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41.
李文深  池元斌 《发光学报》1995,16(2):130-133
本文报道了在Zn0.76Cd0.24Se/ZnSe多量子阱(MQWs)中,用不同的Ar+激光线激发,观察到了共振增强的喇曼散射。首次在室温和77K的条件下,用Ar+的457.9nm谱线激发,观察到分别来自ZnSe垒层和Zn0.76Cd0.24Se阱层的限制纵光学声子模(LO)的喇曼散射,并对上述不同的光学模的起因进行了分析。  相似文献   
42.
1 Introduction  Moderndigitalcommunicationsystemsoftenrequireerror freetransmission .Errorcontrolcodingtechnologyhasbeenusedwidelyincommunicationsystem .Andithasbeenimprovingtheperformanceofcommunicationsystem greatly ,especiallyinwirelesscommunicationss…  相似文献   
43.
用裂解气相色谱-质谱联用方法研究了橡胶产品中使用的增塑剂邻苯二甲酸二甲酯(DMP)在不同温度条件下的热裂解行为.对不同温度条件下裂解产物的分析表明,在初始阶段DMP的裂解产物主要为二氧化碳、苯、甲苯和苯甲酸甲酯.随着温度的升高苯甲酸甲酯进一步裂解成为分子质量更小的自由基,并发生稠环化反应形成更稳定的菲、蒽、间-联三苯、三亚苯等芳香族多环化合物.根据分析实验提供的裂解产物信息和有机物热裂解化学反应的原理对DMP的热裂解反应机理作了探讨,表明在废旧合成橡胶热裂解回收过程中,增塑剂DMP的高温裂解会产生多环芳烃污染物.应选择合适裂解工艺和裂解温度,以减少对环境的污染.  相似文献   
44.
第一讲中子散射与散裂中子源   总被引:1,自引:0,他引:1  
中子散射是研究物质微观结构和动态的理想工具之一,广泛地应用于凝聚态物质研究和应用的众多学科领域.散裂中子源能是新一代的加速器基脉冲中子源,能为中子散射提供高通量的脉冲中子.文章简明地介绍了中子散射的特点和它作为物质结构和动态探针的优越性,以及散裂中子源的基本原理、发展状况和多学科的应用优势.我国计划建设的散裂中子源CSNS中,靶站将由多片钨靶、铍/铁反射体和铁/重混凝土生物屏蔽体组成.质子束功率100kW下,脉冲中子通量约为2.4×1016n/cm2/s.第一期将设计建造高通量粉末衍射仪、高分辨粉末衍射仪、小角散射仪、多功能反射仪和直接几何非弹性散射仪等五台典型的中子散射谱仪,以覆盖大部分的中子散射研究领域.  相似文献   
45.
基于SUN5500小型计算机并行开发环境,给出了消息传递模型和蕴式行模型的实现方法,通过实例分析了SUNMPI实际编程,并对选取不同模型有不同参数的运算时间进行了比较,结果表明,在SUN5500计算机上MPI模型和蕴式并行模型均能较大地提高运算速度,而且MPI在灵活性和并行程度方面更优。  相似文献   
46.
刘喆  唐喆  崔得良  徐现刚 《物理》2002,31(5):306-309
异质结晶体三极管(HBT)的性能与其材料体系密不可分,利用能带工程可以大大优化器件的结构,提高器件性能,文章从分析HBT的能带结构及设计要求入手,介绍了一种利用能带工程设计的基于GaAsSb/InP材料体系的新型HBT器件的结构及其性能,分析了该器件与其它材料体系器件相比所具有的优异特性,说明了对HBT的各区材料,其带边的相对位置所起的重要作用,最后,文章还报道了近期的实验情况,说明了GaAsSb/InP体系HBT的实际性能与理论预言一致。  相似文献   
47.
用密耦近似方法计算了He和N2体系的微分截面和总截面及转动激发分波截面,得出微分截面及总截面随入射能量变化的规律.  相似文献   
48.
A measure of entanglement on n qubits is defined in terms of Wigner-Yanase skew information. It is shown that the measure coincides essentially with the concurrence on two qubits. This uncovers the information-theoretic meaning of the concurrence of entangled states.  相似文献   
49.
本文报道了对分子束外延(MBE)生长的In0.25Ga0.75As-GaAs应变层量子阱结构在77K下的压力光荧光(PL)研究的结果。流体静压力从0到50kbar.,给出了In0.25Ga0.75As-GaAs应变层量子阱的Γ谷压力系数,实验观察到了量子阱中能级与势垒GaAs中X谷的能级交叉。通过对其压力行为的分析,给出了In0.25Ga0.75As-GaAs异质结的导带与价带跃变比:Qc=△Ec:△Ev=0.68:0.32。对(InGa)As-GaAs应变量子阱常压下的理论分析与实验符合很好。本文也对Al0.3Ga0.70As-GaAs量子阱进行了讨论。 关键词:  相似文献   
50.
A nanoscale multivalent platinum drug based on a poly(amidoamine) [PAMAM] dendrimer (generation 4.5, carboxylate surface) has been synthesized and fully characterized using a variety of spectroscopic, chromatographic and thermal methods. Treatment of the dendrimer with an aqueous solution containing an excess diaquo(cis-1,2-diaminocyclohexane)platinum(II) produces a conjugate containing approximately forty (diaminocyclohexane)platinum(II) moieties at the surface of the dendrimer. This material undergoes smooth two-stage thermal decomposition to provide residual platinum oxide reflecting the platinum loading in the drug.  相似文献   
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