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11.
12.
13.
提出用溶胶粒子表面修饰方法,结合溶胶凝胶技术制备无机催化膜.该方法的基本原理是利用合适的金属配合物在胶粒表面的吸附作用,经溶胶凝胶过程,将活性组分结合到无机膜中.实验测定结果表明:(NiEDTA)2-,VO-3,MoO2-4,(Pd(NH3)4)2+,PdCl2-4,PtCl2-6和RhCl3-6可用来修饰AlOOH溶胶.以Pd/γAl2O3催化膜的制备为例,经三次溶胶凝胶过程,可制得无裂缺的厚度为9μm的Pd/γAl2O3催化膜,膜材料的平均孔直径为6nm,Pd被均匀地分布在膜的顶层,其平均粒径为23nm.  相似文献   
14.
A new type of THz waveguides, which employs a solid polyethylene rod as the core and polyethylene tubes in a periodic array of square lattice as the cladding, is proposed. Optical properties of this new THz waveguide, especially in dispersion, confinement loss and single mode property, are investigated in detail with the plane wave expansion method and the beam propagation method. Numerical results demonstrate that the new THz waveguide can reach not only low dispersion but also low confinement loss at single mode propagation. Therefore, the square lattice structure is a better candidate as THz waveguides than the triangular ones.  相似文献   
15.
模型论中的拓扑学方法   总被引:1,自引:0,他引:1  
陈国龙 《数学学报》2002,45(4):639-642
本文利用拓扑学方法研究了ω-范畴理论的性质,并对模型个数问题进行了讨论.  相似文献   
16.
本文采用HNO3-H2O2对中药方剂煎煮液进行处理,拟定了电感耦合等离子体原子发射光谱法同时测定试样中12个微量元素的方法,选择了仪器的最佳工作条件,考察了基本效应的影响。在选定条件下,12个微量元素的检出限为0.10-5.0ng/g,相对标准偏差为0.10%-9.5%(n=10),加标回收率为85%-103%。该方法简单、快速,已用于大量样品的检测,分析结果满意。  相似文献   
17.
实验观察来自磁光阱中冷原子团的荧光经真空系统窗口的平板玻璃反射产生的干涉条纹,理论分析表明从从荧光干涉条纹的强度分布可获得关于俘获原子总数以及密度分布的信息。采用该方法实测了俘获原子总数,并模拟得到了不同密度分布时条纹的对比度变化。  相似文献   
18.
金属薄膜制备及物性测量系列实验   总被引:4,自引:0,他引:4  
介绍了由模拟真空实验和“金属薄膜的制备”、“金属薄膜厚度的测量”、“金属薄膜电阻率的测量”,以及“金属薄膜生长过程的动态监测”等4个实验组成的金属薄膜制备与物性测量系列实验.这组实验与现代科学技术发展联系紧密,仪器设备可靠,操作简单,适合于普通物理实验阶段的研究性教学.  相似文献   
19.
利用国家同步辐射实验室合肥光源的真空紫外同步辐射,使NO分子和Ar原子混合物的超声分子束发生光电离,测量了Ar,NO和异类团簇Ar·NO的光电离效率谱. 在谱中,在与Ar原子的共振线对应的能量区域(11.5—12.0 eV)观察到一个强的类共振结构. 这个结果表明,在异类团簇Ar·NO的内部,稀有气体Ar原子的激发能转移到与它接触的分子NO上,使分子NO发生电离. 关键词: Ar·NO团簇 同步辐射 光电离 能量转移  相似文献   
20.
FeS2多晶薄膜电子结构的实验研究   总被引:1,自引:0,他引:1       下载免费PDF全文
用磁控溅射方法制各纯Fe薄膜,并硫化合成FeS2.采用同步辐射X射线近边吸收谱与X射线光电子能谱研究了薄膜的电子结构.结果表明,合成的FeS2薄膜,在费米能级附近,有较强的Fe 3d态密度存在,同时,在价带谱中2-10eV处有强度较大的S 3p态密度存在;Fe的3d轨道在八面体配位场作用下分别为t2g和eg轨道,实验中由Fe的吸收谱计算得到两分裂能级之差为2.1eV;实验测得FeS2价带结构中导带宽度约为2.4eV,导带上方仍存在第二能隙,其宽度约为2.8eV.  相似文献   
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