MOVPE生长GaN的表面反应机理

利用量子化学的 DFT 理论,对 MOVPE 生长 GaN 薄膜的表面初始反应机理进行研究。通过计算GaCH3和NH3在GaN(0001)-Ga面的4种吸附位的能量曲线发现,GaCH3在各吸附位的吸附能差值不大,因此容易在表面迁移;而NH3在各吸附位的吸附能差值较大,最稳定吸附位为Top位,迁移到其他位置需要克服较大能垒。在此基础上,提出了以NH3和 GaCH3为表面生长基元,在GaN(0001)-Ga面连续生长,最终形成环状核心的二维生长机理：在环状核心形成过程中,第1个GaN核生长需要3个NH3和1个GaCH3,可表示为Ga( NH2)3。第2个GaN核生长可利用已有的1个N作为配位原子,故只需2个NH3和1个GaCH3。2个GaN核可表示为( NH2)2 Ga-NH-Ga( NH2)2。第3个GaN核生长可利用已有的2个N作为配位原子,故只需要1个NH3和1个GaCH3。3个GaN核构成环状核心,可表示为Ga3( NH)3( NH2)3。后续的生长将重复第2个核和第3个核的生长过程,从而实现GaN薄膜的连续台阶生长。     

激光熔覆硬质合金强化化纤切断刀的研究

在机械压制法预置硬质合金WC/Co粉末的条形55Si2Mn弹簧钢上,用激光熔覆方法制备了化纤切断刀.调整熔覆层粉末配方中Al、TiC的加入量,结果表明加适量的Al粉能有效地抑制气孔,加TiC粉末能提高熔覆硬度.通过优化激光熔覆工艺参数,得到了无气孔缺陷、组织性能良好、硬度达到HV0.21250的激光熔覆层,达到了化纤切断刀的性能要求.     

一类一维势场中电子态的研究

研究了在一维势场Ｖ_n＝λｃｏｓ（Ｑn＋ａｎ^ｖ）（０＜ｖ＜１）中运动的电子状态，计算了本征能量和本征态的局域化指数。对Ｑ＝２π／３，系统的能带由三个子能带构成。当λ小于２时，每个子带中有两个迁移率边界。研究了扩展态、局域态以及迁移率边界随参数λ，ν，α的变化。 关键词：     

InN分凝的InGaN薄膜的光致发光与吸收谱

我们用低压MOCVD在蓝宝石衬底生长了InGaN/GaN外延层.用X射线衍射(XRD),光致发光谱(PL),光吸收谱等测量手段,研究了InGaN的辐射发光机制.In组分利用Vegard定理和XRD测量得到.我们发现随着In组分的增加,在光吸收谱上发现吸收边的红移和较宽的Urbach带尾;PL谱中低能端的发射渐渐成为主导,并且在PL激发谱中InGaN峰也变宽.我们认为压电效应改变了InGaN的能带结构,从而影响了光学吸收特性.而在InN量子点中的辐射复合则是InGaN层发光的起源.     

1.6Cell光阴极微波电子枪冷测及初步高功率实验研究

介绍了清华大学加速器实验室BNL/KEK/SHI型1.6cell微波枪调谐以及老练的初步结果. 调谐过程中, 测量了耦合孔尺寸与外部品质因数之间的关系; 给出了0模和π模的频率、单腔频率以及场分布. 目前, 该微波电子枪正在进行高功率微波老练, 给出了该枪初步的微波老练的情况及测量结果.     

Nd-四甘醇醛缩苯丙氨酸Schiff碱配合物与DNA相互作用的光谱研究

研究了Nd-四甘醇醛缩苯丙氨酸Schiff碱配合物(NdL)与天然和变性DNA的相互作用.在DNA存在下,测定了NdL的紫外吸收光谱(UV)和荧光激发光谱(FL).利用紫外滴定法,测定了NdL与DNA的结合常数.在20mmol/L Tris-HCl缓冲溶液(pH=7.0),Nd-四甘醇醛缩苯丙氨酸Schiff碱配合物与小牛胸腺DNA的结合常数为4.11×103L/mol,化合物本身的UV和FL峰强度减小.NdL与DNA的作用模式为"静电引力".     

Ce-MCM-48立方介孔分子筛结构的光谱表征

在碱性条件下,以混合模板剂pH调节水热合成了掺入铈的介孔分子筛Ce-MCM-48,并采用XRD,DRUV-Vis(紫外-可见漫反射),FTIR,XRF结合BET等测试手段对样品进行表征。实验结果表明,采用本方法所合成的掺铈介孔材料仍保持立方介孔的有序结构,同时适量的铈的掺入和pH调节使分子筛的有序性及吸附性能得到改善,晶胞参数增大,孔径更均一,孔壁增厚。从而可推出Ce-MCM-48的热稳定性、水热稳定性、催化活性及择形选择性可得到提高。掺入的铈以四配位状态高度分散在介孔的有序结构当中。红外光谱表明不同量的铈的掺入对骨架硅的各种振动扰动程度不同。     

Decoherence Sensing of Entangled-Coherent-State Channels via Unambiguous Quantum State Filtering

Unambiguous quantum state filtering is applied to evaluation of the decoherence sensing of entangled quantum channels consisting of N-mode entangled coherent states. It is found that quantum entanglement can enhance the performance of decoherence sensing while the increase of the mode numbers in the entangled probe field can slightly improve the sensing performance only in the weak field regime.     

Behaviour of Self-Standing CVD Diamond Film with Different Dominant Crystalline Surfaces in Thermal-Iron Plate Polishing

Self-standing CVD diamond films with different dominant crystalline surfaces are polished by the thermal-iron plate polishing method. The influence of the dominant crystalline surfaces on polishing etfficiency is investigated by measuring the removal rate and final roughness. The smallest rms roughness of 0.14 μm is measured with smallest removal rate in the films with the initial （220） dominant crystalline surface. Activation energy for the polishing is analysed by the Arrhenius relation. It is found that the values are 170kJ/mol, 222kJ/mol and 214kJ/mol for the film with three different dominant crystalline surfaces. Based on these values, the polishing cause is regarded as the graphitization-controlling process. In the experiment, we find that transformation of the dominant crystalline surfaces from （111） to （220） always appears in the polishing process when we polish the （111） dominant surface.     

e/π Separation analysis from L3 Calorimeter Beam Test

The L3 calorimeter beam test data were analyzed.An e/π separation scheme including "key cut" and "Δ cut" is suggested.We show that,using the scheme,in the energy range 4—20GeV,e/π separation is better than 93.7%.