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871.
872.
A. Grittner J. Szilasi C. R. Alder Wright und C. Thompson 《Fresenius' Journal of Analytical Chemistry》1886,25(1):594-595
Ohne Zusammenfassung 相似文献
873.
874.
A. Wagner 《Fresenius' Journal of Analytical Chemistry》1883,22(1):316-318
Ohne Zusammenfassung 相似文献
875.
A. Sauer 《Fresenius' Journal of Analytical Chemistry》1873,12(1):32-36
Ohne Zusammenfassung 相似文献
876.
N. A. Orlow 《Fresenius' Journal of Analytical Chemistry》1910,49(3-4):226-227
Ohne Zusammenfassung 相似文献
877.
R. Hefelmann P. Mann A. Aignan F. Filsinger und H. Amsel 《Fresenius' Journal of Analytical Chemistry》1902,41(1):66-68
Ohne Zusammenfassung 相似文献
878.
879.
880.
Porous silicon (PS) exhibits several photoluminescence (PL) bands, whose spectral position and intensity depend strongly on the actual conditions of preparation of PS, its treatment, and subsequent use. The PS PL band peaking at about 1.8 eV and usually assigned to the intrinsic emission of silicon nanocrystals was studied. It was shown that the temperature-induced variation of the PL kinetics in the 80 to 300-K interval follows a complex pattern and depends noticeably on the actual point on the band profile. The temperature behavior of PL decay in the 1.8-eV band is determined by the electron-hole recombination rate within a nanocrystal and the cascade carrier transitions from small to large nanocrystals, with an attendant decrease in energy. 相似文献