高掺杂Ga对ZnSe:Ga,Cu晶体中深中心发射的影响

本文研究了高掺杂Ga对ZnSe:Ga,Cu晶体中深中心光致发光谱带的影响。首次在高掺杂ZnSe:Ga,Cu中观察到了Cu-G带峰值位置随Ga浓度增大向长波方向移动的现象,并把它归因于高浓度的Ga和Cu相互作用,产生了谱峰为5580Å的新发射带,其半高宽(FWHM)大于Cu-G谱带的半高宽。此外还得到,随着Cu浓度增加,Cu-G带与Cu-R带强度之比减小。文中指出,Ga浓度较低时,ZnSe:Ga,Cu晶体与ZnSe:Cu晶体有相同的Cu深中心发射规律,即随着Cu浓度增大,Cu-G带与Cu-R带的强度比增大,由Cu-R发射带占优势逐渐过渡到Cu-G发射带占优势。     

准二维无序系统的电子结构

对形如N_t×N_l型准二维无序系统，只考虑格点之间的最近邻跳跃积分，采用特殊的格点编号方案，在单电子近似下，系统的哈密顿量可表示为简明对称矩阵，借助豪斯荷尔德变换将其约化为对称三对角矩阵，再利用负本征值理论及传输矩阵等方法,对系统态密度、局域长度及电导等电子结构特性进行数值计算. 重点研究了准一维四平行链和五平行链无序系统， 将结果与一维单链、准一维双链及三链系统进行对比，发现随维度的增加，系统的能带有所展宽，能态密度分布发生很大的变化，其峰值数量呈偶数规律增加. 并且在能带中心处存在有局域长度大于系统大小的扩展态，处于这些态下的系统具有较大电导. 从单链到多链，相当于扩大了系统的关联范围，使系统出现了类似非对角长程关联的行为. 关键词： 准二维无序系统 态密度 局域长度 电导     

荧光光谱法研究蛋白质构象的电磁-温度协同效应

长期以来电磁生物效应受到人们普遍关注，近年来从各个角度进行了相关研究。电磁－温度协同效应是当前的热点。本研究通过电磁场及温度协同对蛋白质影响的研究，发现蛋白质在电磁场作用下的不可逆变性，而且这种变性也遵循Arrhenius规律，并进一步得出电磁－温度协同作用的蛋白质变性模型。本文从分子反应动力学的角度解释了电磁－温度协同效应，并对非热效应作了一定的探讨。     

空气中水含量的计算及其在色谱分析中的应用

本文介绍了空气中水含量的计算式并编制了空气中的水含量表。实验证明,表上的数据适用于色谱分析。     

HIRFL注入器PIG离子源的研制

本文介绍了兰州重离子加速器(HIRFL)的注入器(SFC)所用PIG离子源的研制和改进工作,使用新研制的PIG源,已在注人器SFC上获得了5μA的O_(16)~(5+)及10μA的C_(16)~(4+)的离子束。     

Measurements of the perpendicular width of ionization-produceddouble layers

Measurements of the perpendicular (to B) double-layer widths of ionization-produced (anode) double layers are presented. These widths were determined from measurements of the double-layer charge separations. The variations of the transverse-to-B widths with plasma density and magnetic field strength are given     

近严格凸与最佳逼近

本文研究近严格凸与最佳逼近的关系．证明了Ｂａｎａｃｈ空间Ｘ是近严格凸的当且仅当Ｘ的每个子空间是紧－半－切比晓夫空间．     

超大规模集成电路光学光刻技术的现状与展望

光学光刻是目前超大规模集成电路(VLSI)制备中主要的微米和亚微米的图形加工技术,这一技术将继续保持其主导地位成为90年代VLSI发展的关键。本文综述了近年来光学光刻工艺的发展,主要介绍了G线(436nm)、Ⅰ线(365nm)和准分子激光光刻的现状,并对实现高的光学光刻分辨率所必须解决的透镜设计、套准精度和像场面积等问题作了详细描述。最后展望了发展方向、     

双齿配体—1,2—C_6H_4SX(X=O,S)的钴化合物~1H NMR研究

以~1H NMR谱学和磁化率对一些含邻苯二硫酚或巯基苯酚配体的钴化合物的磁性作了研究,并讨论了它们的电子结构。     

电子直线加速器束流均方根发射度变化方程

本文导出了考虑外场和束流效应后束流均方根发射度平方变化方程的一般表达式,并就仅考虑外场,仅考虑空间电荷场和仅考虑尾场等三种特殊情况进行了分析。