全文获取类型
收费全文 | 5810篇 |
免费 | 1321篇 |
国内免费 | 2481篇 |
专业分类
化学 | 4466篇 |
晶体学 | 243篇 |
力学 | 518篇 |
综合类 | 214篇 |
数学 | 1035篇 |
物理学 | 3136篇 |
出版年
2024年 | 19篇 |
2023年 | 64篇 |
2022年 | 247篇 |
2021年 | 230篇 |
2020年 | 194篇 |
2019年 | 216篇 |
2018年 | 189篇 |
2017年 | 295篇 |
2016年 | 171篇 |
2015年 | 290篇 |
2014年 | 355篇 |
2013年 | 488篇 |
2012年 | 477篇 |
2011年 | 512篇 |
2010年 | 546篇 |
2009年 | 594篇 |
2008年 | 651篇 |
2007年 | 528篇 |
2006年 | 573篇 |
2005年 | 442篇 |
2004年 | 311篇 |
2003年 | 225篇 |
2002年 | 232篇 |
2001年 | 330篇 |
2000年 | 349篇 |
1999年 | 208篇 |
1998年 | 91篇 |
1997年 | 85篇 |
1996年 | 66篇 |
1995年 | 64篇 |
1994年 | 76篇 |
1993年 | 68篇 |
1992年 | 59篇 |
1991年 | 31篇 |
1990年 | 52篇 |
1989年 | 46篇 |
1988年 | 43篇 |
1987年 | 34篇 |
1986年 | 27篇 |
1985年 | 17篇 |
1984年 | 24篇 |
1983年 | 20篇 |
1982年 | 12篇 |
1981年 | 13篇 |
1980年 | 7篇 |
1979年 | 9篇 |
1977年 | 5篇 |
1965年 | 4篇 |
1962年 | 3篇 |
1957年 | 3篇 |
排序方式: 共有9612条查询结果,搜索用时 15 毫秒
21.
JIANG Wei-na YANG Shi-long LU Wen XU Li TANG Ying XUE Hua-yu GAO Bu-hong DU Li-ting SUN Hai-jun MA Meng-tao XU Hai-jun CAO Fu-liang 《光谱学与光谱分析》2018,38(8):2650-2656
制备了一种基于天然产物槲皮素接枝硅包银核壳结构的纳米荧光传感器(Ag@SiO2@Qc),对铜离子具有好的选择性和灵敏性。Ag@SiO2@Qc与Cu2+离子结合后,荧光发射强度发生猝灭,并且可通过荧光滴定光谱得到了荧光滴定曲线:y = -32.864x+587.59(R2=0.998),其线性范围分别为:3×10-7~4.8×10-6 mol·L-1,最低检测限为1.0×10-7 mol·L-1。并且将Ag@SiO2@Qc应用于环境中水样的检测结果的准确度好,精密度高,而且更加环保、方便、快捷,具有很大发展潜力与应用价值。 相似文献
22.
23.
24.
提出了一种应用于自适应PID控制器的神经网络与模糊控制相结合的算法,该算法可以有效地解决普通PID控制器依赖于对象的数学模型的缺点,可实现控制系统的在线自适应调整,可满足实时控制的要求。仿真结果表明,基于模糊神经网络整定的PID控制器具有较好的自学习和自适应性,具有较快的响应速度。 相似文献
25.
液体的脉冲差分光声喇曼光谱 总被引:1,自引:2,他引:1
采用脉冲光声方法测量了各种有机和无机液体的受激喇曼光谱,探讨了影响这种光谱技术灵敏度的主要原因,即来自线性吸收信号的干扰,并进一步采用一种改进的方法——差分方法,消除了线性光声信号的影响,可以测量到比较弱的喇曼谱线以及浓度比较低的物质的喇曼光谱,并探讨了这种技术在痕量物质测量以及探测环境污染物质等领域中的应用前景. 相似文献
26.
Many real-world networks such as the protein–protein interaction networks and metabolic networks often display nontrivial correlations between degrees of vertices connected by edges. Here, we analyse the statistical methods used usually to describe the degree correlation in the networks, and analytically give linear relation in the degree correlation. It provides a simple and interesting perspective on the analysis of the degree correlation in networks, which is usefully complementary to the existing methods for degree correlation in networks. Especially, the slope in the linear relation corresponds exactly to the degree correlation coefficient in networks, meaning that it can not only characterize the level of degree correlation in networks, but also reflects the speed that the average nearest neighbours’ degree varies with the vertex degree. Finally, we applied our results to several real-world networks, validating the conclusions of the linear analysis of degree correlation. We hope that the work in this paper can be helpful for further understanding the degree correlation in complex networks. 相似文献
27.
立足于成功研制的紫外-可见光谱水质检测多参数测量系统,针对紫外-可见光谱水质多参数原位实时检测在精度、灵敏度、稳定性等方面的实际需要,开展了基于二维重组和动态窗格的水质检测紫外-可见光谱去噪算法的研究,以此提高紫外-可见光谱水质检测的测量精度。光谱法水质检测系统通常使用工业级低成本光谱仪,其输出光谱包含明显的非平稳噪声。传统去噪法难以在滤除噪声的同时保留谱线细节。而且,原位实时水质检测条件下,被测水样可能快速变化,传统去噪法中常用的多次采样求均值法将产生额外的测量误差。引入的去噪算法通过对水样光谱进行等间隙连续采样,将光谱数据张成由光谱轴和时间轴构成的二维矩阵,经过二维小波变换后,设置一个可变宽度的窗格在系数矩阵中水平滑动,使用窗格内的小波系数计算得到动态去噪阈值,并随窗格滑动构建去噪阈值向量,由此进行光谱去噪。其中,窗格宽度由相邻区域的噪声方差变化率决定,变化率较高的区域缩小窗格宽度,反之则扩大宽度。实验结果表明,这种去噪算法不仅能有效去除光谱中的非平稳噪声,而且能保留光谱的细节信息,有助于提高仪器的测量精度。与此同时,由于该算法并未使用时域平均,样本的快速变化对去噪性能的影响较小,适合在线或原位水质检测的水样本环境。 相似文献
28.
Growth and Characterization of A1GaN/A1N/GaN HEMT Structures with a Compositionally Step-Graded A1GaN Barrier Layer 下载免费PDF全文
A new A1GaN/A1N/GaN high electron mobility transistor (HEMT) structure using a compositionally step-graded A1GaN barrier layer is grown on sapphire by metalorganic chemical vapour deposition (MOCVD). The structure demonstrates significant enhancement of two-dimensional electron gas (2DEG) mobility and smooth surface morphology compared with the conventional HEMT structure with high A1 composition A1GaN barrier. The high 2DEG mobility of 1806 cm2/Vs at room temperature and low rms surface roughness of 0.220 nm for a scan area of 5μm×5 μm are attributed to the improvement of interracial and crystal quality by employing the stepgraded barrier to accommodate the large lattice mismatch stress. The 2DEG sheet density is independent of the measurement temperature, showing the excellent 2DEG confinement of the step-graded structure. A low average sheet resistance of 314.5Ω/square, with a good resistance uniformity of 0.68%, is also obtained across the 50 mm epilayer wafer. HEMT devices are successfully fabricated using this material structure, which exhibits a maximum extrinsic transconductance of 218 mS/ram and a maximum drain current density of 800 mA/mm. 相似文献
29.
30.