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132.
A simple and effective technique for calculating the transient signals in three-level spin systems irradiated at one and two frequencies is described. All possible signals are presented and discussed. The application of the two-frequency excitation technique for the investigation of the inhomogeneity of the crystalline lattice is suggested.  相似文献   
133.
采用LD泵浦的单纵模Nd:YVO4倍频激光器、梯度折射率光纤透镜等器件构成斐索梯度折射率光纤透镜传感实验仪.本文介绍了实验装置和实验原理,并给出了实验结果。  相似文献   
134.
The phenomenon of plasmon resonance in a nanosphere and a nanospheroid is considered. As is known, this phenomenon does not depend explicitly on the size of these nanoparticles. However, it is shown that, actually, the resonance conditions are determined by the diameter of the nanosphere and by the length of the major axis of the nanospheroid.  相似文献   
135.
探讨了体效应振荡器特性观测与使用实验中,编写实验原理要应用能带结构解释负阻特性并通过对偶极畴生长和运动过程的描述说明振荡原理,提出了实验教学方案,从教学效果上分析了开设此实验的意义及合理性。  相似文献   
136.
We have applied the Foldy-Wouthuysen transformation to spin-1 particles interacting with a nonuniform electromagnetic field. This allowed us to simultaneously confirm that the Pomeransky-Khriplovich-Sen’kov theory is valid and that the interaction of spin 1-particles with a weak field is properly described by the Corben-Schwinger equation. We analyzed the possibilities for experimentally testing theoretical conclusions by observing spin oscillations for the planar channeling of particles or nuclei in straight crystals. By carrying out such experiments, we can also detect the spin oscillations produced by electromagnetic interaction and measure the quadrupole moments of short-lived nuclei.  相似文献   
137.
138.
The relation between the density of etch pits revealed in GaN by etching in a KOH/NaOH eutectic and the density of dislocations determined by transmission electron microscopy (TEM) is studied along with the relation between the density of dislocations and the density of dark spot defects observed in GaN by microcathodoluminescence (MCL) and electron-beam-induced current (EBIC). It is demonstrated that selective etching is a reliable rapid method for the determination of the type and density of dislocations in GaN in the range 106–108 cm?2, while MCL and EBIC can be used for the rapid nondestructive determination of the density of dislocations in the range 106–108 cm?2. It is also found that some deep electron and hole traps are related to dislocations.  相似文献   
139.
We present the results of a study and substantiation of the method of polygaussian approximation of an electrocardiographic (ECG) signal against interference background during computer analysis of that signal. It is proposed to use adaptive processing of ECG signals, which allows one to increase the signal-to-interference ratio by over 7 dB.  相似文献   
140.
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