首页 | 本学科首页   官方微博 | 高级检索  
文章检索
  按 检索   检索词:      
出版年份:   被引次数:   他引次数: 提示:输入*表示无穷大
  收费全文   1866篇
  免费   357篇
  国内免费   245篇
化学   1290篇
晶体学   49篇
力学   120篇
综合类   21篇
数学   225篇
物理学   763篇
  2024年   7篇
  2023年   55篇
  2022年   101篇
  2021年   87篇
  2020年   102篇
  2019年   87篇
  2018年   78篇
  2017年   82篇
  2016年   90篇
  2015年   85篇
  2014年   134篇
  2013年   127篇
  2012年   166篇
  2011年   178篇
  2010年   125篇
  2009年   125篇
  2008年   124篇
  2007年   87篇
  2006年   105篇
  2005年   76篇
  2004年   49篇
  2003年   58篇
  2002年   57篇
  2001年   38篇
  2000年   20篇
  1999年   28篇
  1998年   28篇
  1997年   29篇
  1996年   22篇
  1995年   12篇
  1994年   16篇
  1993年   13篇
  1992年   8篇
  1991年   6篇
  1990年   4篇
  1989年   10篇
  1988年   8篇
  1987年   5篇
  1986年   6篇
  1985年   13篇
  1984年   4篇
  1983年   2篇
  1982年   1篇
  1976年   1篇
  1975年   1篇
  1974年   1篇
  1973年   4篇
  1972年   1篇
  1969年   1篇
  1961年   1篇
排序方式: 共有2468条查询结果,搜索用时 0 毫秒
991.
从实验和理论上研究了受激布里渊散射(SBS)光脉冲波形.在Nd∶YAG调Q激光器中实验研究了SBS光脉冲波形随抽运光参数、结构参数和介质参数的变化规律,并利用SBS理论模型进行了数值模拟,实验与数值模拟结果的变化趋势基本一致.结果表明,抽运光能量越小,透镜焦距越短,镜-池间距越长,介质声子寿命越长,SBS光脉冲波形就越不容易出现调制现象.分析和讨论了抽运光参数、结构参数和介质参数对SBS光脉冲波形的影响机理. 关键词: 受激布里渊散射 脉冲波形 抽运光参数 结构参数  相似文献   
992.
本文构建了half-Heusler合金CoVTe和FeVTe.运用基于第一性原理的全势能线性缀加平面波方法,计算half-Heusler合金CoVTe和FeVTe的电子结构.电子结构的自旋极化计算结果表明,合金CoVTe和FeVTe具有半金属性,它们的半金属隙分别为0.21 eV和0.20 eV.磁性计算结果显示,合金CoVTe和FeVTe的晶胞总磁矩分别为2.00μ_B和1.00μ_B;合金晶胞中过渡金属V具有较强的原子磁矩,Te的原子磁矩较弱,而且为负值.使合金晶格均匀形变△a/a_0在±7%的范围内变化,分别计算CoVTe和FeVTe的电子结构.计算结果表明,晶格均匀形变△a/a_0分别为-7%—+7%和-4.8%—+7%时,合金CoVTe和FeVTe仍然保持半金属性,并且晶胞总磁矩分别稳定于2.00μ_B和1.00μ_B.  相似文献   
993.
994.
995.
996.
A simple scheme based on the uniform distribution for the placement of numerous laser beams in the context o~ fiber-based laser fusion is proposed. It is theoretically demonstrated that all modes of the geometrical factor can be eliminated if sufflcient laser beams are uniformly distributed on the sphere. In the case of a finite number of laser beams, a quasi-uniform distribution of beams can be achieved based on the equal area subdivision algorithm. Numerical simulations indicate that with the increasing number of laser beams, the order of the dominant geometrical mode increases, and the irradiation nonuniformity decreases accordingly.  相似文献   
997.
张翠玲  郑瑞伦  滕蛟 《物理学报》2005,54(11):5389-5394
以NiFeNb为种子层,制备(Ni79Fe21)1-xNbx(5nm)/(Ni79Fe21) (20nm)/Ta(3nm)系列膜,并对其颗粒大小、 磁滞回线及表面粗糙度等进行测量,探讨种子层中Nb含量x对坡莫合金磁滞回线的影响.结果 表明,以NiFeNb作种子层能更好地改善坡莫合金的微结构. Nb含量为23%时的磁滞回线有最 小的最大磁能积、矫顽力.种子层影响坡莫合金磁滞回线的一个重要原因是脱附激活能等因 素造成种子层具有不同的表面粗糙度,进而使坡莫合金具有不同的微结构和磁性能. 关键词: NiFeNb种子层 坡莫合金 磁滞回线 粗糙度  相似文献   
998.
999.
Pure and rare earth doped gadolinium oxide (Gd2O3) waveguide films were prepared by a simple sol–gel process and dip-coating method. Gd2O3 was successfully synthesized by hydrolysis of gadolinium acetate. Thermogravimetric analysis (TGA) and differential thermal analysis (DTA) were used to study the thermal chemistry properties of dried gel. Structure of Gd2O3 films annealed at different temperature ranging from 400 to 750 °C were investigated by Fourier transform infrared (FT-IR) spectroscopy, X-ray diffraction (XRD) and transmission electron microscopy (TEM). The results show that Gd2O3 starts crystallizing at about 400 °C and the crystallite size increases with annealing temperature. Oriented growth of (4 0 0) face of Gd2O3 has been observed when the films were deposited on (1 0 0) Si substrate and annealed at 750 °C. The laser beam (λ=632.8 nm) was coupled into the film by a prism coupler and propagation loss of the film measured by scattering-detection method is about 2 dB/cm. Luminescence properties of europium ions doped films were measured and are discussed.  相似文献   
1000.
All-optical 2R regeneration in a semiconductor optical amplifier-based Mach–Zehnder interferometer is theoretically analyzed. It is shown that the chirp of the regenerated signal is positive, while the input signal has no chirp. The peak extinction ratio (ER) of the regenerated signal is associated with the input wavelength and there exists an input wavelength corresponding to the largest ER of the output signal. The output peak ER is also found influenced by the input power, with lower input power getting higher peak ER.  相似文献   
设为首页 | 免责声明 | 关于勤云 | 加入收藏

Copyright©北京勤云科技发展有限公司  京ICP备09084417号