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41.
透镜初级球差的横向剪切干涉条纹研究   总被引:2,自引:2,他引:0  
利用玻璃平行平板构成简单的横向剪切干涉仪可以观察到单薄透镜形成的准直光束的剪切干涉条纹,由干涉条纹分布求出对应的几何像差和离焦量.用焦距为190 mm的单薄透镜做实验,实验结果与计算机模拟结果符合,说明可以从剪切干涉条纹的分布求出透镜的轴向调整误差和初级球差.  相似文献   
42.
受激旋转拉曼散射对强紫外激光相位的影响   总被引:1,自引:1,他引:0       下载免费PDF全文
 利用瞬态受激旋转拉曼散射(SRRS)模型及相位畸变模型,对具有空间相位畸变的强紫外激光束在空气中长程传输的SRRS效应进行了研究。详细讨论了低频和中高频空间相位畸变对SRRS阈值条件、斯托克斯光转换效率、剩余泵浦光和斯托克斯光相位的影响。研究结果表明,泵浦光的初始相位畸变对斯托克斯光相位畸变的影响较剩余泵浦光的更为明显;高频相位畸变对转换效率影响较低频相位畸变更大; SRRS效应阈值随低频相位畸变的增大而减小,随高频相位畸变的增大而增大。  相似文献   
43.
现场拉曼光谱研究乙腈在金电极上的解离吸附行为   总被引:2,自引:1,他引:1  
利用共焦显微拉曼系统、结合合适的电极表面粗糙方法研究了非水体系 0 1mol/LLiClO4 /CH3CN溶液中 ,乙腈分子在金表面的吸附和解离行为。结果表明非水体系中乙腈可在金表面发生还原反应 ,产物CN- 离子与电极表面作用形成的表面配合物可在较宽的电位区间吸附于电极表面。溶液中的微量水、激光照射以及电极电位均对该反应有较大的影响。通过拉曼谱图的比较得出乙腈分子解离出的CN- 在金电极表面比在银电极表面有更强的吸附作用。  相似文献   
44.
安晓强  邱昆  张崇富 《应用光学》2006,27(5):363-368
以一维二次同余码(QCC)作为扩时模式,以光正交码(OOC)和QCC码作为频域跳频模式,通过时域和频域的组合,构造了适用于光码分多址(OCDMA)系统的QCC/QCC和QCC/OOC 2种跳频扩时码,并对码的容量及其相关性进行了分析。与一维QCC码相比,QCC/QCC跳频扩时码的容量扩大了p 1倍(p为码重),相关性得到改善,并且码字异相自相关限λa=1,互相关限λc=2;QCC/OOC跳频扩时码具有更大的码容量和更好的相关性,码字异相自相关限λa=0,所有码字按一定规律可分成p 1组(p为码重),每组内码字的互相关限λa=1,不同组间码字的互相关限λa=2。所得结果为光码分多址系统中跳频扩时码的构造提供了一种新的方法。  相似文献   
45.
采用反应射频磁控溅射方法,在Si (100) 基片上制备了具有高c轴择优取向的ZnO薄膜.利用 原子力显微镜、透射电子显微镜、X射线衍射分析、拉曼光谱等表征技术,研究了沉积温度 对ZnO薄膜的表面形貌、晶粒尺度、应力状态等结晶性能的影响;通过沉积温度对透射光谱 和光致荧光光谱的影响,探讨了ZnO薄膜的结晶特性与光学性能之间的关系.研究结果显示, 在室温至500℃的范围内,ZnO薄膜的晶粒尺寸随沉积温度的增加而增加,在沉积温度为500 ℃时达到最大;当沉积温度为750℃时,ZnO薄膜的晶粒尺度有所减小;在室温至750℃的范 围内,薄膜中ZnO晶粒与Si基体之间均存在着相对固定的外延关系;在沉积温度低于500℃时 ,制备的ZnO薄膜处于压应变状态,而750℃时沉积的薄膜表现为张应变状态.沉积温度的不 同导致ZnO薄膜的折射率、消光系数、光学禁带宽度以及光致荧光特性的变化,沉积温度对 紫外光致荧光特性起着决定性的作用.此外,探讨了影响薄膜近紫外光致荧光发射的可能因 素. 关键词: ZnO薄膜 表面形貌 微观结构 光学常数  相似文献   
46.
众所周知,相似矩阵的迹相等对于非交换代数和环上的矩阵不一定成立,有趣的问题是给定一个条件使得相似矩阵的迹相等对于非交换代数或非交换环上的矩阵成立。本文对于特征不是2的任意域F上定义的广义四元数代数上的两个矩阵A和B,给出如果A和B相似并且它们的主对角线上的元素在F中,那么它们的迹相等。  相似文献   
47.
本文讨论了一些B值鞅型序列的强大数定律 ,弱大数定律 ,Lr收敛性及完全收敛性 ,推广了许多熟知的结果 .  相似文献   
48.
相型同步启动时间的M/M/c排队系统   总被引:4,自引:0,他引:4  
本文研究带有同步启动时间的M/M/c系统,其中启动时间是相型变量,给出了稳态和等待时间分布等结果。  相似文献   
49.
本提出一个偏微分方程方法,用这一方法研究同输入M/M/∞排队群中的联合队长分布。在任意初始条件下,给出了瞬时联合队长分布的多元母函数,也讨论了稳态队长的联合分布及各排队系统之间的相关性。  相似文献   
50.
A microscopic theory of Raman scattering by optical phonons in GaAs/GaAlAs heterostructures is worked out systematically, on the basis of recent advances in our knowledge of the electronic structure and the optical-phonon modes in superlattices and quantum wells. Theories have shown that specific features of the intermediate states are of special importance for a quantitative theory. Thus, the heavy and light hole mixing effect, and the angular momentum state of the four-component excitons, can play a decisive role in determining the predominant scattering channels. Special attention has been paid to the Frolich-interaction induced scattering, which is dipole forbidden in bulk materials but allowed in multiple quantum wells owing to the barrier penetration and the hole mixing. Based on the microscopic theory, explanations are provided for such experimental facts as the asymmetry between the incoming and the outgoing resonance, the line shape of Raman spectra and the features of two-phonon Raman scattering in quantum well systems.  相似文献   
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