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采用原位X射线衍射仪、拉曼光谱仪和X射线反射仪分别研究了Cu-Sb2Te 薄膜的微结构、成键结构和结晶前后的密度变化. Sb2Te薄膜的结晶温度随着Cu含量的增加而增大. 在10 at.%和14 at.% Cu的Sb2Te薄膜中, Cu与 Te 成键, 结晶相由六方相的Cu7Te4、菱形相的Sb及六方相的Sb2Te构成. 10 at.% 和14 at.% Cu 的Sb2Te薄膜在结晶前后的厚度变化分别约为3.2%和 4.0%, 均小于传统的Ge2Sb2Te5 (GST)薄膜. 制备了基于Cu-Sb2Te薄膜的相变存储单元, 并测试了其器件性能. Cu-Sb2Te器件均能在10 ns的电脉冲下实现可逆SET-RESET操作. SET和RESET操作电压随着Cu含量的增加而减小. 疲劳测试结果显示, Cu 含量为10 at.%和14 at.%的PCRAM单元的循环操作次数分别达到1.3×104和1.5×105, RESET和SET态的电阻比值约为100. Cu-Sb2Te可以作为应用于高速相变存储器(PCRAM)的候选材料. 相似文献
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This paper investigated phase change Si1Sb2Te3 material for application of chalcogenide random access memory. Current-voltage performance was conducted to determine threshold current of phase change from amorphous phase to polycrystalline phase. The film holds a threshold current about 0.155 mA, which is smaller than the value 0.31 mA of Ge2Sb2Te5 film. Amorphous Si1Sb2Te3 changes to face-centred-cubic structure at ~ 180℃ and changes to hexagonal structure at ~ 270℃. Annealing temperature dependent electric resistivity of Si1Sb2Te3 film was studied by four-point probe method. Data retention of the films was characterized as well. 相似文献
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本文旨在将B.Fisher关于完备度量空间中映射对的公共不动点推广到Hausdotff度量下集值上半连续映射对的情形,得到了定理3,推论5.8.引理7是关于Hausdorff度量的新结果。 相似文献
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本文研究了以胶状量子点作为发光层和有机/无机混合材料作 为电子-空穴传输层的电致发光二极管器件. CdSe 量子点以薄膜的形式夹在无机氧化锌锡电子传输层和有机TPD空穴传输层中间构成三明治结构. 氧化锌锡电子传输层采用磁控溅射实现, 有机TPD空穴传输层和量子点发光层则采用旋涂的方法制备, 得到的QD-LEDs器件结构界面陡峭、表面平整. 光电特性表征结果显示器件的电致发光具有良好的单色性、低的开启电压, 利 用具有高电子迁移率和低载流子浓度的无机氧化锌锡薄膜作为电子传输层可 以实现器件在大气环境下稳定、明亮的电致发光. 本文分析了器件的工作机理并通过改变氧化锌锡的电导率达到控制器件中电子和空穴的注入比的目的, 优化了器件的光电性能.
关键词:
量子点
氧化锌锡
电致发光
电子传输层 相似文献
146.
本文利用磁控溅射的方法制备了L1_0-CoPt薄膜,研究了不同退火条件对薄膜结构、磁性以及表面形貌的影响.通过优化退火温度、保温时间以及升温速率,制备出了具有大矫顽力、高矩形比、粗糙度小的垂直各向异性L1_0-CoPt薄膜.实验发现,较高的退火温度有利于克服CoPt薄膜有序化转变所需要的能量,同时适当延长退火时间可以提高CoPt薄膜的扩散系数,从而促使无序相fcc转化为L1_0有序相fct结构.此外,退火过程中减缓升温速率可以有效减小薄膜粗糙度,从而形成平整连续膜. 相似文献
147.
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149.
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