Existence of Resonances for Metric Scattering in Even Dimensions

Suppose _g is the (negative) Laplace–Beltrami operator of a Riemannian metric g on ⁿ which is Euclidean outside some compact set. It is known that the resolvent R()=(– _g –²)^–1, as the operator from L ² _comp( ⁿ ) to H ² _loc( ⁿ ), has a meromorphic extension from the lower half plane to the complex plane or the logarithmic plane when n is odd or even, respectively. Resonances are defined to be the poles of this meromorphic extension. We prove that when n is 4 or 6, there always exist infinitely many resonances provided that g is not flat. When n is greater than 6 and even, we prove the same result under the condition that the metric is conformally Euclidean or is close to the Euclidean metric.     

Langford系统Hopf分叉的线性反馈控制

分析Langford系统的Hopf分叉现象，并研究采用线性反馈控制方法控制该系统的Hopf分叉.从理论上推导出受控系统产生Hopf分叉的条件，给出了某些极限环的解析表达式，对该系统进行了分叉点的转移与极限环的稳定性控制.数值模拟说明本文采用的方法对Langford系统的Hopf分叉控制是有效的. 关键词： Langford系统 反馈控制 Hopf分叉 极限环     

离子通道中环形束流分布与场解的自洽理论

考虑环形束流的空间电荷效应与相对论状态下的自磁效应对离子通道——环形束流系统的影响，研究了通道中环形束流的轨道与场解的自洽平衡态.利用动力学理论得到了电子平衡态分布函数以及环形束流的径向位置和通道内电磁场的自洽解.研究发现，相对论束流的自场对系统平衡态有很大影响，并证实了系统自洽平衡态的存在.数值计算给出了束流位置与通道半径间随能量的分布关系以及通道内场随半径分布的规律，为相关器件的设计提供了重要的理论数据. 关键词： 离子通道 环形束流 动力学理论 自洽平衡态     

单个心肌细胞内钙波的微观动力学研究

利用基于近场光学原理构建的全内反射荧光显微镜研究了大鼠单个心肌细胞中的钙信号. 利用这种显微镜的快速成像和高信噪比的特点，观察到单个细胞中复杂的二维钙波斑图. 分析了单个钙信号释放事件在钙波形成、运动过程中的作用. 建立在fire-diffuse-fire模型基础上的模拟显示，由基本钙释放事件组成的钙波可以在心肌细胞中稳定存在. 此研究对进一步认识活体可激发系统的微观动力学行为有指导意义. 关键词： 近场光学 全内反射荧光显微镜 心肌细胞 钙波     

基于Si掺杂Sb2Te3薄膜的相变存储器研究

采用磁控三靶(Si，Sb及Te)共溅射法制备了Si掺杂Sb₂Te₃薄膜，作为对比，制备了Ge₂Sb₂Te₅和Sb₂Te₃薄膜，并且采用微加工工艺制备了单元尺寸为10μm×10μm的存储器件原型来研究器件性能.研究表明，Si掺杂提高了Sb₂Te₃薄膜的晶化温度以及薄膜的晶态和非晶态电阻率，使得其非晶态与晶态电阻率之比达到10⁶，提高了器件的电阻开/关比；同Ge₂Sb₂Te₅薄膜相比，16at% Si掺杂Sb₂Te₃薄膜具有较低的熔点和更高的晶态电阻率，这有利于降低器件的RESET电流.研究还表明，采用16at% Si掺杂Sb₂Te₃薄膜作为存储介质的存储器器件原型具有记忆开关特性，可以在脉高3V、脉宽500ns的电脉冲下实现SET操作，在脉高4V、脉宽20ns的电脉冲下实现RESET操作，并能实现反复写/擦，而采用Ge₂Sb₂Te₅薄膜的相同结构的器件不能实现RESET操作. 关键词： 相变存储器 硫系化合物 2Te₃薄膜')" href="#">Si掺杂Sb₂Te₃薄膜 SET/RESET转变     

