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201.
A concise discussion concerning the UHV ALE growth of ternary II-VI compounds is presented in this paper. Simultaneous reflection mass spectrometry (REMS) and reflection high energy electron diffraction (RHEED) measurements of the surface kinetic and structural parameters, respectively, governing the UHV ALE growth of Cd1-xZnxTe and Cd1-xMnxTe heteroepitaxial films are reported. In addition, a Monte-Carlo-based method for simulation of the UHV ALE process of CdTe (the model-compound for this growth technique) has been used for investigation of the Cd cation's fluxes reflected from the growing epilayer surface in different phases of the ALE process. The Cd+ ion-related REMS signals measured during CdTe growth have been compared with the simulation results. 相似文献
202.
A. Zdyb J. M. Olchowik D. Szymczuk J. Mucha K. Zabielski M. Mucha W. Sadowski 《Crystal Research and Technology》2002,37(8):875-880
Numerical calculations of GaAs/Si interfacial energy based on Ackland's semiempirical four‐parameter model for tetravalent semiconductor have been performed. The calculated interfacial energy varies with Si substrate misorientation, showing minima at angles that correspond to the (011), (133), (112) and (113) planes of Si. These planes are preferable for GaAs heteroepitaxy on Si substrates. 相似文献