激光诱导Ti等离子体电子温度的实验研究

室温,常压下,利用Nd∶YAG脉冲激光器产生的波长为1 064 nm, 脉宽12 ns,能量分别180, 230和280 mJ的脉冲激光冲击Ti靶,使用中阶梯光栅光谱仪检测了三种激光能量下对应的光谱。调节延时器DG645的延迟时间,检测了延迟0～500 ns时间范围内Ti等离子体对应激光能量下的发射光谱,分析光谱,可以得到了九条不同的的TiⅠ 和TiⅡ等离子体谱线,证明在该实验条件下,Ti靶能够充分吸收能量电离且离子谱线具有不同的演化速率,利用Saha-Boltzmann法计算并分析Ti等离子体电子温度,实验结果表明：相同的延迟时间,激光能量越大,谱线相对强度越大,电子温度越高,谱线相对强度的变化量随激光能量的变化量增大而增大;在延时0～150 ns内,三种激光能量下的等离子体电子温度和谱线的相对强度都随延迟时间的增加而快速下降,其中280 mJ激光能量下的等离子体电子温度和谱线强度下降速率较快;在150～250 ns范围内,电子温度和谱线强度均随延迟时间的增加有一个缓慢的上升,180 mJ激光能量下的等离子体电子温度和谱线强度的上升速率较快。250～500 ns范围内,三种激光能量下的电子温度和谱线强度均随延迟时间的增加而缓慢下降。     

Growth and Characterization of A1GaN/A1N/GaN HEMT Structures with a Compositionally Step-Graded A1GaN Barrier Layer

A new A1GaN/A1N/GaN high electron mobility transistor （HEMT） structure using a compositionally step-graded A1GaN barrier layer is grown on sapphire by metalorganic chemical vapour deposition （MOCVD）. The structure demonstrates significant enhancement of two-dimensional electron gas （2DEG） mobility and smooth surface morphology compared with the conventional HEMT structure with high A1 composition A1GaN barrier. The high 2DEG mobility of 1806 cm2/Vs at room temperature and low rms surface roughness of 0.220 nm for a scan area of 5μm×5 μm are attributed to the improvement of interracial and crystal quality by employing the stepgraded barrier to accommodate the large lattice mismatch stress. The 2DEG sheet density is independent of the measurement temperature, showing the excellent 2DEG confinement of the step-graded structure. A low average sheet resistance of 314.5Ω/square, with a good resistance uniformity of 0.68%, is also obtained across the 50 mm epilayer wafer. HEMT devices are successfully fabricated using this material structure, which exhibits a maximum extrinsic transconductance of 218 mS/ram and a maximum drain current density of 800 mA/mm.     

智能型高速CCD相机的时序电路的研制

首先详细地介绍了几种传统时序电路的实现方法与各自存在的优缺点 ,然后对 isp L SI器件的性能特点以及 TDI- CCD相机的组成结构、工作原理进行了简要地阐述 ,最后对采用 isp L SI器件实现 CCD相机时序电路的全过程进行了全面、细致地分析。本文结合实际课题 ,已由在线可编程大规模逻辑器件实现了高速 TDI- CCD相机的时序电路。此相机系统具有一些重要参数 (行周期、TDI级数、视频信号的增益、偏置参数 ) ,并可以灵活控制。同时该系统又具有高可靠性、高稳定性、低功耗等特点。     

李代数的Poisson代数结构Ⅱ

本文研究民具有无限维中心的Toroidal李代数.通过利用其明确的生成元,确定了其上所有的非交换Poisson代数结构,从而推广了有限维中心的情形.     

非齐次A-调和方程弱解的局部极值原理

研究非齐次A-调和方程divA(x,▽u(x))=B(x,▽u(x)),其满足〈A(x,h),h〉≥α|h|~p,|A(x,h)|≤β|h|~(p-1)+g(x),|B(x,h)|≤γ|h|~(p-1).应用Moser迭代法证明其弱解满足局部极值原理,并进一步得出弱解的内部估计和全局估计.     

一类一维势场中电子态的研究

研究了在一维势场Ｖ_n＝λｃｏｓ（Ｑn＋ａｎ^ｖ）（０＜ｖ＜１）中运动的电子状态，计算了本征能量和本征态的局域化指数。对Ｑ＝２π／３，系统的能带由三个子能带构成。当λ小于２时，每个子带中有两个迁移率边界。研究了扩展态、局域态以及迁移率边界随参数λ，ν，α的变化。 关键词：     

n型碲镉汞MIS器件动态存储时间研究

通过对动态存储时间的测量，分析了ｘ＝０．３１的ｎ型碲镉汞（Ｈ_1-xＣｄ_xＴｅ）ＭＩＳ器件的少子暗电流机理．理论计算和实验结果都表明，在其工作温度区域（～７７Ｋ），通过禁带中深能级中心辅助的间接隧道电流将限制器件的电学性能。 关键词：     

Pulse source-system model and its amplitude versus frequency characteristics

I.IntroductionForlongtime,itisoneofveryimportantquestionsinbiomcchanicscirc1estosetupady-namicsmode10fhumancardioscularsystemI'-'1.Peop1ehaveexpectedtostudythecomp1cxcardioscu1arsystemfromtheviewofthesy5temtheoryandtheinformati0ntheory.Wea1sopayattentiontothetheory0fTraditi0nalChinescMedicine(TCM)anditsc1inicalexperience.Thepulseisdrivenbytheheartandtransmittedbyb10odflowthrougharteries.ItgOesa1ongwayfarfromtheheart,andarrivesattheradia1artery.Thusitisaffectedbynoton1ythecon-ditionofthehe…     

Ce-MCM-48立方介孔分子筛结构的光谱表征

在碱性条件下,以混合模板剂pH调节水热合成了掺入铈的介孔分子筛Ce-MCM-48,并采用XRD,DRUV-Vis(紫外-可见漫反射),FTIR,XRF结合BET等测试手段对样品进行表征。实验结果表明,采用本方法所合成的掺铈介孔材料仍保持立方介孔的有序结构,同时适量的铈的掺入和pH调节使分子筛的有序性及吸附性能得到改善,晶胞参数增大,孔径更均一,孔壁增厚。从而可推出Ce-MCM-48的热稳定性、水热稳定性、催化活性及择形选择性可得到提高。掺入的铈以四配位状态高度分散在介孔的有序结构当中。红外光谱表明不同量的铈的掺入对骨架硅的各种振动扰动程度不同。     

氪灯和氙灯光谱强度分布和光谱效率测量

氪灯、氙灯光谱强度分布和光谱效率测量是反映氪灯、氙灯性能的关键指标。介绍了一套新型的氪灯、氙灯光谱强度分布和光谱效率检测系统。该系统是一套测量连续发光灯和脉冲闪光灯发光性能及效果的综合检测设备。该检测单元采用计算机进行操控,人机界面良好,便于检验人员进行氪灯和氙灯光谱强度分布和光谱效率的批量检测。检验人员利用该系统可进行装机模拟试验和可靠性试验,可对氪灯和氙灯的性能进行必要的分析研究,不断地积累了氪灯和氙灯的检验数据和经验。