全文获取类型
收费全文 | 12016篇 |
免费 | 2375篇 |
国内免费 | 1995篇 |
专业分类
化学 | 8779篇 |
晶体学 | 210篇 |
力学 | 754篇 |
综合类 | 150篇 |
数学 | 1329篇 |
物理学 | 5164篇 |
出版年
2024年 | 32篇 |
2023年 | 226篇 |
2022年 | 437篇 |
2021年 | 440篇 |
2020年 | 577篇 |
2019年 | 548篇 |
2018年 | 496篇 |
2017年 | 456篇 |
2016年 | 650篇 |
2015年 | 644篇 |
2014年 | 757篇 |
2013年 | 953篇 |
2012年 | 1233篇 |
2011年 | 1216篇 |
2010年 | 901篇 |
2009年 | 880篇 |
2008年 | 974篇 |
2007年 | 822篇 |
2006年 | 685篇 |
2005年 | 571篇 |
2004年 | 445篇 |
2003年 | 347篇 |
2002年 | 347篇 |
2001年 | 291篇 |
2000年 | 241篇 |
1999年 | 208篇 |
1998年 | 142篇 |
1997年 | 118篇 |
1996年 | 114篇 |
1995年 | 87篇 |
1994年 | 93篇 |
1993年 | 64篇 |
1992年 | 68篇 |
1991年 | 58篇 |
1990年 | 57篇 |
1989年 | 39篇 |
1988年 | 29篇 |
1987年 | 17篇 |
1986年 | 21篇 |
1985年 | 25篇 |
1984年 | 20篇 |
1983年 | 15篇 |
1982年 | 11篇 |
1981年 | 8篇 |
1979年 | 2篇 |
1977年 | 2篇 |
1974年 | 4篇 |
1972年 | 2篇 |
1966年 | 2篇 |
1957年 | 2篇 |
排序方式: 共有10000条查询结果,搜索用时 15 毫秒
951.
声表面波射频标签码容量的最大化 总被引:2,自引:0,他引:2
声表面波标签是一种不使用集成电路芯片的射频识别技术.由于其与半导体射频标签在原理上的本质区别,在若干特殊场合下具有独特的优势.声表面波标签的码容量通常很难满足实际应用的需求,成为限制其广泛应用的主要原因.提出了一种设计声表面波射频标签系统的新方法,从以下两方面增大码容量:(1)根据实际系统的误差概率和所要求的可靠性,最佳地决定系统设计的分辨精度;(2)采用反射脉冲的时延间隔代替反射脉冲的绝对时延位置来表述该脉冲代表的码片值,从而避免了人为分组,在一定空间内最大可能地增大了码容量.以中心频率922.5 MHz、带宽5 MHz的射频标签为例,在8 mm长的128°YX-LiNbO3压电基片上,制作了码容量超过三千万的系统.该系统包括温度校准,在识别标签的同时并能测出温度,精度为0.5℃. 相似文献
952.
The purpose of this investigation was to quantitatively evaluate the practical impact of alteration of key imaging parameters on image quality and artifacts in fast multi-planar gradient echo (GRE) pulse sequences. These include multi-planar GRASS (MPGR) and fast multi-planar spoiled GRASS (FMPSPGR). We developed a composite phantom with different T(1) and T(2) values comprising the range of common biological tissues, which was also subjected to periodic motion in order to evaluate motion effects. Magnetic resonance imaging was performed on a GE Signa 1.5-T system. Experimental variations in key parameters included excitation flip angle (FL), echo time (TE), repetition time (TR), and receive bandwidth (BW). Quantitative analysis consisted of signal-to-noise-ratio (SNR) and contrast (CN), image nonuniformity (NU), full-width-at-half-maximum (FWHM) (i.e., blurring or geometric distortion), and ghosting ratio (GR). We found that flip angle, TE, and TR play particularly critical roles in determining image signal, homogeneity, and ghosting artifact with these sequences. Optimum clinical application of these pulse sequences requires careful attention to these imaging parameters and to their complex interactions. 相似文献
953.
954.
955.
956.
