors which influence the rate of growth of filamentary silicon crystals in a standard chloride system using a quartz reactor with hot walls is given. It is shown that a diffusion form of crystallization is observed under the conditions investigated.Voronezh State Technical University. Translated from Izvestiya Vysshikh Uchebnykh Zavedenii, Fizika, No. 10, pp. 22–26, October, 1995. 相似文献
239.
V. I. Storozhev 《Journal of Mathematical Sciences》1995,77(6):3514-3518
On the basis of the method of successive approximations in formal series we construct systems of particular solutions of the
equations of planar and flexural harmonic vibrations of thin rectilinear anisotropic plates with a plane of symmetry of elastic
properties parallel to the faces. The solutions constructed are classified as special sk-functions of generalized complex
variables.
Translated fromTeoreticheskaya i Prikladnaya Mekhanika No. 24, 1993, pp. 54–61. 相似文献
240.