3ω法加热/测温膜中温度波解析及其在微/纳米薄膜导热系数测量中的应用

给出了3ω法测试系统中描述薄膜表面加热/测温膜中温度波动的级数形式解，并将复数温度波动的实部和虚部分开表示.利用该解分析了交流加热频率、加热膜宽度和材料热物性的组合参数对加热膜温度波动幅度的影响.并根据此解对测量原理的数学模型进行了修正，建立了相应的3ω测试系统，首先测定了厚度为500 nm SiO₂薄膜的导热系数，验证了实验系统的合理性.加大了测试频率，利用级数模型在高频段直接得到SiO₂薄膜的导热系数，结合低频段的数据同时确定了Si基体的导热系数.利用级数解分析测试了激光晶体Nd:YAG〈111〉面上多层ZrO₂/SiO₂增透膜的导热系数，测试的ZrO₂薄膜的导热系数比体材料小.进行了不确定度分析.结果表明，提出的分析方法可以有效研究微器件表面薄膜结构的导热性能. 关键词： ω法')" href="#">3ω法 微/纳米薄膜 导热系数 微尺度加热膜     

双随机相位编码光学加密系统的唯密文攻击

针对双随机相位编码光学加密系统的安全性分析表明，该系统属于线性对称分组密码系统，其线性性质为安全性留下极大隐患.在唯密文攻击下，仅根据密文估计出物面波函数的“支撑”(support)，然后利用迭代相位恢复算法获得物面波函数(其振幅是明文信息)，再根据物面波函数与频域密文的关系可推导出频谱平面的解密密钥.由于估计出来的物面波函数的“支撑”相对于真实的物面波函数的“支撑”有一定的平移，使得恢复的物面波函数与真实的物面波函数之间无论在振幅上还是相位上都存在平移，导致用推导出来的解密密钥去解密其他密文时所获得的明文与原始明文之间存在明显平移.然而，可依照这一先验信息，将估计出来的物面波函数的“支撑”在物面内遍历，从而找到逼近真实解密密钥的解.利用此解密密钥去解密其他密文时获得更好的解密效果. 关键词： 光学信息安全 双随机相位编码 唯密文攻击 函数支撑     

The aberration theory of a combined electron focusing–deflection system with a rotating deflection field following the rotation of the electrons

A new type of combined magnetic focusing–electrostatic deflection systems whose orientation of deflection field is rotated synchronously with the beam electrons is proposed. This rotation deflection field can be formed by twistification of tube wall electrode (TWE) deflectors. Formulae are derived for the first-order optical properties, third-order geometrical aberrations and first-order chromatic aberrations of this system. A program was written in FORTRAN for numerical computation. An example is given; the computation results show that compared to the conventional systems, the proposed new system has lower deflection aberration coefficients.     

Calculation of the Effect on the Reflection of the Plane Electromagnetic Wave for Non-Magnetized Plasma with Different Electron Density Distributions

In this paper, shift operator finite-difference time-domain (SO-FDTD) method is applied for the calculation of the dispersive medium. The high efficiency and accuracy of this method is verified by calculating the reflection of the plane electromagnetic wave impinging on a non-magnetized plasma slab with different electron density distributions. The results show that the average electron density only determines overall trends of the reflection, and different distributions affect the oscillating process of the reflection. If the average electron density maintains the same, the distribution of electron density with homogenous or inhomogeneous alternation will sharply take effects on the reflection. And magnitude of alternation of electron density affects the incident frequency directly when the reflection tends to uniform.     

The n-type Gd-doped HfO<Subscript>2</Subscript> to silicon heterojunction diode

Gd-doped HfO₂ films were deposited on p-type silicon substrates in a reducing atmosphere. Photoemission measurements indicate the n-type character of Gd-doped HfO₂ due to overcompensation with oxygen vacancies. The Gd 4f photoexcitation peak at 5.5 eV below the valence band maximum is identified using both resonant photoemission and first-principles calculations of the f hole. The rectifying (diode-like) properties of Gd-doped HfO₂ to silicon heterojunctions are demonstrated. PACS 79.60.-i; 68.55.Ln; 29.40.Wk; 81.05.Je