研究了蓝宝石(1102)基片在不同温度和时间下退火时表面形貌和表面相结构的变化,以及它对CeO2缓冲层和T1-2212超导薄膜生长的影响.原子力显微镜(AFM)研究表明,在流动氧环境中1000℃温度下退火,蓝宝石(1102)的表面首先局部区域形成台阶结构,然后表面形成叠层台阶结构,随着退火时间的延长.表面发生了台阶合并现象,表面形貌最终演化为稳定的具有光滑平台的宽台阶结构.XRD测试表明,通过高温热处理可以大幅度提高蓝宝石基片表面结构的完整性.在1000℃温度下热处理20 h的蓝宝石(1102)基片上可以生长出具有面内取向的CeO2(001)缓冲层.在具有缓冲层的蓝宝石基片上可以制作出高质量c轴织构的外延11-2212超导薄膜,其临界转变温度(Tc)为104.7 K,液氮温度下临界电流密度(Jc)达到3.5 MA/cm2,微波表面电阻R(77 K,10 GHz)约为390μΩ. 相似文献
957.
通过采用Car-Parrinello分子动力学方法对掺杂Ti前后的NaAlH4(001)2×2×1超晶胞表面晶体在333 K(60 ℃)温度条件催化脱氢的空间构型做了理论研究,发现掺杂Ti的合金中AlH4团的其中两个Al—H键长分别从约1.64 (1 =0.1 nm)增大至1.74和1.93 ,而未掺杂合金表面中AlH4团的4个Al—H键长基本不变,这意味着掺杂Ti相对未掺杂的合金更易于放氢.但在模拟温度条件下并未发现Ti-Al成键趋 相似文献
958.
959.
基于ZY-3 CCD相机数据的暗像元大气校正方法分析与评价 总被引:1,自引:0,他引:1
ZY-3是我国首颗民用高空间分辨率光学传输型立体测图卫星, 可为国土资源调查、生态环境监测等发挥重要作用, 而大气校正是制约其广泛定量应用的关键问题之一。由于实测地面光谱数据和大气参数难以实时获取, 针对这种情况下如何反演得到高空间分辨率卫星精确的地表反射率这一问题, 基于2012年内蒙古野外实验实测数据, 对四种暗像元大气校正方法进行了分析与评价研究。分析了四种暗像元大气校正算法中的关键参数对ZY-3 CCD数据应用效果的影响, 结果表明: (1)四种暗像元大气校正方法在第1,2和3波段均有明显的校正效果, 其中DOS4方法在第4波段大气校正效果最好, DOS1和DOS3方法在第4波段大气校正效果不明显, DOS2方法在第4波段大气校正效果最差。(2)DOS1方法大气校正结果在4个波段的相对误差均大于10%。DOS2方法在第1波段校正效果最好(AE=0.001 9和RE=4.32%), 而在第4波段校正误差最大(AE=0.0464和RE=19.12%)。DOS3方法大气校正结果在4个波段的相对误差均约10%左右。(3)DOS4方法大气校正结果在4个波段的绝对误差均小于0.02和相对误差均小于10%, 大气校正精度最高。 相似文献
960.
Ⅲ-Ⅴ族氮化物宽禁带半导体材料体系中,普通方法生长的p型外延层电导率一般都很低,成为了制约器件性能提高的瓶颈。在p-AlxGa1-xN材料中,Mg受主的激活能较大,并且随Al组份增加而增大。通过在p-AlxGa1-xN材料生长过程中引入三甲基铟(TMIn),发现能有效地降低AlxGa1-xN材料中受主态的激活能。为研究不同In气氛下生长的p-AlxGa1-xN材料的性质,在使用相同二茂基镁(CP2Mg)的情况下,改变TMIn流量,生长了A,B,C和D四块样品。X射线衍射(XRD)组份分析表明:在1100℃下生长AlxGa1-xN外延层时,In的引入不会影响晶体组份。利用变温霍尔(Hall)测试研究了p-AlxGa1-xN材料中受主的激活能,结果表明:In气氛下生长的外延层相比无In气氛下生长的外延层,受主激活能明显降低,电导率显著提高。采用这种方法改进深紫外发光二极管(LED)的p-AlxGa1-xN层后,LED器件性能明显提高。 相似文献