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71.
针对供应链与供应链竞争问题,研究随机需求下多条竞争供应链网络之间的竞争行为。通过定义产品市场链说明供应链网络之间是如何竞争的,在市场需求是随机且产品的品牌有差异的情况下,利用多项式logit模型以及变分不等式的方法,构建了具有随机需求的多条竞争供应链的网络均衡模型.模型很好的刻画了包含多条供应链,且每条供应链具有多个层次的供应链网络之间的竞争行为,研究表明供应链与供应链的竞争可以看作是由核心企业所决定的供应链网络之间的竞争.最后,通过一个算例说明了模型的合理性和有效性. 相似文献
72.
73.
采用基于密度泛函理论(DFT)的Dmol3程序系统研究了O原子与O2在 Au19与Au20团簇上的吸附反应行为. 结果表明: O在Au19团簇顶端洞位上的吸附较Au20强; 在侧桥位吸附强度相近. O与O2在带负电Au团簇上吸附较强, 在正电团簇吸附较弱. 从O―O键长看, 当金团簇带负电时, O―O键长较长, 中性团簇次之, 正电团簇中O―O键长较短, 因而O2活化程度依次减弱. 电荷布居分析表明, Au团簇带负电时, O与O2得电子数较中性团簇多, 而团簇带正电时, 得电子数较少. 差分电荷密度(CDD)表明, O2与Au团簇作用时, 金团簇失电子, O2的π*轨道得电子, 使O―O键活化. O2在Au19-团簇上解离反应活化能为1.33 eV, 较中性团簇低0.53 eV; 而在Au19+上活化能为2.27 eV, 较中性团簇高0.41 eV, 这与O2在不同电性Au19团簇O―O键活化规律相一致. 相似文献
74.
采用炭硬模板法制备了高比表面积Cr_2O_3-α-AIF_3催化剂.该催化剂的合成过程主要包括三步:(1)将一定浓度的蔗糖溶液浸渍到Cr_2O_3-γ-Al_2O_3中,然后经过热处理,使得蔗糖分解为炭;(2)将含炭的Cr_2O_3-γ-Al_2O_3固体在400℃用HF气体进行完全氟化;(3)在高温下利用燃烧法除去炭硬模板.对所制备的催化剂进行了X射线衍射(XRD),氮气吸脱附曲线,氨气程序升温脱附(NH_3-TPD),透射电镜(TEM),扫描电镜(SEM)和X射线能量散射(EDX)技术表征.结果表明,氟化过程对Cr_2O_3-α-AIF_3催化剂比表面积有重要影响,在最佳实验条件下,能够得到比表面积为115 m~2·g~(-1)的催化剂.此催化剂对催化裂解二氟乙烷(HFC-152a)制备氟乙烯(VF)的催化活性明显高于直接氟化制备的Cr_2O_3-α-AIF_3催化剂,这是因为高比表面积的Cr_2O_3-α-AIF_3催化剂具有较大的酸量. 相似文献
75.
以象山港海底沉积物为研究对象,采用了五步连续萃取法对象山港区域表层沉积物中重金属(Fe、Mn、Cu、Zn)赋存形态进行了研究,分析了各形态重金属在象山港不同采样点中的分布特征和影响因素.结果表明,象山港海域表层沉积物中各重金属元素主要来源于自然输入的残留态,人为输入的各种活性形态所占比例相对较少,但受两种因素的影响的差... 相似文献
76.
有理对称矩阵的准正交相似 总被引:1,自引:0,他引:1
滕冬梅 《数学的实践与认识》2011,41(18)
对一个有理对称矩阵A,用线性代数的理论直接证明了存在准正交矩阵P使得P~(-1)AP成为A的有理标准形,并给出了P的算法. 相似文献
77.
基于Timoshenko梁理论研究多孔功能梯度材料梁(FGMs)的自由振动问题.首先,考虑多孔功能梯度材料梁的孔隙率模型,建立了两种类型的孔隙分布.其次,基于Timoshenko梁变形理论,给出位移场方程、几何方程和本构方程,利用Hamilton原理推导多孔功能梯度材料梁的自由振动控制微分方程,并进行无量纲化,然后应用微分变换法(DTM)对无量纲控制微分方程及其边界条件进行变换,得到含有固有频率的等价代数特征方程.最后,计算了固定-固定(C-C)、固定-简支(C-S)和简支-简支(S-S)三种不同边界下多孔功能梯度材料梁自由振动的无量纲固有频率.将其退化为均匀材料与已有文献数据结果对照,验证了正确性.讨论了孔隙率、细长比和梯度指数对多孔功能梯度材料梁无量纲固有频率的影响. 相似文献
78.
为研究同时考虑零售商竞争与第三方回收闭环供应链的定价决策及协调问题, 分别建立了集中与分散决策模式下的闭环供应链优化模型, 并提出了基于改进K-S法的协调机制。研究表明:在分散式闭环供应链决策下, 较之两零售商与第三方, 制造商总是可以获得最大的利润。两零售商在产品价格上竞争程度的增强不仅可以有效提高产品销量, 同时对废旧产品的回收也起到了很好地促进作用。闭环供应链成员企业间的合作策略能有效消除系统的“双重边际”效应, 且较之零售商及第三方回收商, 制造商的合作动力更强。 相似文献
79.
80.
根据非晶态半导体的能带理论,讨论了分层优化薄膜电致发光方案中非晶二氧化硅加速层中的电子在高电场中的输运行为.研究结果表明:在高电场下,由于电场的存在降低了陷阱之间的平均势垒高度.在费密能级附近处的杂质及缺陷定域态和导带尾定域态中,电子的输运主要表现为电场增强的热辅助式跳跃传导;而在导带扩展态中,电子的输运仍像晶态半导体那样表现为共有化运动.此外,以实验数据为基础,计算出了非晶二氧化硅中电子的迁移率、最小金属电导率、导带迁移率边界状态密度及费密能级处的状态密度.
关键词: 相似文献